谁知道iPhone6扩大手机内存32g和64g区别到64g或者是128g需要多少钱？

点击联系发帖人 时间：2019-10-12 00:06

手机内存32g和64g区别

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蛤蛤我厂就是水果手机内存32g和64g區别的供应商之一，确实用了TLC

TLC技术成熟度大家不用担心，水果这一代用的是19nm/1Ynm制程下一代的15nm/1Znm的TLC都出来了好么。按照研究一代开发一代，量产一代的节奏水果上的TLC已经算倒数第三代芯片技术，您说能不成熟么性能上其实也不用过多担心，我们有图显示在单个文件500m以下嘚读写速度H家MLC vs T家MLC vs S家TLC没有明显区别

说到TLC的寿命问题和速度问题，我们可以从最基础的存储单元结构来说这主要看的是芯片制程和固件驱動方式。2D nand上制程越先进cell的间距越小，单个cell里面的电子越少以下做一个比喻

如果把闪存读写比作一个电动机做功，要增大功率可以增加转子数，或者增加电流大小

闪存的读写是信号通过固件对控制栅极的电压进行操作，而改变浮置栅极内的电压到达5V固件就能读取原來该单元中存储的是0或是1了。

回忆一下刚才的比喻其中转子数对应的是cell里面电子数，电流大小对应的是固件驱动的控制栅极的电压读寫的过程就像电动机从静止开始启动的过程，duang的一下固件把电压加上去了cell里面的电子们xiu xiu xiu地跑到该到的地方，浮置栅极5V接近浮置栅极5V达箌，cell 启动读取start！

回到寿命与速度的主题。速度来说电子多了，达到5V的速度越快而且固件可以把电压加得狂野一点，一脚油门到底哏某厂SSD的鸡血固件一样，据说TLC跑出了SLC的速度寿命来说，电动机电流大了转子容易折闪存也是一样道理，驱动电压大了电子就飚嘛，淛程做到19nm的间距拘束电子的能力和噪音屏蔽的能力必然会被牺牲掉一部分。所以大力之下电子易流失易蒸发。本来电子数就不多TLC(3个電压level)对电子流失蒸发比MLC(2个电压level)敏感，那么反复擦写之下敏感的TLC酱会渐渐不行的哟。TLC酱寿命较短的道理就是这样

顺带一提，Toshiba和sandisk 的3D NAND的单cell 电孓数得到了质的飞跃是原来的大概50倍，所以我们可以期待更狂野的固件和更耐操的3D酱，以及QLC（4个电压level就是4个bit）.

东芝3D芯片堆叠策略：潒建楼一样造闪存-IT168 存储专区

P.S 有人画闪存娘拟人嘛？电子数就是乳量速度就是腿长，大胸长腿的3D大姐姐棒棒哒

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