固体物理基础参考解答_百度文库
两大类热门资源免费畅读
续费一年阅读会员，立省24元！
固体物理基础参考解答
上传于||暂无简介
阅读已结束，如果下载本文需要使用
想免费下载本文？
下载文档到电脑，查找使用更方便
还剩127页未读，继续阅读
你可能喜欢&& 查看话题
【求助】VASP计算电子态密度
最近做点测试计算
可是DOS做出来效果很差
同时附上自己的INCAR
希望高手帮忙，如何做出漂亮的DOS图
并指出那些参数对DOS图有影响
&&ENCUT&&= 300 eV
& &ISTART = 0
& &ISPIN&&= 2
& &ISYM& &= 0
& &GGA& & = 91
& &VOSKOWN = 1
& &ISIF& &= 0
& &NELM& &= 100
& &ALGO& &= FAST
& &EDIFF&&= 1E-4
& &EDIFFG = 0.001
& &LREAL&&= .FALSE.
& &NSW& & = 0
& &IBRION = -1
& &ISMEAR = -5
& &SIGMA&&= 0.1
& &NWRITE = 2
& &NKPR& &= 1
1)增加k点网格的大小；
2）采用ISMEAR=0, SIGMA = 0.1~0.2。 Originally posted by zzy870720z at
最近做点测试计算
可是DOS做出来效果很差
同时附上自己的INCAR
希望高手帮忙，如何做出漂亮的DOS图
并指出那些参数对DOS图有 ... 换用ISMEAR =-5 ，作图时，还有一个参数是可调的，就是DOS 里的展宽，很明显，你做的图不合理，因为展宽明显取得过小。 Originally posted by valenhou001 at
1)增加k点网格的大小；
2）采用ISMEAR=0, SIGMA = 0.1~0.2。 感谢侯老师指导，不过VASP手册上说计算态密度推荐采用四面体方法？
用Gaussian smearing方法好吗？ Originally posted by vasp001 at
换用ISMEAR =-5 ，作图时，还有一个参数是可调的，就是DOS 里的展宽，很明显，你做的图不合理，因为展宽明显取得过小。 首先谢谢你的解释
能说更详细些吗？作图时有什么要注意的？
麻烦了，很急 采用ISMEAR=-5时，需要将k-mesh增加的很大，出来的态密度才会光滑。
如果你想用适中的k-mesh，用ismear=0, SIGMA = 0.1~0.2也是可以接受的。这样弄出来的态密度，经过了Gussian展宽。
再要不然你用ISMEAR=-5计算出来的态密度，自己编个程序采用Guassian函数去展宽计算出来的态密度。 用VASP计算态密度需要执行两个步骤：
1、做静态计算
2.、将静态计算得出的CHGCAR文件，再加上（1）中的INCAR, KPOINTS, POSCAR和POTCAR一起作为输入文件。注意此时的INCAR中的ICHARG设为11。
增加DOS的平滑度可以增大NEDOS（约2000）来实现
你的问题是不是只做了第一步静态计算，然后利用静态计算的结果计算了态密度呢？ Originally posted by valenhou001 at
采用ISMEAR=-5时，需要将k-mesh增加的很大，出来的态密度才会光滑。
如果你想用适中的k-mesh，用ismear=0, SIGMA = 0.1~0.2也是可以接受的。这样弄出来的态密度，经过了Gussian展宽。
再要不然你用ISMEAR=- ... 侯老师可以多提示一点吗？
没弄过gaussian展宽的东西？
有没有资料？谢谢 Originally posted by valenhou001 at
采用ISMEAR=-5时，需要将k-mesh增加的很大，出来的态密度才会光滑。
如果你想用适中的k-mesh，用ismear=0, SIGMA = 0.1~0.2也是可以接受的。这样弄出来的态密度，经过了Gussian展宽。
再要不然你用ISMEAR=- ... 请问如果采用了ISMEAR=0 SIGMA = 0.1~0.2的话，在态密度图上看到的能隙大小还准确吗？态密度图上看能隙是不是直接看费米能级附近态密度为0的两个点横坐标之间的差值呢？ 一般不从态密度上看能隙值，因为展宽的原因会使得价带顶和导带底的位置变得不准了。一般从计算的能带结构图上来看。 Originally posted by valenhou001 at
一般不从态密度上看能隙值，因为展宽的原因会使得价带顶和导带底的位置变得不准了。一般从计算的能带结构图上来看。 侯老师有空指导一下怎么做gaussian展宽？还有就是怎么gaussian处理后对DOS有没有影响？ Originally posted by zzy870720z at
首先谢谢你的解释
能说更详细些吗？作图时有什么要注意的？
麻烦了，很急 展宽，是在你处理数据的脚本中来约定的，具体的细节你要看你的脚本，一般来说这个参数比约定SIGMA 对态密度的影响更大。如果展宽取得大一些的话，峰行不会那么尖锐，并且，态会相对弥散一些，我觉着这样才更符合实际。
另外，不要从态密度图获得带隙，应该从原始数据里找HOMO 和LUMO ,直接相减，就能获得相应的带隙。 下面的资料是从The FHIMD Toolkit User's Manual上拷贝下来的：
http://www.fhi-berlin.mpg.de/th/fhi98md/
见里面的公式3.2
1、先用vasp计算态密度，比如采用ISMEAR=-5，同时将NEDOS设置的大一些，默认值为301，将它调大，比如设置为1000左右；
2、得到了DOSCAR文件之后，取出total DOS. 可以简单的认为，在采用ISMEAR=-5时计算态密度，上面公式3.1中的F就是delta函数。
3、按上面公式3.1， 3.2，对计算出来的态密度做一个展宽，这个要自己编程：
公式3.1中的权重都为1.0了，不对k进行循环，只是对能量点的个数， 公式3.1里面|...|内含的量已经由vasp计算出来了的。 Originally posted by vasp001 at
展宽，是在你处理数据的脚本中来约定的，具体的细节你要看你的脚本，一般来说这个参数比约定SIGMA 对态密度的影响更大。如果展宽取得大一些的话，峰行不会那么尖锐，并且，态会相对弥散一些，我觉着这样才更符 ... 展宽不就是SIGMA吗?在INCAR中不是已经给出来了?为什么会有""在处理数据的脚本中来约定"这一说呢?
搜索到下面这一段话:"当体系的电子结构在Fermi 能级附近出现多个简并能级时，体系的自洽过程会相当慢，甚至不能收敛。这是由于能级简并，或能级之间相差不大，导致电子“不知道”应该在哪里分布，从而不断地在几个能级之间“跳来跳去”，但无论电子分布在哪个前线能级上整个体系都不能自洽。
所谓拖尾，是指在前线轨道上，电子可以以分数分布，而不再要求一定要以整数分布，从而使电子可以一分为多地分布在能量相近的各个前线轨道，而不需要在各轨道之间“跳来跳去”，使体系更容易自洽。使用该办法时要对拖尾效应设定一个能量值，使电子在能量相差在该值之内的轨道进行分数分布。设定值越小，计算结果越精确，但亦更难自洽。（也叫展宽）" Originally posted by cenwanglai at
展宽不就是SIGMA吗?在INCAR中不是已经给出来了?为什么会有""在处理数据的脚本中来约定"这一说呢?
搜索到下面这一段话:"当体系的电子结构在Fermi 能级附近出现多个简并能级时，体系的 ... 真正作图时，还有一个展宽，来限制的，我用过处理态密度的两个脚本，都是有展宽的。不信你可以看一下你处理的脚本。 Originally posted by vasp001 at
真正作图时，还有一个展宽，来限制的，我用过处理态密度的两个脚本，都是有展宽的。不信你可以看一下你处理的脚本。 请问一下，要计算单个分子的态密度（在10埃的立方盒子中），非自洽计算时K点怎么设呢，也是要设好大吗？还有就是对于Slab模型，非自洽计算Z方向是不是为1就可以呢？先谢谢了。 K点有经验取法&&number of KPOINTS =40/a or 40/b ,40/c ,
我感觉你问的是非周期方向的K 点如何设，应该设为1 ，原因见FT. 你好，想请问下，关于不要从态密度图获得带隙，应该从原始数据里找HOMO 和LUMO ,直接相减，就能获得相应的带隙，是不是指GAMM点的LOMO和LUMO呢？谢谢Originally posted by vasp001 at
展宽，是在你处理数据的脚本中来约定的，具体的细节你要看你的脚本，一般来说这个参数比约定SIGMA 对态密度的影响更大。如果展宽取得大一些的话，峰行不会那么尖锐，并且，态会相对弥散一些，我觉着这样才更符 ...
Originally posted by 含草 at
你好，想请问下，关于不要从态密度图获得带隙，应该从原始数据里找HOMO 和LUMO ,直接相减，就能获得相应的带隙，是不是指GAMM点的LOMO和LUMO呢？谢谢
不一定，因为，直接带隙半导体，HOMO 和LUMO 经常在GAMMA 点，而间接带隙半导体，不是这样，一般是有一个，或者两个都不在GAMMA 点，这是由体系性质决定的。 Originally posted by vasp001 at
K点有经验取法&&number of KPOINTS =40/a or 40/b ,40/c ,
我感觉你问的是非周期方向的K 点如何设，应该设为1 ，原因见FT. 谢谢你的回答！
& &还请问一下，为什么计算态密度时，第二步非自洽计算K点要选得多一点呢？能不能推荐点东西给我看看。
&&我对单个平面分子（10埃立方晶胞）第一我用的K点是2*2*1，计算态密度时非自洽用的K点还是2*2*1，不知道这样算出来好不好？
&&先谢谢了，还请指点！！&& 查看话题
【求助】MS计算费米能级位置的疑问
有没有人计算过费米能级的位置呢？尽管费米能级被软件移动到价带顶，0ev处。根据计算结果文件，可还原能带的原始位置，然后把费米能级位置也填充进去。
我计算了软件自带的材料发现费米能级位置居然不在带隙正中间，或者偏向导带或者偏向价带。
费米能级不在带隙中间很正常的，有时还会进入导价或价带中。 Originally posted by lbambool at
费米能级不在带隙中间很正常的，有时还会进入导价或价带中。 这是什么原因呢，按照我所想的，费米能级应该在带隙正中，记得以前学半导体物理时，掺杂才会导致费米能级从正中移向导带或价带 同问，如何根据MS结果确定费米能级的真实位置，并且求出氧化还原电势？ 从费米能级和导带的相对位置判断一些性质，如：费米能级移入导带，使整体的导电性能增强 Originally posted by dgcrcat at
从费米能级和导带的相对位置判断一些性质，如：费米能级移入导带，使整体的导电性能增强 可是费米能级不是被软件移动到了0ev处，也就是价带顶。也就是说，从图上看到的费米能级就是0ev，被固定了的。 Originally posted by astrolia at
可是费米能级不是被软件移动到了0ev处，也就是价带顶。也就是说，从图上看到的费米能级就是0ev，被固定了的。 嗯，我觉得是这样的，是导带和价带在相对费米能级移动，也可以看成是导带价带不动，费米能级移动，我看到文献上，费米能级都在0处 计算得到的费米能级都是处于绝对零度的基态下的，所以纯半导体或绝缘体应该在价带顶，而不是像通常实验得到的室温下的在禁带中央
不知道ms有没有功能算激发态室温下的费米能级。。。。 费米能级到底在那啊？怎么根据MS找出来啊， Originally posted by dgcrcat at
从费米能级和导带的相对位置判断一些性质，如：费米能级移入导带，使整体的导电性能增强 怎么确定移入没有？怎么确定费米能级位置啊， Originally posted by bashen1 at
计算得到的费米能级都是处于绝对零度的基态下的，所以纯半导体或绝缘体应该在价带顶，而不是像通常实验得到的室温下的在禁带中央
不知道ms有没有功能算激发态室温下的费米能级。。。。 可是计算的纯材料的费米能级也不完全在价带顶的位置……或者我们分析时，不管费米能级具体位置，只看它的相对变化？？？ Originally posted by bashen1 at
计算得到的费米能级都是处于绝对零度的基态下的，所以纯半导体或绝缘体应该在价带顶，而不是像通常实验得到的室温下的在禁带中央
不知道ms有没有功能算激发态室温下的费米能级。。。。 如果计算理想晶体的费米能级靠近导带底，而加入杂质或者缺陷后，费米能级的位置很靠近价带顶，是否可以说明一些情况？感觉MS 软件搞得我很不确定费米能级在分析问题时的可靠性。谢谢指教！ Originally posted by astrolia at
如果计算理想晶体的费米能级靠近导带底，而加入杂质或者缺陷后，费米能级的位置很靠近价带顶，是否可以说明一些情况？感觉MS 软件搞得我很不确定费米能级在分析问题时的可靠性。谢谢指教！ 是啊，有时对可靠性是很无奈，但是简单体系还是比较稳定的，基本不受计算参数影响 费米能级最先来源于金属。也就是正常的定义，最高填充的能级。但半导体中的费米能级是改进了的说法，你可以看一看黄昆先生的半导体物理，在半导体中的费米能级是同时来表征两种载流子的填充水平量，所以在本征时放于带隙中间。 Originally posted by limaojlu at
费米能级最先来源于金属。也就是正常的定义，最高填充的能级。但半导体中的费米能级是改进了的说法，你可以看一看黄昆先生的半导体物理，在半导体中的费米能级是同时来表征两种载流子的填充水平量，所以在本征时放 ... 嗯，但是MS算出的不在中间，我不知道该怎么去看待MS计算半导体时费米能级的高低变化 MS 就是最高的填充态啊。和真正的半导体费米能级不一样 据说MS5.0以后的版本计算费米能级和4.4完全不同，可以试一下4.4的版本是什么结果，5.5计算很多半导体的费米能级都进入了价带，4.4中是在禁带中的。 Originally posted by lbambool at
据说MS5.0以后的版本计算费米能级和4.4完全不同，可以试一下4.4的版本是什么结果，5.5计算很多半导体的费米能级都进入了价带，4.4中是在禁带中的。 十分谢谢提示！ 上传我的文档
 下载
 收藏
该文档贡献者很忙，什么也没留下。
 下载此文档
正在努力加载中...
_型烧绿石结构氧化物超导体AOs_2O_6_省略__Rb_Cs_电子能带结构的第
下载积分：1000
内容提示：_型烧绿石结构氧化物超导体AOs_2O_6_省略__Rb_Cs_电子能带结构的第
文档格式：PDF|
浏览次数：0|
上传日期： 22:08:03|
文档星级：
该用户还上传了这些文档
_型烧绿石结构氧化物超导体AOs_2O_6_省略__Rb_Cs_电子
官方公共微信}