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化工常用材料
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你可能喜欢（2005o白山一模）新型无机材料碳化钛（TiC）、碳化硼（B4C）、氮化硅（Si3N4）等称为非氧化物陶瓷，合成这些物质需在高温条件下进行，在合成工艺中必须注意（　　）A．通入足量的氧气B．有无氧气无影响C．可在氮气气氛中合成D．通入少量氧气
由题给信息“在高温下进行”，C、Si等在高温下可与氧气反应生成氧化物而导致不能生成碳化钛（TiC）、碳化硼（B4C3）、氮化硅（Si3N4）这些物质，因而合成这些物质时应避免接触氧气，应在保护气中进行反应．故选B．
为您推荐：
根据反应条件和碳、硅的性质分析判断，碳、硅都易和氧气反应．
本题考点：
无机非金属材料．
考点点评：
本题考查了元素化合物的性质，难度不大，注意基础知识的积累．
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无机材料物理化学-扩散2
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无机材料物理化学习题及解答.doc38页
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无机材料物理化学习题及解答
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晶体结构缺陷习题与解答
1.1 名词解释（a）弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷；（b）刃型位错和螺型位错
解：（a）当晶体热振动时，一些能量足够大的原子离开平衡位置而挤到晶格点的间隙中，形成间隙原子，而原来位置上形成空位，这种缺陷称为弗伦克尔缺陷。如果正常格点上原子，热起伏后获得能量离开平衡位置，跃迁到晶体的表面，在原正常格点上留下空位，这种缺陷称为肖特基缺陷。（b）滑移方向与位错线垂直的位错称为刃型位错。位错线与滑移方向相互平行的位错称为螺型位错。
1.2试述晶体结构中点缺陷的类型。以通用的表示法写出晶体中各种点缺陷的表示符号。试举例写出CaCl2中Ca2+置换KCl中K+或进入到KCl间隙中去的两种点缺陷反应表示式。 解：晶体结构中的点缺陷类型共分：间隙原子、空位和杂质原子等三种。在MX晶体中，间隙原子的表示符号为MI或XI；空位缺陷的表示符号为：VM或VX。如果进入MX晶体的杂质原子是A，则其表示符号可写成：AM或AX（取代式）以及Ai（间隙式）。
当CaCl2中Ca2+置换KCl中K+而出现点缺陷，其缺陷反应式如下：
CaCl2++2ClCl
CaCl2中Ca2+进入到KCl间隙中而形成点缺陷的反应式为：
CaCl2+2 +2ClCl
1.3在缺陷反应方程式中，所谓位置平衡、电中性、质量平衡是指什么？ 解：位置平衡是指在化合物MaXb中，M格点数与X格点数保持正确的比例关系，即M：X a：b。电中性是指在方程式两边应具有相同的有效电荷。质量平衡是指方程式两边应保持物质质量的守恒。
1.4（a）在MgO晶体中，肖特基缺陷的生成能为6ev，计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度。 （b）如果MgO晶体中，含有百万分之一mol的Al2O3杂质，则在1600℃时，MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势？说明原因。
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人教版【化学】必修一第4章非金属及化合物第1节 无机非金属材料的主角――硅课件82ppt
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