InGaAsP/InP外延薄膜折射率与厚度测量--《半导体学报》1993年07期
InGaAsP/InP外延薄膜折射率与厚度测量
【摘要】：本文报道一种应用波导耦合光栅测量InGaAsP/InP外延薄膜折射率与厚度的方法。该法测量精度高,具有非破坏性与工艺实时性优点。外延薄膜折射率与厚度测量精度分别可达到±2×10~(-3)与±1×10~(-2)μm,这完全满足DFB与DBR等一类半导体激光器以及有源导波光学器件的设计需要。
【作者单位】：
【关键词】：
【正文快照】：
一、引百 在半导体激光器以及其它有源导波光学器件的研究中常常需要很好掌握有源层以及波导层参数:折射率与厚度情况.这些参数直接影响着激光器发射波长与模谱特性,特别是在DBR与DFB半导体激光器中,模折射率0.01误差即会引起Bragg波长约50人的变化.对于InGaAsP/InP四元系的
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