5月1日 (星期日)
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20纳米级的NAND闪存批量生产
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三星电子为了快速应对NAND闪存的记忆容量需求的增加, 决定中国设立半导体生产线。
如果设立工厂成功的话，有望成为中国国内的第一个NAND闪存的生产工厂。
三星电子有关负责人表示:“为了海外生产线的设立,已向提知识经济部交了申请书。”他还在6日表示:“计划生产20纳米级以下的NAND闪存产品。”
半导体业界对于三星电子将在中国建设20纳米以下尖端生产线百倍警惕。三星电子解释说智能手机、平板电脑等移动通讯工具的迅速蔓延使得对NAND闪存的需求剧增,而（在中国建设20纳米以下的尖端生产线）正是为了应对此种需求。”
特别是这次中国半导体生产线的成立，是对中国在世界内存半导体市场上的重要性逐渐被考虑这一点的积极应对战略。 在中国，利用NAND闪存的IT机器生产比重会继续增加的情况下,通过当地生产也是为了提高市场应对能力。
文神学知识经济部半导体显示器科科长表示:“三星电子的NAND闪存开发,政府研究开发(R&D)没有投入资金。因此,此次没有批准在中国办工厂,而只是申告事项。但是,最终决定取决于电器电子产业技术委员会的判断。”
三星电子在知识经济部申请设立的同时, 还计划和中国地方政府开始建设候选地的选定谈判。
如果政府的批准程序以及和中国之间的协商圆满进行的话，2012年开始建设生产线,而到2013年开始进入启动。
三星电子存储器项目部全东修（音译）总经理说:“将在最快的时日内投产以 应对全球IT企业内存需求的增加。”
nand闪存:和断电就会丧失数据的D随机存储器不同，（ nand闪存 ）是可以存储数据的非易失性存储器芯片。经常使用于智能手机，平板电脑，USB等 。
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三星预期记忆体市况吃紧，台DRAM厂看旺Q4
内存龙头三星电子预期，本季DRAM、NAND Flash在供给疑虑、需求带动下，市况可能双双吃紧。台DRAM厂以华亚科为首均看好第四季，模块厂也可望受惠第四季价格续扬。
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三星电子2013年第3季(7-9月)半导体部门合并营收年增11.7%、季增12.1%至9.74兆韩元；合并营益年增102%、季增17%至2.06兆韩元。三星指出，7-9月内存营收年增22%、季增12%至6.37兆韩元。
台系内存芯片厂华亚科、南科、华邦电第三季均持续获利，南科、华亚科认为在韩厂海力士火警刺激下，DRAM产品价格可望稳步走扬至明年第一季。
华邦电积极强化与一线客户的伙伴关系，加上在中低容量的利基型和移动应用产品布局完整，本季三大产品线均有正向动能，华邦电对于第四季业绩展望看法正面。
随着DRAM、NAND Flash市况吃紧，本季价格仍看升，对于威刚、创见等模块厂第四季旺季业绩亦有帮助。
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