脉冲激光沉积系统法的真空度对什么有影响

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沉积时间对脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜性能的影响
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脉冲激光沉积用于制备pt(pd)负载型金属催化剂及其选择性加氢性能的研究
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温度对脉冲激光沉积法制备β-FeSi2薄膜性能的影响
温度对脉冲激光沉积法制备β-FeSi2薄膜性能的影响
Effect of the growth temperature on the surface characterization of β-FeSi2 films prepared by pulsed laser deposition
发布时间:  浏览量:512  收藏数:0  评论数:
姜守振1,*,
许士才2,,
1、山东师范大学物理与电子科学学院,济南 250014;&&&&&&
2、College of Physics and Electronics of Shandong Normal University , Jinan, 250014 ;
采用脉冲激光沉积(PLD)法在硅(100)面上成功制备β-FeSi2薄膜。利用XRD、FTIR、SEM等对薄膜进行表征。结果表明,晶体结晶质量随着温度的升高而提升,在温度800℃时得到(331)方向的单晶β-FeSi2薄膜;在温度750℃-800℃时薄膜表面非常平滑。研究发现β-FeSi2薄膜晶体取向和光滑程度都与生长温度紧密相关。
低维无机非金属材料;PLD;生长温度;β-FeSi2
JIANG Shouzhen1,*,
XU Shicai2,,
MAN Baoyuan2,
1、College of Physics and Electronics of Shandong Normal University, JiNan 250014;&&&&&&
2、College of Physics and Electronics of Shandong Normal University , Jinan, 250014 ;
Abstract:
The β-FeSi2 films were successfully fabricated by pulse laser deposition on silicon (100) in a wide range of growth temperature. The crystalline structures of the films were measured by using X-ray diffraction (XRD) and Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR). It shows that crystalline quality of the films has improved with the increase of the growth temperature and the (331)-orientated monocrystal β-FeSi2 films are obtained at the growth temperature of 800 ℃. The surface properties of the films were characterized with scanning electron microscopy (SEM). The smooth surface of the films was acquired at 750 ℃-800 ℃. It is found that both the crystal orientation and surface morphology of the β-FeSi2 films were associated with growth temperature.
Keywords:
Pu β-FeSi2
PDF全文下载:
&&&&(155)
作者简介:
JIANG Shouzhen,(1977-),male,lecturer,preparation of films by PLD CVD.
通信联系人:
【收录情况】
中国科技论文在线:姜守振,许士才,满宝元.&温度对脉冲激光沉积法制备β-FeSi2薄膜性能的影响[EB/OL].北京:中国科技论文在线&
[].http://www./releasepaper/content/.
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脉冲激光沉积类金刚石薄膜过程中工艺参数对薄膜质量影响的的研究.pdf77页
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脉冲激光沉积类金刚石薄膜过程中工艺参数 对薄膜质量影响的研究+ 摘要 研究目的是寻找脉冲激光沉积法制备类金刚石薄膜过程中工艺参数对类金
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