苹果6 4g 不能上网ssd卡不能用怎么办

怎么把苹果Mac Pro升级到1TBSSD固态硬盘和64GB内存?
作者:佚名
字体:[ ] 来源:互联网 时间:10-19 15:45:13
怎么把苹果Mac Pro升级到1TBSSD固态硬盘和64GB内存?Mac Pro原装配置是3.5GHz 六核的Xeon CPU+双AMD FirePro D700 6G显卡,但是对于有些人来说,配置还不算高,该怎么升级呢?下面我们一起来看看详细的图文教程
苹果Mac Pro升级1TBSSD固态硬盘和64GB内存。Mac Pro自定义配置3.5GHz 六核的Xeon CPU+双AMD FirePro D700 6G显卡,Mac pro 上只有显卡不能换(理论上可以换的), 其他cpu, ram, ssd都可以
1、Mac Pro官网自定义配置3.5GHz 六核的Xeon CPU+双AMD FirePro D700 6G显卡
2、4条16G ECC 1866内存(Registered 的内存条和non-Registered 的内存条不可以混用否者不能正常开机)
3、1T PCIe SSD,我再在ebay上买了一个ssd.256实在不够用。因为我Thunderbolt原机备份有大概500多m,我就看准了一个从2015年款macbook pro上面拔出来的ssd, 因为它读写速度可以达到2Gb/s. 装在mac pro 上也有个接近1.5gb/s的速度.&&一般ssd最多也就500mb/s左右,&&像我以前那个三星840 evo就到了540mb/s.
4、拆下原装的256Gssd和内存,图下面那个是原装256g的ssd。
5、装上要升级的1TB固态硬盘和64内存条
6、装好外壳,连上显示器,用 Thunderbolt 恢复已经备份好的资料
7、然后就用了black magic测ssd的读写速度
8、查看装好后的主机配置
9、安装完毕
注意事项:Registered 的内存条和non-Registered 的内存条不可以混用。
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最近更新的内容已经升级到旗舰版,感觉还是卡,需要加内存和ssd吗
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就你的问题我的如下:1、同一操作系统,家庭基本版对硬件的要求相对最低,而旗舰相对最高,如果你运行家庭基本都比较卡的话,升级到旗舰版会更卡。2、你的电脑配置不算低,运行WIN 7应该是很流畅的,卡顿的主要原因应该是你的软件环境的问题,你可以用360卫士之类的安全辅助软件,对电脑进行清理、修复、优化,并整理一下磁盘碎片,这样处理之后,系统运行会流畅很多。3、固态硬盘由于其读写速度要比机械硬盘快很多,因此开机以及各种软件载入都很快,运行会非常流畅,如果资金允许,将机械硬盘换成固态硬盘是值得的。
追问:新电脑,商家自带的高级版系统,朋友说旗舰版好点就升级了,任务管理器中系统占内存很大,是否需要重装系统呢,360小球时常显示到百分之九十以上,开机时间也会一分钟左右,
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& >&TLC是什么?iPhone 6 Plus死机门分析
TLC是个什么货?iPhone 6 Plus死机门分析天极网手机频道 14:26
  用过吧?用过吧?用过吧?SSD听说过吧?这些设备用都需要存储或多或少的数据。有的手机传输数据速度快,有的手机数据传输速度慢,有的手机甚至会不定时的出现一些损坏文件,当然最近iPhone还爆出死机门,要想知道这些现象出现的原因,我们先得聊聊这个东西――NAND Flash。
NAND Flash
  NAND Flash从被发明到现在过去了至少20年了,20年来NAND Flash的类型也有了很多,知名NAND Flash的厂家并不多,差不多就这几家:、美光、、HYNIX、(嗯,我就知道这几家了……)。NAND Flash存数据的原理先不谈,你得知道一点,它也是通过物理方法保存数据的,既然是用物理方法就必须得有损耗。
  想一下:你在石头上刻字,然后想再在石头上刻新的东西,是不是先要把刻的字磨掉?简单来说,NAND Flash有着相似的原理,所以NAND Flash的寿命是有限的,写入超过一定次数后就会报废,目前普通人能看到的NAND Flash类型基本就两种:MLC和TLC,至于哪个多我不知道了,应该还是MLC多一点,不过TLC以后或许会迎头赶上。NAND Flash的类型是不止两种的,还有SLC和QLC。
石头刻字……
  从使用寿命上看,SLC〉MLC〉TLC〉QLC。
  从传输速度上看,SLC〉MLC〉TLC〉QLC。
  从数据保存时间方面看,SLC〉MLC〉TLC〉QLC。
  从成本上看,SLC〉MLC〉TLC〉QLC,这东西,一分钱一分货,就不用笔者再说哪个更好了吧。
  通俗的说完了,我们看看更加官方的说法(可以直接跳过的部分):
――――――――――――――――――专业人士分割线――――――――――――――――――――
  SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,即利用正、负两种电荷,一个浮动栅存储1个bit的信息,其结构简单但是执行效率高,最大的特点就是速度快寿命长,价格超贵(约MLC倍以上的价格),约10万次擦写寿命。其在企业级SSD上比较常见,例如经典的Intel X25-系列,此外在一些高端的U盘上也有使用。
  MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,一个浮动栅存储个bit的信息,其有00,01,10,11四个充电值,因此要比SLC需要更多的访问时间。其最大特点就是速度一般寿命一般,价格一般,约---10000次擦写寿命。如今大多数的消费级SSD都是使用的MLC。
  TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,一个浮动栅存储3个bit的信息,每个单元可以存放比MLC多1/2的数据,共八个充电值,也有Flash厂家叫8LC,最大特点就是速度慢寿命短,价格便宜,约500次擦写寿命,目前还没有厂家能做到次,通常用在U盘或者这类移动存储设备上。
  目前,QLC = Quad-Level Cell架构以及出现,即4bit/cell,支持16充电值,速度最慢寿命最短,目前中技术上在研发阶段,但是intel、三星电子等厂商都已经取得了不错的进展。但在SSD中目前仍不现实 。
――――――――――――――――让我们继续通俗下去吧―――――――――――――――――――
  不知道已经购买 64GB/128GB的壕们,你最近有没有觉得手机会突然卡顿甚至死机呢?业内分析认为可能与设备采用的TLC NAND存储器控制IC的缺陷有关。虽然苹果并没有大举措回应,但实际情况似乎确实存在。日前有报道称,除了顶配版 iPhone Plus 之外, 64GB 版本机型其实也有部分批次采用了 TLC 闪存。
水果 6 plus
  那么TLC真的就这么渣?现在的SSD大多数是MLC的,然而奇葩的三星840 EVO SSD用的就是TLC芯片,而且表现还不算烂,但是这主要归功于三星,不是说TLC本身媲美MLC。
  SSD当作使用,所以可以给SSD配个DRAM的缓存,然后配个好一点的主控,主控就是负责对NAND Flash进行控制的东西,系统并不是直接对NAND Flash进行控制,而是通过主控,然后主控可以做点手脚啊,SSD嘛,空间那么大,对应的NAND Flash的cell也就多了,那么每个cell可以做一下负载均衡啊,今天写了这个cell,那么明天写另一个cell,这样的话寿命就可以有效延长了。
三星840 EVO
  笔者还是很看好TLC的发展前景的,首先就是因为其价位更加低廉,易于扩大市场、形成普及;再者TLC工艺也是很先进的,低成本产品的研发毕竟更为简单;除了写入速度以外,TLC读取、4K写入均与MLS相差不多。
  既然这样,为什么在使用了TLC闪存之后会有这么大的不良反映呢?是不是因为有钱任性?因为iPhone不是SSD啊!
  苹果为了保证手机存储的使用寿命(500-1000次),iPhone 6 Plus减少写入NAND Flash次数而使用了RAM来缓冲数据,MLC版就不需要这么做。由于使用了大量RAM来做缓冲,原本只有1GB RAM的爱疯的就更加不够用,所以就会出现程序崩溃的现象,程序崩溃又可能导致数据损坏。
  也就是因为这么简单的原因,让苹果神坛崩溃啊,用iPhone 6 plus的同学,祝你们幸福哈~
1分页导航1.TLC到底是什么?2.
(作者:唐浩责任编辑:唐浩)
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