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IC设计（29）
1.1 EETOP版主面试问题
Why power stripes routed in the top metal layers?
为什么电源走线选用最上面的金属层？
因为顶层金属通常比较厚，可以通过较大的电流
1.高层更适合globalrouting.低层使用率比较高，用来做power的话会占用一些有用的资源，
比如std cell 通常是m1 Pin 。
2. EM能力不一样，一般顶层是低层的2~3倍。更适合电源布线。
3.一般ip占用的层次都靠近下几层，如果上层没有被禁止routing的话，top layer 可以穿越，低层是不可能的，并且高层对下层的noise影响也小很多。
Why do you use alternate routing approach HVH/VHV(Horizontal-Vertical-Horizontal/ Vertical-Horizontal-Vertical)?
为什么要使用横竖交替的走线方式？ （感觉这个问题比较弱智，但是号称是intel的面试问题，晕！我憧憬和向往的圣地啊！！！）
为了节省布线资源---主要原因
横竖的两根线之间的耦合系数最小，信号干扰小
How to fix x-talk violation？
如何解决线间干扰？
1）upsize victim net driver, downsize aggressor net driver
2）increase wire space, shielding, change layer，change wire width
3）insert butter in victim net
能答出以上3条的，在工作中已经基本够用，但是还有两个不常用到的，是AMD的一个大牛告诉我的。
4）把与victim net相连的输入端改成Hi-Vth的单元
5）改变信号的timing window。这个不易做到，但是也是解决方法
What are several factors to improvepropagation delay of standard cell?
哪些因素可以影响标准单元的延迟？
2）input transition， output load
What would you do in order to not usecertain cells from the library?
如何禁止使用库里面的某些单元？
禁用就用set_dont_use禁止修改就用set_dont_touch
During the synthesis, what type of wireload model are often used?
做RTL综合时，经常使用的wire load model有哪几种？
1）zero wire load model
2）基于fanout的传统 WLM
3）基于物理位置（距离）的wire load model，在Cadence的RC中叫PLE，Synopsys叫DC Ultra Topographical
附加问题：
What types of delay model are used in digital design? (数字IC设计中有多少种类型的delaymodel)
还有一个现在基本不用了的—LDM
How delays are characterized using WLM(Wire Load Model)?
使用一般的WLM （不是zero WLM，也不是按照物理位置算的DCT），DC是如何计算delay的？
DC在计算延时的时候，net的rc就要根据所选取的wrie load model来计算，
计算时和输出的fanout决定
以smic13的smic13_wl10为例
wire_load(&smic13_wl10&) {
resistance : 8.5e-8;
capacitance : 1.5e-4;
area : 0.7;
slope : 66.667;
fanout_length (1,66.667);
根据fanout值，由fanout(1,66.667)可以得出互连线长度为66.667，然后根据resistance和capacitance计算出互连线电容为1.5e-4*66.667，互连线电阻为8.5e-8*66.667
，当然如果扇出值表中没有，就会用到slope，例如扇出为3时，此时估算的互连线长度为1*66.667+（3-1）*slope，再计算出RC值，然后DC由此计算net的延时。
There are source clock clka(create_clock), and generated clock clkb by clka.
In pre-CTS netlist, there is network latency in clka, how this latencypropagates to clkb?
In post-CTS netlist, What you need to do for this network latency?
假设有两个时钟，原始为clka，生成的时钟为clkb，
在没有时钟树的网表中，clka的network latency会自动传递到clkb上吗？clkb的latency如何描述？
在生成时钟树的网表中，如何处理network latency? clkb的latency又如何描述？
在pre-CTS时，clka的network latency会自动传到clkb上
在post-CTS时，可以把network latency去掉，通过set_propagated_clock命令，让工具根据clocktree去计算实际的clock network latency
There are source clock clka (create_clock),and generated clock clkb by clka. how do you specify them in CTS spec file?Assume there is real timing path between clka and clkb.
clkb是clka的生成时钟，在CTS的spec文件中如何定义这两个时钟？假设clka和clkb之间的FF有时序收敛的要求。
在CTS的spec文件中定义 clka 是 root，clkb 为 throughpin，再加上那些应该有的skew，transition，insertion delay等就好了，其它的事CTS会给你做
assume in pre-CTS SDC, clock uncertaintyfor setup contains pll jitter + clock tree skew. How do you set clockuncertainty for hold, and how to modify it to post-CTS sdc?
假设在pre-CTS的时序约束中，setup的clock uncertainty是由PLL jitter和clock tree skew两部分组成，那么
1）pre-CTS的时序约束中，hold的clock uncertainty是什么？
2）post-CTS的时序约束中，setup和hold的clock uncertainty要做什么样的修改？
1） pre-CTS，
setup的clock uncertainty = PLL jitter + clock tree skew
hold的clock uncertainty = clock tree skew
2） post-CTS，
setup的clock uncertainty = PLL jitter
hold的clock uncertainty = 0
What are various techniques to resolverouting congestion?
请详细解释解决走线阻塞的问题
1） routing congestion发生在后端，前端一般不太考虑这个问题，需要后端自己去想办法解决，但是解决的办法不只在后端，也有一些方法需要前端的配合
2） 阻塞有多种情形，要分别讨论，没有一个统一的解决办法。能够把大部分的阻塞情况列举出来，就已经够4级的水平啦
1）阻塞在RAM（macro）之间：可能RAM之间的距离没有计算正确，可以加大RAM之间的间距；扭转RAM的方向，使得RAM的IOpin朝向更容易走线的那边；如果是多个RAM共用地址或者数据线，尽量把RAM的地址数据pin对齐
2）阻塞出现在RAM和帮助单元交界的地方：在RAM周围加一条halo（keepout）；把RAM放在四周，尽量把中间留下的空间变成方形；在有阻塞的地方加一些由小的placementblockage组成的矩阵
3）阻塞出现在标准单元的某一块：也可以加一些由小的placement blockage组成的矩阵；module/instancepadding；利用placement guide减少那块地方的标准单元个数；scan chainreordering也会改善一些阻塞；定义density上限；使用congestion driven的placement，并且要求place之后做congestion优化；在综合是禁止使用那些pin太多太密集的标准单元(多半是那些复杂的组合逻辑单元)；请前端使用RAM代替触发器矩阵；请前端修改算法
4）应该尽量减少power route占有的资源，谨慎选择power mesh使用的金属层，VIA的大小等。在detailroute完成之后，你如果已经试了各种解决signal congestion的方法，还有少量DRC无法解决时，可以考虑切掉部分power mesh
How do you get better skew/insertiondelays in CTS (Clock Tree Synthesis)?
如何得到更好的时钟树skew和insertion delay
clock mesh 是一种方法。
如果是用普通的CTS的方法，可以从下面几个方面着手。不太可能一次就把CTS做得很好，要反复调试各种参数，达到最佳效果。
1）合理的clock root和through pin。这个看似CTS会从SDC自动抓出来，但是并不一定是最好的，特别是多个clock相互有重叠的leafpin时，要特别注意
2）不要用太大或者太小的clock buf/inv
3）选用RC最小的金属层。如果上面RC最小的金属层已经被占用，比如RC最小的top，top-1已经不够clocknet时，而top-2到layer2都是一样的RC时，可以选用layer3/4。为什么不用更高层哪？因为这样既照顾了layer2/1的pin，有不用太多的via到更高层
4）如果用double width clock wire，可以适当增大clock buf/inv的size
5）合理的max fanout。有时clock buf/inv的fanout可以超过max_fanout的限制
6）不要把skew设得太小
7）min_insertion_delay = 0ns
8）合理的transition time,不要太小
9）使用postCTS的CTS opt
10）做clock tree时，就直接把clock net走线完成
If giving total standard cell gate count,all memory macro list including memory type, bit width and depth, all othermacro with real size, and IO type and total number. How do you estimate the diesize?
如果告诉你标准单元的门数，所有内存的类型和逻辑大小，其他IP的实际大小，以及IO cell的种类和数量，你如何估算整个芯片的面积？
IO neck 和 core neck 一般称作 IO limited 和 core limited，
IO limited ：这个芯片的面积是因为IO个数限制（太多），而不得不做得那么大。core部分其实用不了那么大。这时面积计算就简化为每边IO个数的计算了。
Core limited：芯片面积是有core部分的决定的，IO没有那么多
在Core limited情况下，die size的估算如下：
芯片面积 = core面积+ power ring面积 +PAD ring面积
core面积 = RAM面积 + 其他macro面积 + 标准单元面积
RAM面积 = RAM 自身的面积 + RAM power ring面积 + keepout面积 + mbist面积
RAM自身的面积可以通过memory compiler或者查datasheet得到，
有些RAM 可以不要power ring。如果要的话，按照power mesh的宽度 x RAM的长宽 x 2 = 面积
keepout + mbist 的面积一般是RAM自身面积的10%
其他macro的面积，比如PLL，ADC，DAC等，直接把面积加起来，再留3～5%的keepout面积就好了
标准单元的面积=（预估的gate count x 每个gate的面积）/ utilization
utilization与使用的金属层数和设计的用途有关，简单地计算方法是
5层metal：50%
6层metal：60%
7层metal：70%
8层metal：80%
以上不包括power专用的金属层
如果设计是多媒体芯片，一般可以增加3～5% utilizaion，如果是网络芯片，则要减少3～5%
what is pros and cons of using buffer andinvters in CTS?
CTS中使用buffer和inverter的优缺点是什么？
优点：逻辑简单，便于post-CTS对时钟树的修改
缺点：面积大，功耗大，insertion delay大
优点：面积小，功耗小，insertion delay小，对时钟duty cycle有利
缺点：不易做时钟树的修改
If giving two physical dies as below, andask you select one of them. How do you pick it up? explain the reason please.
（1） width = 2 x height
(2) height = 2 x width
如果从下面的两个芯片中选一个给你做后端设计，你选哪个？请说明选择的理由？
（1） 宽 = 2倍的长
（2） 长 = 2倍的宽
去除不太好用的layer（比如metal1）和power专用layer（比如RDL）后，比较剩下的layer可以提供的H和V的routingresource，如果H的多，就选宽的，反之，就选高的。
if the design is IO limited, how to reducethe die size?
因为IO太多而导致芯片面积过大，有什么方法减小面积？
1）stagger IO，2重io 可以算一个方法
2）IO可以不全放到四边，只要封装没问题就行啦 -- flip chip 算第二个方法
3）如果有多套IOcell可以选择，尽量选瘦的
4）调整芯片的长宽比
giving the schematic and delay inattached picture, calculate the WC setup slack at D pin of F2, and BC holdslack at D pin of F4
如图所示电路，时钟和延迟，计算到F2输入端D的setup slack，到F4输入端D的hold slack
F2输入端D的setup slack是(8+0.5-0.3)-(0.7+7.0)=0.5
F4输入端D的hold slack是(0.2+0.2)-(0.2+0.2+0.1)=-0.1
using the same logic as question #17,considering OCV on clock path only, which clock buffer will be used for OCVderating calculation and which clock buffer will not (a.k.a. CPPR)?
如果考虑clockpath的OCV,在第17题的电路里面，哪几个时钟BUF要被用来计算OCV的derating，哪几个不用（又叫CPPR）？暂不考虑X-talk产生的incrementaldelay
C1 C2不用算入derating(应该是也计算过,但是会通过CRPR弥补),C3,C4,C5 要计算derating
以下是几个概念的通俗解释。
OCV：因为制造工艺的限制，同一芯片上不同位置的单元会有一点差异，这就是OCV。现在还有LOCV和AOCV，暂且不提。
derating：是计算OCV的一种简单方法，在某个单一条件下，比如WC或者BC，把指定path的延迟放大或者缩小一点，这个比率就是derating。注意，这里要强调的是某个单一条件，要么是WC,要么是BC，不能把WC和BC混在一起，再OCV，因为那样太悲观，实际上是很难发生的。
除了derating以外，在使用incremental SDF的时候，也会对OCV发生作用。这是明天的问题，比较有难度。
CPPR：一条path的start flop和endflop的时钟路径，有时会有一部分是重合的，重合的部分不应该算OCV（注意，这里假设没有使用incremental SDF），这就叫CPPR。
continue from question #18. Because thereis CPPR, the OCV derating on clock path C1 and C2 are canceled. Now givingincremental delay caused by x-talk at net between C1 and C2. Please use thederating to calculate the difference of
clock path delay from C1 to C2(including the net between them) for WC setup and BC hold.
接上面#18的问题继续讨论，因为有CPPR，在C1到C2那段clockpath上面的OCV被抵消掉了。现在我们增加一个由x-talk引起的incremental延迟在C1到C2的那段net上，具体数字见图。
对于C1到C2那段clock path，
在计算WC setup时，因为OCV引起的路径延迟的差是多少？
在计算BC hold时，因为OCV引起的路径延迟的差是多少？
问题是那段clock path因为OCV引起的path delay的差，不是问path delay的绝对值
难度5的问题不是盖的吧，
好，改为选择题，
C1到C2一段的OCV延迟的差，
1）在计算WC setup时，是
c) 0.00075
2）在计算BC hold时，是
现在从incremental SDF的格式说起，
（-0.01：：0.015）（-0.015：：0.01）
左边括弧里的是rising timing延迟，右边的是falling timing
括弧里面的一对数字表示在这个条件下（WC或者BC）延迟的最大和最小值
因为是incremental延迟，要和基本延迟结合使用，所以，会有负数出现。
再讲OCV的使用incremental SDF的方法，
OCV计算path delay时挑选最困难的情况，
在WC setup时，比如从F1到F2，
计算F1的clock path，就选incremental SDF里面的最大&#，
计算F2的clock path，就选最小&#2
因为有0.95 derating在-clock，-early上，所以F2的clock path要按比例缩小-0.01x0.95=-0.0095
所以C1到C2那段的OCV的差是0.015+0.5 (选项d)
在BC hold时，比如congF3到F4，因为2个FF在同一个时钟沿检测hold timing，
CPPR可以把incremental SDF的延迟也抵消掉，
所以C1到C2那段的OCV的差是0 （选项a）
计算setup时，CPPR不抵消incremental SDF
计算hold时，CPPR连incremental SDF都可以抵消掉
Explain ECO (Engineering Change Order)methodology.
说一下ECO的流程
ECO有两种，pre-mask ECO和post-mask ECO，它的分界线就是base layer tape out之前和之后。
pre-mask ECO的流程是
1）后端写出网表，给前端
2）前端修改这个网表 (一般不再做综合)，可以使用任何标准单元（只要不是dont_use），交给后端
3）后端读入ECO网表，和ECO之前的place和route
4）ECO place&route，STA， DRC/LVS
post-mask ECO流程，假设你不想动base layer
1）后端写出网表，给前端
2）前端修改这个网表 (一般不再做综合)，只能使用spare cell或者象gate array一样的ECO cell
3）后端读入ECO网表，和ECO之前的place和route
4）如果使用spare cell，不用ECO place；如果用ECO cell，要将ECO cell放在以前带gate array功能的fill cell的位置上，再按照指定的layer做ECOroute
What do you write in CTS spec file?
CTS spec 文件中一般包含哪些内容？
（以Cadence CTS spec file 格式为例）
AutoCTSRootPin pad
SinkMaxTran
BufMaxTran
NoGating NO/YES
DetailReport YES/NO
#SetDPinAsSync NO/YES
SetIoPinAsSync YES/NO
RouteClkNet YES/NO
PostOpt YES/NO
OptAddBuffer YES/NO
#RouteType specialRoute
#LeafRouteType regularRoute
ExcludedPin
leafpin leafport
hroughpin throughport
macromodel pin
22) congestion
If there are too many pins of thelogic cells in one place within core, what kind of issues would you face andhow will you resolve?
如果在core里面某一块有太多的标准单元的pin，有可能出现什么place&route的问题，如何解决？
1）禁止使用pin太多的cell
2）减小utilization，方法很多
3）看v h 可用资源，适当调整moudle 形状
If there are DRC （spacing，short）,hold and setup violations in the design, you don't have enough time to fix allof them before tape out, which one you will fix first, which one you can leaveit as is? Why?
如果设计中有DRC（特指spacing和short），hold和setup违反，tape out之前，你已经没有时间去修改所有这些违反，那么你首先修改哪个？哪个可以不管？请说明理由。
1) short, spacing
3) 如果没有时间，setup可以忽略
24)SDC-multicycle
how to set multicycle pathconstraint?
&如何设定multicycle path？
提示：在一般情况下，multicycle -setup 和 -hold要成对使用
clock domain：
fast-slow:set_multicycle_path num -setup-from clk1 -to clk2 -start
&&&&&&&&&&&&&&& set_multicycle_path num-1 -hold-from clk1 -to clk2 -start
slow-fast:set_multicycle_paht num-setup -from clk2 -to clk1 -end
&&&&&&&&&&&&&&& set_multicycle_path num-1 -hole-from clk2 -to clk1 -end
data path:
set_multicycle_path num -setup-from data1 -to data2
set_multicycle_path num-1 -hold-from data1 -to data2
延伸问题：
为什么-hold一般是-setup的n-1？如果只有-setup木有-hold会怎样？
hold 是对前后两个flipflop在相同时钟沿的检查.设了n-1就是返回n-1个周期做hold的检查，满足了两个flip flop在同一个时钟沿。如果没有-hold默认是检查n前一个有效时钟沿，如果n&=2，hold的检查就不是在同一个时钟效沿，对hold的要求就要多n-1个周期，那样太苛刻了，一般时序无法收敛
how are timing constraintsdeveloped, such as clock, generated clock, IO timing, exception? What backendteam contribute to it?
一个设计的时序约束是怎么写出来的？请大略说明时钟，IO delay，false path， multicyclepath是如何得到的？在完成时序约束的过程中，后端可以给予什么样的帮助？
clock和generated clock一般由设计spec决定。除非有些个别的local generated clock可以有前端工程师自己添加
IO timing与系统设计有关，应该参考/兼顾其他芯片的IO时序，由前端工程师作出
exception（false path， multicycle path）一般是由前端工程师在做设计时决定的
后端可以提供clock network delay/skew，DRV，以及帮助检查SDC是否合格
In regular backend flow with onlyone functional mode SDC, please explain timing closure methodology/issue/fixesin pre-CTS, post-CTS and post-Route stages.
在只有一个function SDC的普通后端流程中，对于pre-CTS, post-CTS 和 post-Route这三步，请分别讲述它们在时序收敛上的方法，一般会遇到的问题和解决方法。
pre-CTS时，使用ideal clock，只fix setup
post-CTS后，使用propagate clock，可以只fix setup，检查hold，但可以不fix hold
post-Route后，依然使用propagate clock，fix setup和hold
具体遇到的问题和解决方法：
pre-CTS: 如果有setup，重在调整floorplan，buffer tree结构
Post-CTS: 如果有setup，重在调整clock tree，buffer tree结构或者size
Post-Route: 如果有setup/hold，微调clock tree/buffer tree的size，routingchannel和图层，实在不行，回到CTS
preCTS和postCTs主要就是差个clock skew的问题
&还有build clock的方法，这个很重要，
很多inter-clock pathviolation都是由于没有balance好造成的
&所以你在postCTS后的timing有时候有很奇怪的结果，
postRoute主要是SI 影响，timing 会变差些，
&可以做postroute&opt来修复回来，减少下crosstalk的影响，
Continue from previous question, ifadding one more DFT timing constraint, how do you handle the multiple SDC?Using Encounter or ICC commands, please explain the detail what you do.
继续#26的问题，如果再给一个DFT时序约束，在后端流程中，你如何处理多个SDC？假设使用Encounter或者ICC，请详细介绍如何设置
简单地说就是使用MMMC。
在Encounter里面，要逐步定义，
create_library_set
create_op_cond
create_rc_corner
create_delay_corner
createPowerDomain
create_constraint_mode
create_analysis_view
set_default_view
set_timing_derate
对设计和SDC仔细分析后，也可以合并functionSDC和几个DFT SDC,这个属于难度5的做法
There are function SDC withmultiple clock domain and scan SDC with an individual scan clock. Assume thosefunctional clock are un-balanced, how do you balance the scan clock?
假设一个设计的function SDC中有多个时钟，在scan mode下，另有一个单独的scanclock，如果functional的各个时钟树之间是不平衡的，请问如何平衡那个scan时钟？
如果CTS支持multi-mode，直接使用即可。
如果不支持，或者MMCTS效果不理想，就是在CTS spec中，同时定义function 和 DFT 的时钟，然后在scanclock里面，把MUX设为leave pin，再让它们与function clok到MUX的延迟做动态平衡
There are function SDC, scan shift,scan capture, scan at-speed, mbist at-speed, and jtag SDC. Considering CPU runtime, you can't add all of them into MMMC. Then which SDC you will add in toMMMC setup, and hold?
在一个设计中有多个时序约束，象function，scan shift, scan capture, scan at-speed, mbistat-speed, 和 jtag SDC，为了减少运行时间，不能把它们都放入MMMC中，你选择哪些放入MMMC的setup中，哪些放入MMMC的hold中？
提示：选择的SDC要尽量的少，并且尽可能多地覆盖其他没有入选的SDC下的时序
这个要从每个SDC的特点着手，个人经验，与设计有关，不敢保证使用与所有设计。
1) scanshift：速度很慢，不用太担心setup，但是hold很重要，一旦hold有问题，所有与scan有关的测试全泡汤
2) scancapture：也是慢速，但是会有很多hold出来，特别是在不同的function时钟之间
3) scanat-speed：高速，解决了它的setup，其他DFT的setup基本上就连带着解决了
4) mbist at-speed：高速，但是涉及的逻辑不多
5) jtag：慢速，很容易与function SDC合并
所有结论是
MMMC setup：function + scan at-speed
MMMC Hold: function（+jtag） + scanshift + scan capture
Explain SDF and SPEF backannotation timing correlation issue， especially in different STA tools
请解释反标SDF和SPEF在时序分析时的差异,特别是用不同的STA工具检查timing时
使用SDF做时序分析，无论使用什么tools，其结果应该是一样的，没有差异
使用SPEF时，因为工具需要把SPEF换算成SDF，这时会产生差异。
所以建议使用一个你信得过的工具生成SDF，然后大家都使用这个SDF做STA和仿真
There are 4 power supplies in thedesign. VDD1/2/3 are different voltage. VDD1 is always on, but VDD2 and VDD3can be turn off and on. VDD2 to block B and block C don't switch at same time.Please fill in the blank which net needs
to be added level shifter and/orisolation cell. If you think Level shifter/isolation cell should be added innetAB at B side, then write B; if you think it's not necessary, write X.
如图，一个设计中有4个电源，VDD1/2/3的电压各不相同，VDD1总是开着，其他会有开和关，并且到模块B的VDD2和到模块C的VDD2有各自分别的开关。请判断在连接这4个模块的8条net上，哪些需要levelshifter，哪些需要ioslation cell，把结果填入右边的表中。
&填法如下：假如你认为需要在netAB上加个levelshifter，加的位置在模块B里面，就在netAB的右边的第一列空格里写B。如果什么都不加，就写X
/viewthread.php?tid=298990&highlight=%BA%F3%B6%CB%C3%E6%CA%D4%2B31
Continue from #31 question, thereis isolation cell on netBA with isolate enable pin. When shutdown the block B,will you enable isolate pin first, or shutdown B first? What order it is duringblock B power-on?
接着上一题提问，在netBA上有一个isolationcell，isolation cell都会有一个isolate enable端，在模块B关断电源时，是先让isolateenable端on哪，还是先关模块B？反之，在开模块B的电源时，谁先谁后？
先isolate on,再power off,反之先poweron,再isolate off
There are 1000 clocks in a design.You guess the constraint cross the clocks is incomplete, and want to have alist of clocks which has cross clock domain path. How do you find whether thereis path between 2 clocks?
设计中有1000个clock，你怀疑跨时钟的时序约束有问题，想找出哪些clock之间有realpath，请问如何找？
check_timing
或者写一个循环，report_timing-clock_from -clock_to
What are various statisticsavailable in IR-drop analysis reports?
IR-drop的分析报告里面都包含哪些内容？
各种mode下的static和dynamic IR-sropreport，其中drop的容许范围可以参考厂家的意见
function mode下的EM report和RJ report
With respect to clock gate, whatare various issues you faced at various stages in the physical design flow?
在后端流程的每步中，如何处理门控时钟？
如果是用latch+and/or在组合成的clock gatingcell，比较麻烦，以后估计不多见了，暫不讨论。TomPaul提到的问题都很让人头痛，特别是做CTS时，如何处理那些个latch的clkpin。Place时，latch和and/or cell一定要靠得很近。
一般使用ICG cell时，
place：使用clock gating awareplacement选项
CTS：主要看工具的本领了，一般是希望在满足setup的前提下，ICGcell要尽量靠近clock root
route：除了clock net优先以外，不记得还有什么可做的了
What is SSO? How to calculate theSSO in pad ring design?
什么是SSO，设计PAD ring时，如何计算SSO？
sso ，即simultaneous switchingouputs，即允许同时切换的信号IO的数量。多个信号IO同时切换时，因更多电流流过pad ring，在pad电源IO的bondingwire及片外引线上的电感上，产生Ldi/dt的压降。也即ssn，同时切换噪声。主要是会引起地弹，即ground bounce。
避免sso有很多方法。如增加供给pad用的电源IO数量，采用doublebonding或triple bonding，采用slew rate control的IO，避免把pad电源IO放在corner上（corner处bondingwire引线最长，L最大），等。
主要还是采用增加pad用电源IO数量的办法，计算方法一般foundry会提供，一般是给每个信号PAD一个DF值（还要根据bondingwire电感值做出选择），把自己用的所有信号IO的DF值加在一起，能得出所需要的POWER PAD的数量。
In building the timing constraints,do you need to constrain all IO ports? Can a single port have multi-clocked?How do you set delays for such ports? Can a clock port have multi-clockdefinition? How do you create clock for this
写时序约束时，是否需要对所有的IO端口加约束？一个信号端口是否可以被多个时钟约束？应该如何对这种端口设置delay？一个时钟端口是否可以定义多个时钟？应该如何定义这些时钟？
CLOCK ports 不需要加，其他都要
可以，set_input_delay -add_delay
可以，create_clock -add
What is purpose of lockup latch inscan chain? Does lockup latch always fix the problem of first question? Doeslockup latch clk pin connect to the clock of predecessor flop or successor?
scan chain中插入lockuplatch的目的是什么？是不是lockup latch总能达到那个目的？lockuplatch的clk端与前一个flop的clock相连，还是后一个flop的clock相连？
一般scan 用的时钟树大部分是与function的共享，所以scanchain的前一段和后一段的clock insertion delay会不一样，因为scan shift速度很慢，不太用顾及setup，但是要确保hold。
所以在前一个FF的clock insertiondelay小，后一个大时，插入一个lockup latch，使信号多保持半个周期，以满足后一个FF的hold要求。
它们的时序关系是
前FF时钟延迟+1/2 scan时钟周期 &= 后FF时钟延迟+ 后FF hold要求
当后FF时钟延迟太大时，lockuplatch也解决不了hold违反的问题
按此分析，lockuplatch的clk端是和前一个FF的时钟相连的。
How is scan DEF generated?
scan DEF是怎么生成的？
在第一次做完scan chain stitch后，让DFTtool输出一个scan def
What are pros/cons of using low Vt,high Vt cells?
使用low Vt 和 high Vt cell的优缺点?
lvt cell速度快，耗电高，静态电流大
hvt cell速度慢，静态电流小
这是timing与power的trade off
How do you reduce standby (leakage)power? How do you reduce dynamic power?
如何减少静态功耗？如何减少动态功耗？
老陈认为，这是最邪恶的一种提问方法！貌似简单，其实覆盖范围很广。
leakage power + dynamic power 不就是total power 吗？
那么这个问题可以换一个说法：如何减少功耗？
这样可以从系统结构，算法，前端，一直说到后端，即可以罗列几个大的方向，也可以具体到每个细节，你也搞不清楚他想问的是那个方面。
反过来说，如果他有意刁难你，就可以用这种问法，反正你答不全，到时就说你水平不够！
我们就集中在后端的部分（加一小部分前端），而且是细节讨论
楼上几位说得都对，总结一下
静态功耗：
非关键路径HVT cell 替换
coarse grain， fine grain， powershutdown
减少decap_cell
动态功耗：
power island
非关键路径HVT cell 替换
clock gating
memory split
signal gating
transition time 约束
减小高速信号的走线长度
42)如何设计PADring？
How do you design PAD ring?
如何设计PAD ring？
（又是一道比较邪恶的题目）
大的流程是：
1）根据系统（其他芯片的）要求，芯片内部的floorplan，决定信号PAD的位置
2）计算出power PAD的个数，插入到信号PAD里面
3）加其他的PAD，比如IO filler，powercut，power on control，corner PAD，ESD等
细节可以包括：
1）如何计算core power PAD：估算corepower，再加50%，算出电流，除以每个core power IO的最大电流，就是大致的PAD个数。插入到信号PAD ring后，还要再计算powerEM，防止一根电源线上的电流过大。
2）如何计算IO powerPAD：从信号IO的功耗算起，同时计算SSO，取2个结果里面较大的
3）在什么地方插入powercut：不同的电压core电压和不同的IO电压之间，power island之间，数字和模拟电源之间。
4）power on control PAD，一段每个IOring需要一个
5）ESD一般要加在每个不同的电源之间
In hierarchical design flow,explain block level pin placement flow? What are parameters to decide?
在hierarchical流程中，如何确定block的pin（位置，金属层）？
在top-down流程中
位置 :主要是看与该block相关的其它block(如ANALOG等)的interface,一般相关的PIN/PORT 要比较近,
&&&&&&& 同时也尽量不要使PIN被block内部的 memory(一般放在block的boundary处)等挡到
金属层 :也要看相关的其它block的PIN/PORT所出的金属层,尽量用一致的,同时不用M7.M8等一般用来走power 的金属层,当然M1 也不用
encounter（ICC也应该是同样的道理）用flatten的trialroute来决定block pin的位置和金属层。
当然，你可以事先指定，也可以事后修改
在bottom-up流程中，主要是人为的规定了
What does x-talk reports contain?How do you use those reports to improve the design?
分析X-talk后都输出哪些报告和结果？如何利用这些结果改善设计？
X-talk的分析结果中，至少要包含X-talk glitch和X-talk delay 的报告和数据，
可以把glitch报告读回到P&Rtool里面，让tool自动解决这些问题，也可以手动，详细请参考每日一题（003）
X-talk delay就是incrementaldelay，反标回网表中以后，再做一次时序优化
Can input pin floating (openning)?Can output floating? why?
在设计中，单元的输入端可以悬空吗？输出端哪？
输入端不行，输出端可以
输入悬空会因为周围电场的变化而引起cell内部的翻转，继而影响到其他的逻辑的正确性
What are RTL, Gate, Metal and FIBfixes?
就是tapeout 后的修改，
rtl 级别的修改，很大了
gate level：要动base layer，
metal fix：只动metal，不动base
FIB fix： focus ion beam，聚焦离子束，& 常用于修改金属连接 ，就像动手术一样
What is Scan, memBIST, andlogicBIST? usually what percentage of test coverage of suck-at requested? what% of at-speed transition test?
什么是Scan， memBIST和logicBIST？通常suck-at和at-speed transition测试的coverage要求多高？
跳过名词解释
suck-at coverage 一般要98%以上
at-speed transition 可能会要求到75%
What is a SoC (System On Chip),ASIC, “full custom chip”, and an FPGA? giving examples?
举例说明什么是SoC， ASIC “full custom chip”和 FPGA?
74)设计的哪些地方容易出现IR-drop的问题？
in which area it will be easy tohave dynamic IR-drop problem?
设计的哪些地方容易出现IR-drop的问题？
难度：4 （不容易答全了）
从电源布线的角度讲，那些远离电源端的地方，电源布线少的地方，容易出现ir-drop的问题。
比如wire bond芯片的中间，flipchip的四角，analog macro的边上（因为有些analog的上面不容许数字电源布线）
从swtiching activity的角度讲，toggle rate高并且celldensiy高的地方IRdrop大，所以切记不要为了balance clock tree，把一堆clock buffer摆在一起。
如果是静态IRdrop，频率高的地方IRdrop大。那么对于动态IRdrop，一定是频率高的地方IRdrop大吗？
How slow and fast transition atinputs effect timing， gate count， and power?
输入端信号的transition的快慢是如何影响APR之后的时序，门数，和功耗的？
对timing的影响：slowtransition使得速度变慢，fast transition使得速度变快
对power的影响：slowtransition时功耗增大，fast时功耗减小
对gatecount的影响：要分以下2种情况，（1）如果整体的transition要求较高，slow transition会增加gatecount；（2）如果整体的transition要求不高，input transition对gate count没有大的影响
注意：inputtransition会逐级传送到chip里面的，虽然效力在逐级减小
If the routing congestion existsbetween two macros, then what will you do?
如果2个macro之间有走线拥堵的话，该如何解决？
1）增大macro之间的间距
2）在macro之间加non-buffer placementblockage 或 加partial blockage控制channel里面的cell density
3）调查那些congestion是如何造成的，改变floorplan，引导工具不要从macro中间走线
What is cloning and buffering?where we will use it?
什么叫克隆和缓冲，什么情况下用到这2种技术？
cloning是在有多个sink的情况下，不改变逻辑功能把当前cell复制一份，分别驱动下一级的cell，这样可以减少当前单元的负载，从而获得更好的时序，有时是为了placement的考虑，譬如几个sink的方向不同，缺点是会增加上一级的负载
buffering是在不改变信号的情况下对信号再生，提高它的驱动能力，通常是两级反相器构成，可以提高电路的运行速度，有时也用来当延时单元，特点是不会增加上一级的负载
在多个sink的时序都比较紧的情况下适合用cloning，如果sink对timing的要求区别挺大的，可以用buffering，一部分时序较紧的由上一级直接驱动，剩下的可以加一级buffer后驱动
What is difference between HFNbuffer tree and CTS?
大扇出net的buffer tree和CTS在时序和做法上的区别
buffer tree和clocktree的共同点是它们都是解决high fanout net的问题，只不过要求不同而已。
buffer tree要求满足maxtrans/fanout/cap，有时还要满足setup/hold timing
clocktree不但要满足上面的所有要求，还有skew，max/min latency的要求
做法上大不相同，
一般，buffer tree在时序优化时自动就做了 （以后别再问怎么用CTS来做resettree了）
clock tree有专门的命令，因为它的做法与datapath的做法太不一样了
What is LEF? what it's differencewith GDS?
LEF是做什么用的？与GDS的区别是什么？
LEF是一种简化版的GDS，它只包括size和metal层有关的信息，比如pin，blockage等，其他baselayer的东西只在GDS里面可以看到。
同时LEF还有一些GDS里面没有的信息，比如，metal的R,C，routingand placement rule等
LEF是一个文本文件，可以修改编辑。GDS是二进制文件，比较难修改
What corner-IO contains?
corner-IO 里面有什么？
corner io pad除了 能保证 两边的 连线连接， 还有
1） dummy bond pad 为了减小封装的难度和减小一些应力的效益 （不是必须的）
因此corner pad两端最好空一些距离 来bond wire，封装，否则封装有一定的难度，
容易出问题，
2） dummy poly ， 也是减小机械等效益，有一些ACtive， SP区域，不知道干啥的
What is meant of 9 track, 12 trackstandard cells?
对标准单元所说的9 track和12track是什么意思？（同一种工艺下）这两种单元有什么区别？
一般site width就是metal 2 pitch，比如SMIC18 的 0.56 x 5.04 ,&0.56 就是metal 2pitch，
因为std cell pin基本上都是由metal 2连接出来的，&
高度 一般都是 site width的整数倍，比如7， 8， 9 ，10 ，12 倍，也就叫做7/8/9/10/12 track单元，
比如 0.56 x 5.04 的就是9 track，& 0.56 x&3.92 的就是 7 track，
0.2 x& 2.4 ( SMIC 65 ) 是12 track，& 0.2 x 1.8 ( TSMC65) 是9 track，
区别主要是：
1）带不带tap （n/p well pickup),但是也不是绝对的，
比如SMIC18& sc-x 9 track带tap，& sc-m&7track不带tap，不带tap的要用tapcell来偏置电位，
但是比如 TSMC40 nm的 12 track TCBNBWP12T，也不带tap，&
TSMC65& tcbn65bwp&9 track 带 tap，&
2）一般来说9 track是 属于标准size，& 7 track属于小size，也就是低功耗一些，速度慢些，
10、12 track 是高速，& 一般 metal1的rail做的更宽，管子好像没啥区别，& rail做的宽
自然能走更多的电流，自然速度就快了， 功耗大了，
有的还添加metal2 rail比如65nm以下的库，& 这样速度更快了，
选几个track 是由设计目标决定的，如果简单些 ，就选9track标准带tap的， 比较方便
低功耗选7 track，timing不够就选12 track的，
ARM的9 track叫sage-x ,& 7 track叫metro，& 12 track叫POP （performance optimizationpackets），
detail explain what is thedifference between LEC and simulation?
详细解释形式验证和仿真的异同
形式验证是为了验证综合前后或者layout前后，电路是否在数学模型上有改变吧。那综合前后的形式验证为例，用formality进行形式验证时需要DC提供验证节点，然后FM根据这些节点去验证综合前后的电路在数学逻辑功能上是否等价。形式验证不需要任何激励测试向量，他能保证逻辑上电路没有发生变化。
仿真的话有分为layout前后的仿真，前仿真主要用于测试功能是否正确，需要测试激励，后仿真主要用于测试是否满足时序（当然也就测试了功能是否正确），同样也需要激励信号。仿真的目的是模拟电路实际工作状态，看输入和输出是否满足设计要求。
如果要说区别的话，我个人感觉形式验证就像数字电路中的analyse，分析电路功能，看是否满足设计要求，而仿真的话更多的是在模拟实际电路工作情况。
65) 时钟走线一般用那层金属
问题由szp9912收集提供，特此感谢！
Which layer is used for clockrouting and why?
时钟走线一般用那层金属，为什么？
这是一个可以挖得比较深的问题，让我们先从各层metal的特性说起，假设共有8层金属层
最底层M1/2一般很薄，走线宽度最小，RC一般最大，而且会被cell的pin占去很多资源，肯定不适合做clockwire。
最高1/2层M7/8一般很厚，走线宽度大，RC很小，适合大驱动的clockbuffer走线。如果是用铜做金属层的话，最上面还会有一层极厚的铝金属层，一般不用做信号线的走线。
中间几层M3/4/5/6的厚度，宽度都适中，如果使用doublewidth，double space的走线的话，RC也比较小，也可以做clock wire。
如果考虑到VIA增加的电阻，一味地使用最高层不一定会得到最快的clocktree。
但是一般信号走线大多是先用下层的金属，所以建议根据各层的RC和整个设计的congestion来选择clockwire的层数。
如果最高1/2层M7/8的RC远小于中间几层M3/4/5/6的RC，就选最高1/2层
如果最高1/2层M7/8的RC与中间几层M3/4/5/6的RC相差不大，在很拥堵时，还是选最高1/2层；不太拥堵时，选中间几层里面的高层M5/6；根本没有拥堵时，用中间层里面的底层M3/4
本帖资料由 szp9912 收集提供，特此感谢，
Why clock is not synthesized in DC?why high fanout net, such as reset, is not synthesized in DC?
为什么综合时，不动clock？为什么不动某些大扇出的net，比如reset？
因为clock tree与leafpin的物理位置密切相关，DC没有这些个信息，做了也不准，所以就不做了。也是因为后端知道DC给的clcok tree根本不准，所以一旦遇到，就直接删除
至于resettree，是可做可不做，如果reset的时序很难的话，还是建议做一下，看看DC时是否可以满足时序，如果DC都满足不了，估计后端也很难做到，趁早想别的方案
How to calculate gate count?
如何计算gate count？
以前比较确切地定义是4个transistor为一个gate，
计算整个设计的gate count时，应该先算出（所有standardcell的总面积），再除以（4个transistor的面积）。注意，各种RAM，PLL，ADC，DAC等macro不能算在总面积里
现在人们为了简单，就把一倍驱动能力的，2输入的nandcell的面积认为一个gate的面积，一个nandcell与4个transistor的面积是有一点差别的，但是你一般不容易搞到准确的4个transistor的面积
所以现在的standard cell的gatecount就变成（所有standard cell的总面积），再除以（一倍驱动能力的，2输入的nand cell的面积）
The timing report is created in PTformat. The design is 0.5um old technology.
1) Is there clock tree built in thedesign?
2) what reasons cause the setupviolation?
这是一个PT格式的时序报告，使用的是很老旧的工艺，（所以延迟都比较大，不过不影响下面的问题分析）
1）这个设计里面有时钟树吗？
2）什么原因造成的setup违反？提示：有多个不同的原因
此帖在EDACN上面发表过，感觉是一个比较经典的后端时序分析的问题，留次存照
&&&Startpoint: ffa (rising edge-triggered flip-flop clocked by CLK)
&&&Endpoint: ffd (rising edge-triggered flip-flop clocked by CLK)
&&&Path Group: CLK
&&&Path Type: max
&&Point&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&Fanout&& &Cap&&&&&Trans&&&&&& Incr&&&&&& Path
&&&-----------------------------------------------------------------------------
&&&clock CLK (rise edge)&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 0.00&&&&&& 0.00
&&&clock network delay (propagated)&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& &&&&&&4.90&&&&&&4.90
&&&ffa/CLK (DTC10)&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 0.30&&&&&& 0.10&&&&&& 5.00 r
&&&ffa/Q (DTC10)&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 0.57&&&&&& 1.70&&&&&& 6.70 f
&&&b (net)&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&2&&&& 3.85
&&&U7/A (IV110)&&&&&&&&& &&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&0.57&&&&&& 0.00&&&&&& 6.70 f
&&&U7/Y (IV110)&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 1.32&&&&&& 0.84&&&&&& 7.55 r
&&&QA (net)&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&50&&& 32.59
&&&U12/A (NA310)&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 3.02&&&&&& 4.00&&&&&11.55 r
&&&U12/Y (NA310)&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 2.47&&&&&& 4.04&&&&&15.58 f
&&&n9 (net)&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&3&&&& 8.87
&&&U17/A (NA211)&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 2.47&&&&&& 0.00&&&&&15.58 f
&&&U17/Y (NA211)&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&1.01&&&&&& 1.35&&&&&16.94 f
&&&n14 (net)&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&2&&&& 4.87
&&&U23/A (IV120)&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 1.01&&&&&& 0.00&&&&&16.94 f
&&&U23/Y (IV120)&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 0.51&&&&&& 0.37&&&&&17.30 r
&&&n13 (net)&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&1&&&& 2.59
&&&U15/A2 (BF003)&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 0.51&&&&&& 0.00&&&&&17.31 r
&&&U15/Y (BF003)&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 0.88&&&&&& 0.81&&&&&18.12 f
&&&n12 (net)&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&1&&& 15.61
&&&U16/B2 (BF003)&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 3.88&&&&&& 3.00&&&&&21.12 f
&&&U16/Y (BF003)&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 2.46&&&&&& 0.99&&&&&22.11 r
&&&n7 (net)&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&1&&&& 2.61
&&&U10/A (AN220)&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& &&&&2.46&&&&&&0.00&&&&& 22.11 r
&&&U10/Y (AN220)&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 0.46&&&&&& 1.04&&&&&23.15 r
&&&n15 (net)&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&1&&&& 2.63
&&&ffd/D (DTN10)&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 0.46&&&&&& 0.00&&&&&23.15 r
&&&data arrival time&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&23.15
&&clock CLK (rise edge)&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&10.00&&&&& 10.00
&&&clock network delay (propagated)&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 3.50&&&&& 13.50
&&&ffd/CLK (DTN10)&&&&&&&&&&&&& &&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&13.50 r
&&&library setup time&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&-1.33&&&&& 12.17
&&&data required time&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&12.17
&&&-----------------------------------------------------------------------------
&&&data required time&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&12.17
&&&data arrival time&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&-23.15
&&&-----------------------------------------------------------------------------
&&&slack (VIOLATED)&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&-10.98
1) Yes. It finishes CTS.
2) first is clock skew, second ishigh fanout of U7 , then is long wirelength of net n12.
picture is a block design.
1) how many timing path?
2）after placement, the worst setupand hold slacks are all 0ns. next building clock tree. Assume the tree isbalanced and the insertion delay is 0.2ns in WC, 0.1ns in BC. Then checkingtiming again. Is there any timing violation?
how many and how much violationsthere is? is it real? how to fix it?
上图是一个block （不是chip），问
1）有多少timing path
2）place之后，假设setup和hold都正好为0ns，然后插入时钟树，树的完全平衡的，WC的时钟树insertiondelay是0.2ns，BC的insertion delay是0.1ns，这时做STA，会看到timingviolation吗？有多少条violation，各违反了多少ns？他们是真的吗？如何解决？
1）这是一道由浅入深的问题，第一问很简单，答错的话，后面就不用问了
答案：4 条timing path
CTS后，是否有违法，违法多少，是中等难度的问题，答对的话，说明有blocklevel P&R的经验
答案：input hold -0.1， output setup0.2
如何修复违法是有些难度的问题，
简单的回答是
在input delay上加clock insertiondelay的值（BC 0.1 WC 0.2），
在output delay上减去clock insertiondelay的值（BC 0.1 WC 0.2）
但是当有上千个input和output port时，做起来比较麻烦，
有个非常简单的方法，想到了，就是满分！
设一个虚拟时钟，与clk同频同相，
把所有input，outputdelay都指定到那个虚拟时钟上，CTS后，只要在虚拟时钟上加上（BC 0.1 WC 0.2）的latency就好了
60) set_clock_uncertainty
There is a PLL clock with 50psjitter and 5ps duty cycle variation. In the design, there are both of posedgeFlips and negdege flips. How to transfer the jitter and duty cycle variationinto timing constraint?
有一个PLL的时钟，jitter是50ps，duty cycle有5ps的漂移。设计中需要同时用到时钟的上升沿和下降沿，如何把那个50ps和5ps写到约束文件里？
对所有关连的时钟，逐一设定如下
set_clock_uncertainty -rise_to 0.05
set_clock_uncertainty -rise_from0.05
set_clock_uncertainty -fall_to0.055
set_clock_uncertainty -fall_from0.055
只对PLL的输出时钟
set_clock_latency -source -fall-early -0.005
set_clock_latency -source -fall-late 0.005
set_clock_uncertainty 0.05
there are 2 same clock gating cell.The input of clk, output load-A and load-B are 100% same in electronic and physical.There is same X-talk to the instance and nets. Only difference is cntl-A andcntl-B.
Question: is the same path delayfrom clk to load-A and from clk to load-B? Why？
图示2个相同的clockgating，输入端clk到2个单元完全相同（电气特性和物理特性），输出端load-A和load-B也完全相同，唯一的不同就是cntl-A和cntl-B。请问,从clk到输出端load-A的延迟，与clk到load-B的延迟是否相同？为什么？
PrimeTime里面把这个叫做Path Base Analysis(PBA)
与OCV关系不大
what is ESD? Where you need toinsert ESD circuit?
什么是ESD? 在什么地方需要插入ESD 电路？
ESD是指静电放电。带有足够高电荷的电气绝缘的导体在靠近时，会形成有相反电势的集成电路，电荷“跨接”，从而引起静电放电(ESD)。
ESD是指静电泄放。一般在IO 的InPut 加ESD电路，在IC的测试。封装。运输。使用等过程中可以把静电有效泄放避免对CMOS 栅极的损伤，从而有效地保护IC。
如果不考虑模拟电路的干扰问题，基本上在各个VDD，VSS之间都要加入back-to-backdiode的ESD电路
What are DFM issues? What is OPC,RET, CMP and Litho physical/electrical analysis?
DFM包含什么？什么是OPC, RET, CMP 和 Litho物理/电子分析?
后端主要是double via， spead wirewidth/space, 还有add dummy metal，使metal desity更均匀，
OPC： optical proximity correction
CMP: chemical mechanicalplanarization
RET: resolution enhancementtechniques
参考知识库
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