P型半导体带正电，N型半导体带负电。 对错_百度知道
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P型半导体带正电，N型半导体带负电。 对错
这种说法是错的,不论是P型还是N型半导体,它们本身是不带电的,也就是保持电中性.区别只是载流子的浓度不同,P型中的空穴浓度大于自由电子浓度,N型恰恰相反.
恰恰相反是指什么
N型中自由电子浓度远大于空穴浓度.
采纳率：40%
错误 半导体本身不带电 P型半导体或N型半导体因为参的“杂质”不同
导致空穴占多或载流电子占多
但本身都是电中性的
所参杂质能够有效影响半导体的导电性两者结合会形成PN 结
静态情况下
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半导体物理复习题
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求助大咖：我做的MOFs, Mott-Schottky测出来是p-型半导体，怎么计算载流子浓度NA，
我做的MOFs, Mott-Schottky测出来是p-型半导体，怎么计算载流子浓度NA，公式中的那些常数怎么知道？如e, e0, k等？
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你好，你测ms曲线时电极接线怎么接的，跟测CV一样吗
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&如何通过PEC测试I-V曲线来说明p型半导体还是n型半导体？
如何通过PEC测试I-V曲线来说明p型半导体还是n型半导体？
作者 babsong
RT~ 最近在做相同物质的p和n型半导体，材料本身是n型，改型之后为p型。 想用PEC的方法证明得到的材料是不是p型，我知道莫特-肖特基曲线斜率正负可以判断pn型。但是想通过测量光电流的变化来说明问题，同时还想对比光生电流的大小来说明光催化活性的问题。看文献里说如果是p型半导体的话，光照时电流变负，而n型半导体光照时电流变正，不过p型是不是得在负电压下测量而n型必须在正电压下测量呢？ 这样的话就没法对比相同电压下的光电流大小了。 求大神给解答啊
你好，请问你是怎么将n型半导体改型成p型的？我想把p型改成n型应该怎么改？
你好，可以把这个文献推荐给我吗？
对于n型半导体，通常加正向偏压，光照后出现正向增大的电流；对于p型半导体，加负向偏压，光照后出现负向增大的电流。按照楼主的想法，比如设置0.1v测定n型光电流，同时可以设置-0.1v测定p型光电流。有什么问题可以继续交流。
“看文献里说如果是p型半导体的话，光照时电流变负，而n型半导体光照时电流变正”。能把你说的这篇文献贡献给我吗？QQ：& &我现在也在做生物光电方面的东西
同求文献，我的测MS曲线斜率为正，所以安理说应该是n型，但是我在加正偏压时基本没有光电流。，加负偏压的时候光电流还挺大，而且电流也是负值。
对于N型半导体，由于其与溶液接触是能带向上弯曲，有利于半导体内的空穴导向溶液中，所以在测光电流时我们一般施加正偏压，这样产生的光电流比起施加负偏压要大。由于施加的正压，当有光照时，激发光生载流子，在偏压作用下自然产生正电流的增大。P型半导体同理。如果我们非要在N型半导体上施加负压，一样可以测的负的光电流，因为光生载流子在偏压下运动，但是得到的光电流由于能带弯曲的缘故，会比正压校
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? 半导体材料的晶格结构 ? 电子和空穴的概念 ? 半导体的电性能和导电机理 ? 载流子的漂移运动和扩散运动 ? 非平衡载流子的产生和复合
练习 试计算常温下锗的数密度。 练习 试求ADD’A’的密勒指数。 练习 P30
1.3，1.4 练习
试画出硅、锗和砷化镓在常温下的能带图。
思考 既然半导体电子和空穴都能导电，而导体只有电子导电，为什么半导体的导电能力比导体差？ 注意三个“准” 准连续 准粒子 准自由 练习 整理空带、满带、半满带、价带、导带、禁带、导带底、价带顶、禁带宽度的概念。 简述空穴的概念。 练习 P30
6、7 半导体中的缺陷和缺陷能级
当半导体中的某些区域，晶格中的原子周期性排列被破坏时就形成了各种缺陷。
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①点缺陷：如空位，间隙原子，替位原子；
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练习 写出常见缺陷的种类并举例。 试述弗仑克耳缺陷和肖特基缺陷的特点、共同点和关系。 位错对半导体材料和器件有什么影响？
课前复习 载流子产生和复合的特点。 什么是热平衡？ 费米能级与半导体类型的关系？ 费米能级与掺杂浓度的关系？ 练习 P30
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影响非平衡载流子寿命的因素 材料的种类 杂质的含量（特别是深能级杂质） 表面状态 缺陷的密度 外部条件（外界气氛） 练习 P30
10，11 表1-1
300K下锗、硅、砷化镓的本征载流子浓度 杂质半导体的载流子浓度 一般来说，在室温下所有的杂质都已电离，一个杂质原子可以提供一个载流子； 假设掺入半导体中的杂质浓度远大于本征激发的载流子浓度 。 N型半导体
(ND为施主杂质浓度)
(NA为受主杂质浓度)
N型半导体中，电子为多数载流子（简称多子），空穴为少数载流子（简称少子）；P型半导体中，空穴为多数载流子，电子为少数载流子。 式（1-12） n0p0=ni2
由式（1-12），可以确定少数载流子的浓度 N型半导体
由于ND（或NA）远大于ni，因此在杂质半导体中少数载流子比本征半导体的载流子浓度ni小得多。 本征激发时
式（1-6） 式（1-6）可改写如下
★式 ★式代入式（1-6）可得 ★式 当一块半导体中同时掺入P型杂质和N型杂质时，考虑室温下，杂质全部电离，以及杂质的补偿作用，载流子浓度为|ND-NA| 。 多子浓度计算 少子浓度计算 N型半导体
对于杂质浓度一定的半导体，随着温度的升高，载流子则是从以杂质电离为主要来源过渡到以本征激发为主要来源的过程。相应地，费米能级则从位于杂质能级附近逐渐移近到禁带中线处。
当温度一定时，费米能级的位置由杂质浓度所决定，例如N型半导体，随着施主浓度的增加，费米能级从禁带中线逐渐移向导带底方向。
对于P型半导体，随着受主杂质浓度的增加，费米能级从禁带中线逐渐移向价带顶附近。 杂质浓度与费米能级的关系
在杂质半导体中，费米能级的位置不但反映了半导体的导电类型，而且还反映了半导体的掺杂水平。
对于N型半导体，费米能级位于禁带中线以上，ND越大，费米能级位置越高。
对于P型半导体，费米能级位于禁带中线以下，NA越大，费米能级位置越低。如图1-15所示。 练习
判断半导体的导电类型并计算载流子浓度 硅中掺入P 原子，浓度为1016cm-3； 锗中掺入B 原子，浓度为1017cm-3； 硅中先掺入P 原子，浓度为2*1016cm-3 ，再掺入B 原子，浓度为4* 1016cm-3 ; 锗中先掺入P 原子，浓度为2*1016cm-3 ，再掺入As原子，浓度为4* 1016cm-3 。 载流子的漂移运动
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大量载流子在两次碰撞之间时间的平均值 λ
以金属导体为例，在导体两端加以电压V时，
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在半导体中，通常电流分布是不均匀的，即流过不同截面的电流强度不一定相同。我们引入电流密度的概念，它定义为通过垂直于电流方向
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