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&&&MOS管米勒效应电容问题你应该这样处理
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米勒效应是三极管工作中常见的一种作用现象，然而，MOS管中由于门极和漏极间存在米勒电容，则会影响整体的开启时间。那么问题来了：遇到这种情况，在栅极和源极间并联一个小电容有没有效果？在什么情况下才考虑米勒电容？米勒电容影响的时间怎么计算？就让高级工程师告诉你，遇到米勒效应电容时你应该怎么处理。
据高级工程师介绍，米勒电容不是个实在存在MOSFET中的电容，它是由MOSFET棚漏极间的电容反映到输入（即棚源间）的等效电容。由米勒定理可知，这个等效电容比棚漏间的实际电容要大许多，随增益变化，而由该效应所形成的等效电容称为米勒电容。由此可见，在棚源极间并一个电容无助于减小米勒电容，反之更会降低MOSFET的开启速度，增加开通关断时间。
所以，正确的处理方式是在关断感性负载时，如果驱动电路内阻不够小，可以在MOS的GS间并联一个适当的电容，而不是并联一个越小越好的电容。这样做可以防止关断时因米勒电容影响出现的漏极电压塌陷。
至于遇到了MOS管米勒效应电容后如何计算的问题，工程师们可以查询数据手册中的Cgd，然后根据具体电路的电压增益计算。一般情况下，功率MOS管往往给出一定条件下管子开通所需要的电量和充电曲线，可以作为驱动设计的参考。
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米勒效应是三极管工作中常见的一种作用现象，然而，MOS管中由于门极和漏极间存在米勒电容，则会影响整体的开启时间。那么问题来了：遇到这种情况，在栅极和源极间并联一个小电容有没有效果？在什么情况下才考虑米勒电容？米勒电容影响的时间怎么计算？就让高级工程师告诉你，遇到米勒效应电容时你应该怎么处理。据高级工...
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zcz2004??23:27 12-20
zcz2004??22:28 12-20
金骆驼??16:42 11-30
benbenquan??13:20 12-16
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共源共栅两级运放的三种补偿结构分析和比较
【Author】
HU LQIAO MState Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Device,University of Electronic Science and Technology of C
【摘要】 提出了三种应用于两级CMOS运算放大器的米勒电容补偿结构,分析了三种结构的小信号等效电路,得到传递函数和零点、极点的位置,以此分析和实现三种结构的频率补偿。其中两种共源共栅米勒补偿结构与直接米勒补偿结构相比,能用更小的芯片面积实现更优的运放性能,得到更大的单位增益带宽积和相位裕度,实现更好的频率特性。通过使用0.18μm CMOS工艺对电路进行仿真,结果验证了共源共栅米勒补偿技术的优越性。
【关键词】 ；
【所属期刊栏目】
（2014年07期）
【DOI】10.ki.14.07.009
【分类号】TN722.77
【被引频次】1
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可消除米勒效应并提升PFC性能的折叠共源共栅结构
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