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DDR/HBM/HMC三强争霸 新一代内存/显存技术路线解读
每次有新闻提到PC市场销量下滑，可爱的读者们往往会调侃两家公司——“Intel，你又挤牙膏了，SNB还能战三年”，还有一个想努力挤牙膏但新牙膏上市延期、只能先上PPT的AMD。五年多前的SNB处理器+4GB DDR3内存的确还能再战……
HMC：不同于HBM的3D内存，美光独立支撑如同闪存从2D NAND转向3D NAND一样，内存也要从平面转向3D立体，前面的HBM就是3D内存技术的一种，不过它并非唯一选择，美光、Intel还有HMC（Hybrid Memory Cube）内存，它也是通过TSV硅穿孔工艺堆栈多层DRAM核心以实现3D堆栈的。实现3D堆栈之后，HMC也可以搭积木一样堆叠内存核心了，带来的优势就是：·性能更强，带宽是DDR3内存的15倍·功耗更低，功耗比DDR4减少70%·占用面积更小，比DDR4减少90%·设计更简单，通道复杂性比DDR4减少88%这张图中可以看到HBM与HMC结构上的不同HMC与HBM都是TSV工艺的堆栈内存，很容易混淆，不过具体结构上HMC内存与HBM还是有很大不同的，它可以分为三个层次——顶部的是堆栈的DRAM核心，中间有个逻辑层（logic Layer），最下面则是封装层（package）。美光主导的HMC内存HMC与处理器的连接方式也不同，HBM有个工艺复杂的中介层，打通了处理器与HBM芯片，而HMC与处理器连接是靠4条高速Link，每条Link有16个通道，速度最高可达30Gbps，典型速度有10Gbps、15Gbps、25Gbps。如果是4-link、10Gbps速度，那么带宽可达160GB/s，15Gbps速度则是240GB/s，美光还在开发8-link HMC，带宽可上320GB/s。美光目前量产的HMC单颗容量2GB，核心容量为4Gb，4层堆栈，带宽160GB/s，算起来性能比HBM 2显存的256GB/s要差一些，不过HMC相比HBM还有个优势，那就是HBM的高带宽需要离处理器很近，显卡跟HBM都是封装在一起的，所以制造工艺复杂，成本太高，而HMC通过Link与处理器相连，既可以做近场内存(near memory)，也可以距离远点（far memory），部署更加灵活。美光HMC样品美光HMC内存主要特点不过与HBM显存受到显卡、FPGA追捧不同，HMC推广的力度就小多了，尽管HMC阵营也有三星、SK Hynix参与，但真正在推的只有美光、Intel，Intel代号“Knights Landing”的Xeon Phi上使用了16GB片上缓存，就是美光提供的HMC，号称是DDR4内存的5倍性能、5倍能效，同时面积占用只有后者1/3。HMC的规范发展已经到了2.0时代，据说美光今年还要推出HMC 3.0规范，Link数量、堆栈层数、核心容量都有进一步提高，带宽可提升到480GB/s，该指标跟HBM 3差不多同级了。小结：本文主要介绍了2020年之前新一代内存/显存技术路线，DDR5内存的发展是按部就班，DDR5技术使用传统思路提升带宽、降低能耗，而HBM及HMC则是3D堆栈，发展潜力比DDR5更诱人，不过3D堆栈目前制造过程复杂，成本太高，主要用于高性能计算领域，普通消费者要想用上廉价3D内存/显存还要等技术成熟。
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责任编辑：Trista
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&手机·平板知识ARM、HP和SK Hynix参加混合内存立方(HMC)技术合作
日 14:02 　来源：GlobeNewswire
&&&&爱达荷州博伊西&()－－由Micron Technology, Inc. （纳斯达克股票代码：MU）和Samsung Electronics Co., Ltd.共同领导的混合内存立方联盟（HMCC）6月26日宣布新成员ARM、HP和SK Hynix, Inc.已加入该项全球性活动以促进HMC技术在业内的广泛应用。HMCC是一个由原始设备制造商(OEM)、促成商和集成商组成的合作组织，共同制定和实施该项创新内存技术的开发及其开放接口标准的运用。 &&&&Micron和Samsung是HMCC的初创成员，与Altera、IBM、Microsoft、Open-Silicon、Xilinx以及现在新加入的ARM 、HP和SK Hynix紧密合作，以草拟一份为广泛电子器件发展铺好道路的全行业规范。 &&&&&加入该联盟公司的强大阵容代表了广泛的技术兴趣，反映了他们对于将HMC作为下一代高性能存储应用标准所体现的高价值的深刻认识&，Micron的DRAM营销副总裁Robert Feurle如是说，&ARM、 HP和SK hynix将作为开发者帮助确定该项技术的特性，有了它们的加盟，该联盟将能很好地定位，为下一代电子技术提供开放的新标准&。 &&&&HMC的特性将为各种广泛的应用提供高性能的存储解决方案，应用范围从工业产品到高性能计算和大规模网络。 HMCC开发团队计划向越来越多的加盟者（&应用者&）提供一份接口标准草案。然后，开发者和应用者联合团队将细化该草案并发布该最终的接口标准，完成时间目前暂定于本年年底。 &&&&如设想的那样， HMC的能力将使存储器的性能、封装和能耗等方面摆脱当前和近期存储器的架构，与现有存储技术迥然不同。 &&&&业内面临的主要挑战之一和组成HMCC的关键动机 -- 是在于高性能计算机和下一代网络设备所需的内存带宽不断在增加，已超过传统内存架构能提供的极限。术语&内存壁垒&就是用于形容这一困境的。打破内存壁垒需要像HMC这样能够提供更大密度和更宽带宽并显著减少能耗的架构。 &&&&任何有兴趣加入该联盟并参与开发该规范的公司均可加入HMCC成为应用者成员。HMCC现已对超过90家表示兴趣的潜在应用者成员进行了答复。 &&&&在www.hybridmemorycube.org可以找到应用该技术的额外信息、技术规范、工具和支持。 &&&&关于HMCC &&&&混合内存立方联盟（HMCC）由在全球半导体界处于领先地位的成员创立，其旨在致力于开发和建立混合内存立方技术的行业标准接口规范。该联盟成员包括Altera、ARM、 HP、IBM、 SK hynix、Micron、Microsoft、Open-Silicon 、Samsung和Xilinx。另有超过90名潜在应用者正在探索成为该联盟成员的可能性。欲了解更多有关HMCC的信息，请访问www.hybridmemorycube.org。 &&&&联系方式：Scott Stevens &&&&Micron Technology, Inc. &&&&+1.512.288.4050 &&&& &&&&John Lucas &&&&Samsung Electronics Co., Ltd. &&&&408-544-4363 &&&&j.lucas@&&&&&
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