simulink仿真模型错误_百度知道
simulink仿真模型错误
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　　同步电机是用电流源进行建模的。而电流源不能直接与感性原件（即变压器模型当中含有的电感）串联。原因其实很简单，电路教科书在讲解电压源、电流源的串联和并联时提到：“只有电流相等且方向一致的电流源才允许串联，否则违背KCL。”[1]。由于电机与变压器的模型都含有电流源（或可被近似认为是电流源），所以将两者直接串联，会形成两个电流源串联的情况。所以，仿真软件认为这种情况无法使用KCL进行分析，就给出错误提示。解决方法解决这个问题的方法就是用一个大电阻并联在其中一个模块的两侧，如果模块有snubber参数的话，也可以设置高阻snubber。总之就是不要让两个电流源直接串联就可以。参考：1. 邱关源，电路第四版，高等教育出版社，p40。我以前回答过一个问题。原因与你的问题是一样的。
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电子元器件在电路仿真中如何建模
电子元器件在电路仿真中如何建模
这里针对建模的重要性和必要性，研究当前流行的电子电路仿真工具的电子元器件模型，提出两种建模方法：参数建模法和子电路建模法。
&&& 计算机仿真具有效率高、精度高、可靠性高和成本低等特点，已被广泛应用于电力电子电路(或系统)的分析和设计。计算机仿真不仅可以取代系统许多繁琐的人工分析，减轻劳动强度，提高分析和设计能力，还可以对电路进行优化和改进，最大限度地降低设计成本，缩短系统研发周期。但这些优点都是基于元器件模型，电路的数学化主要是元器件的模型化，可以说没有模型化就没有电路的仿真分析。简单的元器件，比如，电阻、电容和电感等，只需要一个或几个参数就可以描述其电学性能。而各类半导体和集成器件，则需用很多参数来描述较复杂的建模过程。目前各种仿真工具中都自带很多常用的元器件模型，但是自带模型库永远跟不上电子元器件的更新速度。
2 参数建模法
&&& 参数建模法主要是针对加工工艺相同的一类半导体器件提出的，其工作过程是先利用物理法或黑箱法构建出不同复杂程度的等效电路，然后通过公式演算，得出这类半导体器件的参数。在使用过程中，若遇到该类器件，就可以通过直接设置参数值实现不同型号元器件的建模，从而省去重复构建等效电路和繁琐的方程式推导过程。
&&& 下面以N沟道MOS(metal-oxide semiconductor)晶体管为例说明等效电路与参数之间的关系。典型的N沟道MOS晶体管组成示意图如图1所示。
&&& 设置栅极宽度为W，有效栅极长度为L，栅极下氧化层的厚度为tOX。MOS管的特性方程为：
式中，COX是每单位面积的栅极电容。Vth为栅极-源极间的阈值电压。
&&& 当VDS增加时，ID上升，直到沟道的漏极末端夹断，ID不再上升。这种夹断发生在VDS=VGS-Vth时。因此工作区MOS管的特性方程可简化为：
&&& 通过式(2)得到如图2所示的MOS晶体管等效电路，其中压控电流源gmVgs是模型中最重要的部分，晶体管的跨导gm定义为：
将式(2)代入式(3)，可得出：
&&& 图2中，gsVs表示第2个压控电流源，模拟漏极电流id上的体效应。当源极与地相连时，或其电压不变化时，此电流源可忽略。当体效应不能忽略时，则有：
式中，γ是体效应参数，|2φF|为表面反转电势。
&&& 图2中，电阻rds表示有限输出阻抗，模拟沟道长度调节和漏极电流因Vds改变而引起的效应，由式(1)可得：
&&& 图2中，电容的求解过程参见参考文献[1]，以下给出结果：
&&& Cgs是最大电容，需要较高精确度时可表示为：
其中LD是重叠区的距离。
&&& 第2大电容Csb表示为：式中，As是源极的结面积，Ps是源极的结周长，不包括与沟道相邻的一边，Cj-sw表示0 V偏置下的侧壁电容。（Cj0偏置下的耗尽结电容)。
&&& Cgd称为密勒电容，其值为：Cgd=WCoxLD。
&&& 源极主体电容Cdb表示为：Cdb=C'db+Cd-sw=AdCjd+PdCj-sw,其中，Ad是漏极的结面积，Pd是不包括与栅极相邻部分的结周长，
&&& 在仿真工具中建模，可指定如表1所示参数，系统自动根据上述计算式确定等效电路参数，从而完成该器件的建模。
&&& 在pspice中仿真得到预期结果，如图4所示。
&&& 可见参数建模法省去了构建等效电路的过程，只需通过厂商提供的器件特性参数就可以直接建模。但该方法只适用于固定结构的半导体器件。
3 子电路建模法
&&& 随着电子器件的不断更新，单纯依靠修改参数值进行建模已经远远不能满足现在电子电路仿真的需求。针对常用电路单元和集成电路新产品，本文提出一种为新产品建立一个子电路模型的方法，并将该模型作为一个器件添加到仿真软件的模型库，在仿真电路时用户可以像调用自带库一样直接使用该模型。
&&& 子电路可利用原理图软件绘制，通过软件直接生成电路连接网表，也可以直接以文本的形式输入子电路的电路连接网表。当子电路中遇到参数建模的器件，仍采用参数值设置形式定义该器件。下面是运放AD648C的内部电路连接网表。
&&& 将此种的文本文件存为．lib的后缀名后，通过Model Editor工具将该文件与器件符号联系在一起，就可以使用在电路仿真中。图5为AD648C的简单运用电路，从图6瞬态分析结果可知建模正确。
&&& 对于前面所述的器件内部全部子电路建模法，很多时候并不能如此具体的了解一个器件内部的所有结构，这种情况下只能通过模拟器件行为建模。直接在子电路中用运算函数代替电路本身。
&&& 对高压开关稳压器MC33363进行以下的子电路连接网格表：
&&& 语句GSUPP 3 4 VALUE={IF(V(33)&3．5，250U，3．5M)}，表示节点33和节点3、4之间连接的模块实现当输入端33节点的电压小于3．5 V时，输出端节点3和节点4之间的电压为250μF，否则为3．5 mV。该网格表使用到的EVALUE和GVALUE器件是将输出量和输入量之间运算函数关系用语句表示。EVALUE和GVALUE称为模拟行为模型 (ABM)器件，除了这两个外还有：*SUM、*MULT、*TABLE、ABS、LOG等，带有“*”符号的元器件，有E、G两种类型。使用ABM器件可省去实现这些换算的电路，简化子电路建模的工作量。
&&& 电路原理图仿真的最大瓶颈在于电子器件的建模，针对这一难点给出两种方法：一种是对于已经参数化的典型半导体器件，可以直接通过研究器件资料得到所需参数的数值，生成库文件：另一种是针对一些单元电路和集成电路新产品，由用户自己创建子电路的网格表，再转化为库文件。实验证明这两种方法都是行之有效的。
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固定式偏置电路是三极管偏置电路中最简单的一种电路。固定式偏置电阻的一根引脚必须与三极管基极直接相连,另一根引脚与正电源端或地线端直接相连。负极性电源供电的NPN型三极管固定式偏置电路。电路中的VT1处NPN型三极管,-V是负极性直流电源,R1是基极偏置电阻,R1构成VT1的固定式基极偏置电路R1可以为VT1提供基极电流。基极电流从地线(也就是电源的正极端)经R1流入三般管VT1的基极。对于采用负极性电源供电的NPN型三极管固定式偏置电路而言,偏置电阻R1的电路特征是:它的一端与三极管基极相连,另一端与地线相连。根据偏置电阻R1的这一电路特征,可以方便地在电路中确定哪个电阻是固定式偏置电阻。
在负极性电源供电电路中,电路地线的直流电压最高,而VT1发射极接电源-V端这样VT1基极电压高于发射极电压,给VT1发射结提供正向偏置电压。
这是三极管放大系数的非线性造成的。——注意共射放大器的输入、输出是反相的。图像显示为负半周输出大，说明正半周输入的放大系数较负半周大。请看我上传的表中列出的几种不够理想的晶体管输出特性曲线。你这个三极管属于表中序号（1）的例子。解决方法改变三极管的偏置电阻，使其工作点移到线性较好的区域。如果解决不了，就更换三极管。
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& 硬件研发论坛(Hardware R&D Forum)
& [求助]关于利用ADS进行LNA的直流偏置电路选择和交流仿真
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等级：研发工程师帖子：117被删：0经验：507RD币：165来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 14:18:001#
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刚学完《ADS2002仿真试验教程》，开始做LNA仿真，发现自己还是啥也不会。：(按照文档《利用ADS仿真设计LNA》,利用ATF34143进行设计，从库里调出来器件标识为ph_hp_ATF34143，然后按照要求先做了直流仿真，工作点设置为Vds=3V,Ids=40mA。我设置直流供电Vdd=5V,漏级接41.3欧姆到Vdd，源极接13.15欧姆到地，栅极接一个DC feed到地，结果能实现Vds=3V,Ids=40mA的要求。那么我的问题是：1）如何确定Vdd的值呢，我看书上一般常用的是5V，10V，15V，具体应该如何来选择呢？2）偏置电路选择哪种形式，根据什么来选择呢？以前学习电子线路时，主要讲的是三极管，所以对场效应管一直都不怎么明白，尤其是结型场效应管，哪位大人能解释一下使用不同场效应管时应该注意哪些东西？3）我采用上述偏置进行交流仿真时，发现电压增益是负的，也找不着问题在哪，超级郁闷中，欢迎大家批评阿！ screen.width-500)this.style.width=screen.width-500;">screen.width-500)this.style.width=screen.width-500;">screen.width-500)this.style.width=screen.width-500;">[52RD.com]
等级：研发工程师帖子：117被删：0经验：507RD币：165来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 14:40:002#
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对了，文档《利用ADS仿真设计LNA》中的器件标识为sp_hp_ATF_34143_3,这个跟库中的ph_hp_ATF34143有什么区别吗？如果我是从Devices-JFET调一个场效应管的话，应该同时放置一个JFET符号，和一个模型，然后在模型里设置和察看参数。那么从Microwave transistor library里调出的器件参数应该从哪里查看呢？
态度决定一切！A Za A Za fighting。。。
等级：研发工程师帖子：117被删：0经验：507RD币：165来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 20:21:003#
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木有人理screen.width-500)this.style.width=screen.width-500;">screen.width-500)this.style.width=screen.width-500;">screen.width-500)this.style.width=screen.width-500;">
态度决定一切！A Za A Za fighting。。。
等级：资深工程师帖子：309被删：-2经验：1241RD币：658来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 20:50:004#
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刚好前段时间做这方面的仿真，一点看法。1）直流仿真使用Ph开头的器件模型，用来作直流稍描得，确定电路直流工作点，如Vds, Ids, Vgs2）S参数仿真使用Sp开头的器件模型（根据你的直流工作点Vds，Ids选择Sp模型）3）Vdd的值是根据你设计电路的供电电压确定的，如果你电路的供电电压是5V，Vdd就是5V；如果是3.3V，这个值就是3.3V4) FET直流偏置电路一般使用自偏压电路，也就是在源极串电阻，使Vgs等于直流仿真中确定的Vgs值。+3 RD币
等级：研发工程师帖子：117被删：0经验：507RD币：165来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 22:00:005#
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2）S参数仿真使用Sp开头的器件模型（根据你的直流工作点Vds，Ids选择Sp模型）如何调出Sp开头的器件模型呢，我搜了一下没找到啊？3）Vdd的值是根据你设计电路的供电电压确定的，如果你电路的供电电压是5V，Vdd就是5V；如果是3.3V，这个值就是3.3V可是我选5V的话，算出来的Rd=41.3欧姆,Rs=13.15欧姆,会不会太小了？一般见到的偏置电阻都是K级的吧
态度决定一切！A Za A Za fighting。。。
等级：资深工程师帖子：309被删：-2经验：1241RD币：658来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 1:33:006#
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你看Vgs的值一般是负值，而且很小，Rs = Vgs / Ids， 就是很小的，一般就是几十欧左右； Rd = (Vdd - Vds - Rs*Ids) / Ids；按照这个规则来验证吧。
等级：资深工程师帖子：450被删：-7经验：2009RD币：333.8来自：火星注册：
&|&&|&&|&&|&　发表于 9:35:007#
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在components library里面搜34143，应该可以看到阿我搜出来有1个ph模型，5个sp模型（对应不同静态工作点）而且我还在avegotech下载了这5个sp模型的s2p文件都可以用来仿真吧+1 RD币
等级：研发工程师帖子：117被删：0经验：507RD币：165来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 10:46:008#
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Rs = Vgs / Ids；Rd = (Vdd - Vds - Rs*Ids) / Ids我就是按这两个公式算的，算的应该没问题。可是如果我选Vdd＝5V，算出来的Rd那么小，那岂不是负载所接收的功率会很小？
等级：研发工程师帖子：117被删：0经验：507RD币：165来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 10:48:009#
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tqizhilong谢谢您的提醒，我现在就去试一下。
态度决定一切！A Za A Za fighting。。。
等级：资深工程师帖子：450被删：-7经验：2009RD币：333.8来自：火星注册：
&|&&|&&|&&|&　发表于 11:27:0010#
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一般mos管的偏置不能直接加在管子上，可以考虑用1/4波长高阻微带线这样就不会影响输入输出阻抗了吧
等级：研发工程师帖子：117被删：0经验：507RD币：165来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 12:17:0011#
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我的问题主要是对场效应管太不熟悉了，刚刚下了些相关的资料，还是先把基本功练好吧，有什么问题再来请教大家。感谢Arm720和qizhilong的热心帮助，在此深鞠一躬
态度决定一切！A Za A Za fighting。。。
等级：研发工程师帖子：117被删：0经验：507RD币：165来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 15:12:0012#
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看完资料了，有了初步了解，有一个问题：一般来说，场效应管的偏置电路有两种形式，即自偏压电路和分压式自偏压电路，我的问题是偏置电阻Rg的阻值应该如何选择呢？我看教科书上的例子对于场效应管都是兆级的，而对于三极管是几十K或者是几百K。这有什么说法吗？
等级：高级工程师帖子：209被删：-3经验：1105RD币：992.5来自：江苏&南京注册：
&|&&|&&|&&|&　发表于 18:56:0013#
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这关键看是你选择什么样的电路，偏值电阻在你的ADS事例中几十K就够了
&& 今天的结果是昨天的行动所决定，明天的结果是今天的行动所决定，把握住今天，我们的未来才能更加美好。
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&|&&|&&|&　发表于 9:32:0014#
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还有一个比较弱的问题：做交流仿真的话，应该用ph模型呢，还是用sp模型？还有ph模型和sp模型的内部设置到底有什么区别呢？为什么要分设这两种不同的模型？
等级：资深工程师帖子：309被删：-2经验：1241RD币：658来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 12:04:0015#
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说一下我的理解吧，Ph模型是射频有源电路的晶体管模型，这个用来做直流稍描仿真用，我个人觉得，如果你的频率不高的话，可以用它来做低频交流仿真，不涉及到匹配的问题。但是做微波，一般都不作交流仿真，涉及方法是做S参数仿真，主要目的是输入输出电路匹配使用；这时候用Sp模型，在你选取Sp模型的时候，每个Sp模型都对应有Vds和Ids的，Vds和Ids就是你设计电路的直流工作点。+3 RD币
等级：研发工程师帖子：117被删：0经验：507RD币：165来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 14:15:0016#
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[quote]以下是引用Arm720在 12:04:00的发言：说一下我的理解吧，Ph模型是射频有源电路的晶体管模型，这个用来做直流稍描仿真用，我个人觉得，如果你的频率不高的话，可以用它来做低频交流仿真，不涉及到匹配的问题。但是做微波，一般都不作交流仿真，涉及方法是做S参数仿真，主要目的是输入输出电路匹配使用；这时候用Sp模型，在你选取Sp模型的时候，每个Sp模型都对应有Vds和Ids的，Vds和Ids就是你设计电路的直流工作点。[/quote]“每个Sp模型都对应有Vds和Ids”，也就是说sp模型中已包括偏置电路了吧？那做直流仿真有什么意义呢？是不是以后真正设计电路板的时候才能用到啊？
等级：资深工程师帖子：309被删：-2经验：1241RD币：658来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 0:34:0017#
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本来想贴个文件给你，传不上去，06418@52RD_单福其版2002ADS.pdf； 你先找找看吧。Sp 参数是用来做S参数仿真，不是用来做直流仿真的；如果你下载器件资料，会发现，不同的直流工作点和频率，器件S参数是不一样的。所以ADS中，Sp模型是和Vds和Ids对应的，直流工作点不同，Sp模型也不一样，你看看ADS Sp模型就知道了。除了选择器件外，还要选择直流工作点。+3 RD币
等级：高级工程师帖子：164被删：-1经验：774RD币：205.2来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 13:45:0018#
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路过这里，向各位学习了，谢谢各位解答。！}