荣耀8的ROM是UFS2.0吗？还是emmc5.1,
RAM是DDR3,还是DDR4
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LPDDR4，emmc5.1
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确定要取消此次报名，退出该活动？小米拿UFS 2.0当黑科技？三星：我来加个倍
Gary Hilson
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在小米将UFS 2.0成为“黑科技”的一天之后，三星正式推出了读写速度超群的256GB
2.0颗粒。256GB是什么概念？想象一下，你的手机能储存47部全高清电影，这么大的容量似乎有些荒谬，但更吓人的是它的顺序读写速度碾压几乎所有台式SATA SSD两到三倍。　　　　据悉，新闪存芯片采用了V-NAND架构和一个特别设计的高性能控制器，以满足高端智能手机，尤其是超高清视频播放和大屏移动设备上的多任务处理功能要求。它可以分别处理每秒高达45,000/40,000次的输入/输出随机读写（IOPS）操作，该公司表示，它比它的上一代UFS存储的 IOPS快两倍以上。
这速度符合了“通用闪存2.0”（UFS 2.0）规范，对于大多数智能机（甚至旗舰机）上所使用的UFS闪存来说，新标下的产品速度至少翻了一倍。得益于双链路数据传输方案，三星UFS 2.0 256GB新闪存能够达到850MB/s的顺序读取和260MB/s的顺序写入速度——拥有比SATA SSD更可观的速度表现。
撇开存储容量不谈，在如此高的速度下，未来高端智能机将能够执行更加繁重的多媒体回放和创建任务，多路2K/4K视频也是不在话下。
好奇的是，三星特别强调了新闪存比传统microSD更小、容量更大、速度约快三倍，此举或许很大程度上是在暗示OEM厂家们尽快在智能机上放弃速度拖了后腿的前者。
虽然Galaxy S7和S7 edge没能搭上256GB UFS 2.0闪存量产的顺风车，但Galaxy Note 6仍然有望在今年带给我们新的惊喜。此外，256GB ROM机型或许还会拥有6GB RAM。
三星在128GB一代UFS内存颗粒发布后一年才做这次迭代，很大程度是考虑到他家的最新旗舰智能机很快要推出了，此时的UFS 2.0及其控制器技术已经足够成熟，可以满足三星在智能手机上做密集计算的需求，达到SSD般的性能。而e.MMC会继续在低端机型上使用。
三星的选择是UFS 2.0，SanDisk公司则选择了另一条路——iNAND 7132，其中包括它自家的iNAND加速器、SmartSLC技术，采用e.MMC 5.0+ HS400规范。该iNAND的组成部分包括X3 TLC NAND芯片、控制器和固件，一般单颗容量64GB。像三星的128GB UFS内存颗粒一样，SanDisk的iNAND 7132被定义为支持高性能应用，如专业级数码摄影和4K超高清视频播放。
在iNAND 7132中，X3 NAND单元可以格式化为TLC+SLC，SLC区域具有高得多的写入速度；内存中一些过度配置的区域常被格式化为SLC。控制器和固件中的逻辑可以随时监控主机的请求，固件判断何时主机需要高性能，使器件来控制数据是否被写入到智能SLC或主阵列中。
SanDisk是在研究过其iNAND 7030的MLC顺序写入性能，和iNAND 5130的TLC顺序写入性能后，设计出这种存储方案的，他们发现大多数应用程序并没有把重点放在存储性能上，那些应用也包括摄影存储。
SanDisk发布具有其第二代SmartSLC技术的iNAND 7232，目的和三星发布最新的UFS一样：提升连续写入速度，让4K和UHD视频录制更流畅。iNAND 7232最高可有单颗128GB容量可供选择。编译：Luffy Liu本文授权编译自EE Times，版权所有，谢绝转载关注最前沿的电子设计资讯，请关注“电子工程专辑微信公众号”。
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推荐到论坛，赢取4积分魅族pro6是ddr4和ufs2.0吗
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不是，pro6是ddr3的另外也不是ufs 2.0 依旧是eMMC 5.1
魅族Pro6没有ddr4运存，因为helio x25处理器不支持，也没有ufs2.0而是EMMC5.1而已。
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UFS/eMMC/LPDDR等究竟是什么？IT之家带你一文看懂
来源：作者：汐元责编：汐元
对于智能手机而言，任何一个部件都有可能影响到手机的整体性能和体验，处理器、内存、闪存、屏幕等等。不过对于以下刚入门的新手用户而言，当和其他网友们热烈讨论UFS2.0、eMMC&5.1、LPDDR4这些名词时，或许会一头雾水：这些究竟是什么？别冷场，小编在这里不妨为大家科普一番。想要了解UFS2.0、eMMC&5.1、LPDDR4这些词的意义和区别，首先需要了解的是手机内存和闪存这两个容易混淆的概念。内存手机内存（RAM，随机存取存储器）又称作“随机存储器”，是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存(内存)。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。说人话，就是我们常说的手机运行内存。在PC平台，内存经历了SIMM内存、EDO&DRAM内存、SDRAM内存、Rambus&DRAM内存、DDR内存的发展，到如今普及到DDR4内存，而手机上采用的LPDDR&RAM是“低功耗双倍数据速率内存”的缩写，与桌面平台的DDR4内存相比，面向移动平台的LPDDR4，其能够在带来等效的性能(速度)的同时，兼顾更少的能源消耗。闪存闪存（Flash&Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，即使断电也不会丢失数据，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位（NOR&Flash为字节存储。），区块大小一般为256KB到20MB。通俗地说，它就相当于电脑中的硬盘，运行内存在断电后不会保留存储的数据，而要长期保持数据不丢失还是需要将数据从内存写入到硬盘当中。对于电脑这样的桌面设备，我们可以塞进去一块硬盘，而对于手机这样的移动设备，显然就不现实了。于是，1984年，东芝公司的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器（此处简称闪存）的概念。特点是非易失性，其记录速度也非常快，同时体积小，因此后来被广泛运用于数码相机，掌上电脑，MP3、手机等小型数码产品中。Intel是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司，当时为NOR闪存，后来日立公司于1989年研制了NAND闪存，逐渐替代了NOR闪存。值得一提的是，如今广泛用于PC上的SSD和手机的ROM，本质上是一家人，都是NAND闪存。UFS和eMMC通过上面的简单介绍，大家已经能够理解内存和闪存的区别。那么我们不妨先来看看闪存规格eMMC和UFS。其中，eMMC的全称为“embedded Multi Media Card”，即嵌入式的多媒体存储卡。是由MMC协会所订立的、主要是针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。简单说，就是在原有内置存储器的基础上，加了一个控制芯片，再以统一的方式封装，并预留一个标准接口，以便手机客户拿来直接使用。2015年前所有主流的智能手机和平板电脑都采用这种存储介质。2011年电子设备工程联合委员会（Joint Electron Device En gineering Council，简称JEDEC）发布了第一代通用闪存存储（Universal Flash Storage，简称UFS）标准，即UFS 2.0的前身。不过第一代的UFS并不受欢迎，也没有对eMMC标准产生明显的影响。到了2013年，JEDEC在当年9月发布了UFS 2.0的新一代闪存存储标准，UFS 2.0闪存读写速度理论上可以达到1400MB/s，不仅比eMMC有更巨大的优势，而且它甚至能够让电脑上使用的SSD也相形见绌。于是后来逐渐在高端设备市场上取代eMMC，成为移动设备的主流标配。而实际上，UFS 2.0共有两个版本，其中一个是HS-G2，也就是目前的UFS 2.0。然而，另个一个版本则为HS-G3，可以称为UFS 2.1，其数据读取速度将飙至1.5G/s，也就是UFS 2.0的两倍。那么UFS和eMMC有什么区别呢？区别在于，UFS 2.0的闪存规格则采用了新的标准，它使用的是串行接口，很像PATA、SATA的转换。并且它支持全双工运行，可同时读写操作，还支持指令队列。相比之下，eMMC是半双工，读写必须分开执行，指令也是打包的，在速度上就已经是略逊一筹了。而且UFS芯片不仅传输速度快，功耗也要比eMMC 5.0低一半，可以说是当下以及日后旗舰手机闪存的理想搭配。DDR和LPDDRDDR=Dual Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，其中，SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输;而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。▲DDR结构框架图而LPDDR是什么呢？它的全称是Low Power Double Data Rate SDRAM，是DDR的一种，又称为mDDR（Mobile DDR SDRAM）,是美国JEDEC固态技术协会（JEDEC Solid State Technology Association）面向低功耗内存而制定的通信标准，以低功耗和小体积著称，专门用于移动式电子产品。DDR内存经历了从DDR到DDR2、DDR3以及DDR4时代，而DDR5的时代目前还没有到来。从DDR、DDR2发展到DDR3，频率更高、电压更低的同时延迟也在不断变大，慢慢改变着内存子系统，而DDR4最重要的使命是提高频率和带宽，每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，拥有高达4266MHz的频率，内存容量最大可达到128GB，运行电压正常可降低到1.2V、1.1V。▲点击查看大图LPDDR的运行电压（工作电压）相比DDR的标准电压要低，从第一代LPDDR到如今的LPDDR4，每一代LPDDR都使内部读取大小和外部传输速度加倍。其中LPDDR4可提供32Gbps的带宽，输入/输出接口数据传输速度最高可达3200Mbps，电压降到了1.1V。至于最新的LPDDR4X，与LPDDR4相同，只是通过将I / O电压降低到0.6 V而不是1.1 V来节省额外的功耗，也就是更省电。
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Copyright (C) , All Rights Reserved.不比不知道 主流旗舰手机闪存速度评测
1旗舰手机闪存评测：闪存类型介绍　　【PConline 评测】现在很多旗舰的硬件配置已经赶超桌面PC，其中的闪存规格、技术也得到了长足的进步。现在市面上的大多数都是使用了更新规格、读取性能更优秀的闪存，那么在实际使用中，它们的读取速度性能有何差异？笔者就挑选了市面上受关注度较高的旗舰机型来进行对比。eMMC 5.0和UFS 2.0是什么？　　在进行对比之前，有必要跟大家科普一下什么是eMMC 5.0和UFS 2.0，先来介绍eMMC 5.0。eMMC的全称为&embedded Mul Media Card&，是由MMC协会所订立的、主要是针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器，它提供标准接口并管理闪存，eMMC利用的是它将主控制器、闪存颗粒整合到了一个小的BGA封装内。　　eMMC闪存规格的标准最初从eMM.3发展到eMMC4.4、eMMC4.5时代，直到日开始量产行业首款eMMC 5.0存储产品。eMMC 4.4的读取速度大约为104MB/s、eMMC 4.5则为200MB/s，性能在当时也是十分优秀的；而eMMC 5.0存储产品其读取速度为400MB/s，但是因为使用的是8位并行界面，即使是下一代eMMC 5.1其理论带宽为600MB/s左右，读取性能基本是达到了瓶颈。　　而UFS 2.0可以说是以闪存搅局者的角色出现。UFS 2.0使用的是串行界面，很像PATA、SATA的转换。并且它支持全双工运行，可同时读写操作，还支持指令队列。相比之下，eMMC是半双工，读写必须分开执行，指令也是打包的，在速度上就已经是略逊一筹了。而且UFS芯片不仅传输速度快，功耗也要比eMMC 5.0低一半，可以说是日后旗舰手机闪存的理想搭配。　　在传输速度方面，UFS 2.0可以说远远超过eMMC的。即使与当前最新的eMMC 5.0标准相比，UFS 2.0的速度也比eMMC 5.0高出3倍。UFS 2.0可以在UFS主机与闪存之间以全双工模式进行交换，读写可以同时执行。另外，UFS 2.0附加的控制通道可以有效地确保数据的安全传输，不必再因为读写操作而做不必要的等待，这是UFS 2.0获得更高速度的关键。据了解，UFS 2.0有两个版本，均有两个传输信道。HS-的理论带宽就有5.8Gbps，也就是超过了740MB/s，HS-更是翻番到11.6Gbps，接近了1.5GB/s，速度方面UFS 2.0完胜。　　另外，在功耗方面UFS 2.0也有更好表现。事实上如果从功耗方面来比较，即使是新一代的UFS 2.0标准也是能够与eMMC持平。不过eMMC和UFS 2.0在操作过程中消耗的功率约为1mW（毫瓦），而待机状态下功耗将低于0.5mW。当UFS 2.0满载时，所消耗的功率实际上比eMMC还要多，但它可以更快地完成操作而更早地切换到待机状态，因此在功耗方面的表现UFS 2.0要比eMMC更优秀一些。2旗舰手机闪存评测：闪存测试闪存读取速度实测　　上文就介绍了eMMC 5.0和UFS 2.0两种闪存规格，其中eMMC 5.0被现在大多数手机、旗舰手机所采用，而仅有少数厂商采用更新的UFS 2.0闪存标准。笔者分别挑选了采用eMMC 5.0标准的、、，和采用UFS 2.0标准的进行对比测试，测试方法是分别用闪存测试软件AndroBench、安兔兔和实际读取文件速度三个项目来进行对比： M9、MX4 Pro、　　虽然UFS 2.0的标准要比eMMC 5.0要快上许多，但在AndroBench测试中成绩却有些出乎人意料。经过多次测试之后，其结果显示四款手机的的各项读取性能基本处于同等位置，也就是说搭载UFS 2.0闪存的在这项测试中并没有领先对手太多，综合来看在这项测试中搭载eMMC 5.0闪存的Z9 Max的成绩是最好的，三星S6次之。HTC M9、Z9 MaxMX4 Pro、Galaxy S6　　而在安兔兔测试中，其IO性能一项中三星S6终于取得了第一名，在存储I/O和数据库I/O这两项性能中都要领先对手。不过三星S6虽然为第一名，但也没有领先对手太多，也是只以微弱的优势领先其他搭载eMMC 5.0闪存的机型，可见在软件性能测试中并不能够完全体验eMMC 5.0和UFS 2.0之间的性能差距。　　而在实际读取文件测试中（每台机型均测试三次，挑选时间最短），两者的差距就出来。笔者这里挑选了一个大小约为1.33G的文件拷贝到手机，而四款机型的成绩如上图。从测试成绩的来看，搭载UFS 2.0的三星S6就展现出比较明显的优势了，整个读取过程耗时40秒都不到，MX4 Pro成绩接近50秒，而HTC M9、Z9 Max均耗时50多秒，UFS 2.0的读取速度都要比eMMC 5.0的要快上25%左右。总结　　通过以上的介绍和测试可以知道，虽然UFS 2.0在理论成绩上要比eMMC 5.0快上许多，但在实际测试中两者的测距并没有想象中大，笔者猜测可能因为UFS 2.0现在还在初试阶段，性能没完全挖掘出来的原因。　　除了CPU，运行内存之外，手机的闪存芯片也是影响手机运行性能的一个重要优秀，现在的旗舰手机在这一方面的确没有令人失望，HTC M9、Z9 Max、MX4 Pro的表现都十分出色，而三星S6则要更好一些。而这些性能的提升，可以带来优秀的体验。
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