20n60c3场效应管参数fgh60n60可以替换w20nm60吗?

维修:场效应管7N60和10N60能互换吗_百度知道
维修:场效应管7N60和10N60能互换吗
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场效应管7N60和10N60后一个电流参数大些,多数情况下可以代换。
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^7~10^12Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。[1]尽管由于半导体材料的限制,以及曾经双极性晶体管比场效应晶体管容易制造,场效应晶体管比双极性晶体管要晚造出,但场效应晶体管的概念却比双极性晶体管早。
后一个电流参数大些,多数情况下可以代换。
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场效应管5N60能代替5N60C吗,哪个更好些
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FQPF5N60C场效应管可以直接使用5N60代换,或者使用FS5TM-14代换。FQPF5N60C场效应管的主要参数为:Vdss=600V,Id=4.5A,Pd=33W,RDS(on)= 2.5Ω;5N60的主要参数为:Vdss=600V,Id=4.5A,Pd=100W,RDS(on)= 2.4Ω;FS5TM-14的主要参数为:Vdss=700V,Id=5A,Pd=35W。
采纳率:82%
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都一样,都是5A600V的场效应管,加了C的只是改进型,可以互换,
哪个更好些
是5N60m和5N60c哪个好些
c的相对好些
要好的话,不如用10N60
不用这么高的5A就可以
越大功率越不易坏,不会有什么不良影响,只是成本稍高一些。
二极管uF5408工作时温度100度正常吗
不太正常,你是用在哪级整流呢?如果是高频电路就错了。
希望采纳。
正常温度多少
微温,电流有多大呢?
是负载问题吗
变压器是铁氧体磁芯的还是硅钢片的?
跟变压器有关吗
还是负载有问题
当然,高频和工频的整流管是不一样的。
是24v开关电源
是24v开关电源
高频就得用高速整流管
24v输出电压
那就选错整流管了,0V的低频管,你可以选用彩电+B整流管两只并连。
最好用的是电脑电源内的次级整流管,可达二十安左右,基本不热。
是24v开关电源,Dv 24v输出电压
是啊!选用高频低压大电流管就没错了。
也可以选用液晶电视报废电源上的高速半桥,外形象三极管,但它是内含两只二极管,中间脚为正极输出脚。
找维修店就很多。
嗯?你是厂家用的?
去电子元件批发市场联络吧!深圳的华强,赛格都能找到批发商。
只前用的是uF5404
选错了!V低频管,效率低,发热厉害。
uF5404温度要低些,可耐压低些
uF5404温度比uF5408要低20来度
你24V用400V还耐压低啊?建议贵厂招个专业技工协助。
到低什么原因
低频管不能代替高频高速管使用!
低频管不能代替高频高速管使用!
低频管不能代替高频高速管使用!
uF5408不就快速管吗
你被骗了,网上查找资料就明白了。
1N40xx系列及54xx系列都是针对市电频率50Hz或60Hz使用的低频整流二极管。前面1N是美产,其它是各国生产,参数都一样。
我这个用什么型号好
下午上班后我再帮你查资料吧!
我这个开关电源跟电瓶车充电器差不多
用FR307温度一直上升到烧坏
还是用uF5404和uF5405温度控制在60度左右
用RU4C或RF804试试
1N5822是市场上较为常见的一款二极管,关注度很高,大部分报价在0.2-0.3元之间波动。中文名:1N5822二极管外文名:1N5822分享基本参数二极管类型:Schottky电压, Vrrm:40V电流 平均:3A正向电压 Vf 最大:0.525V电流, Ifs 最大:80A工作温度范围:-65°C to +125°C封装形式:DO-201AD针脚数:2封装类型:DO-201AD正向电压, 于If:0.525V(0.55V)电流, Ifsm:80A结温, Tj 最高:125°C表面安装器件:轴向引线工作温度最低:-65°C工作温度最高:125°C输入电压 有效值:28V典型应用1N5822是典型的肖特基二极管,具有正向导通电压低(0.52V),反向击穿电压高(40V),反向击穿电流大(3A),多用于限流及保护电路。
这种电路用1N5822就够了
1N5822能用吗?耐压只有40v,也不是快恢复二极管啊
百分之八十的中小功率开关电源都用它,怎么不是快恢复管呢?你没看上面的参数吗?
你的电源是24V,5822是40V,你试后再说吧!
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种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:MOS-FBM/全桥组件,封装外形:P-DIT/塑料双列直插,材料:P-FET硅P沟道
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50N06是N沟道场效应管50安60伏的。irf840是8安500伏的,不能互换。场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
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50N06是N沟道场效应管50安60伏的。irf840是8安500伏的,不能互换。
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