曝三星TLC固态硬盘掉速问题依然存在
　　三星在TLC闪存上是最卖力的。这种廉价闪存虽然性能差点、寿命短点，但是便宜，而且无论理论还是实际测试都表明足够日常使用。可不知怎么的，TLC闪存的840 EVO去年被发现存在老数据读取速度下降的问题。尽管没有直接证据可以证明问题源于TLC，但人们心里还是有个疙瘩。(iPhone 6 TLC闪存问题更是闹得沸沸扬扬)
　　后来，三星通过更新固件修复了这个问题，似乎都过去了……
　　但是，三个月过去了，现在有不少用户抱怨说，掉速的问题依然存在，而他们早就刷新了修复固件。
　　这是某用户的HD Tach测试结果，平均读取速度还不到200MB/s，而且高低起伏很明显。
　　另一个人的情况稍微好些，但也有点不稳定。
　　又一位的，SSD Read Speed Tester(会根据文件日期分别显示各自的性能)跑下来310-330MB/s的样子，损失了足足200MB/s。
　　还有更多哦就不一一贴出来了，可以看看这个帖子。
　　TechReport已经就此联系了三星，正在等待官方回复。
　　他们的一位编辑就有块840 EVO，也刷过新固件了，但是测试发现没有异常，不过他最近开启了NTFS压缩，这会刷新数据，不能作为证据。
　　TechReport还同时公布了一些有趣的是测试数据。
　　修复固件刚发布的时候，他们在一块840 EVO 250GB里填满了电影、MP3、照片等，静置三个月，再拿出来进行测试。首先是HD Tach：
　　35MB/s的读取速度?这还是固态硬盘吗?!
　　SSD Read Speed Tester显示所有文件都是15个星期，平均读取速度45MB/s，部分超过100MB/s。
　　不但如此，传输率也受到了极大影响，从上边往外拷贝文件速度也极慢。
　　接下来重新格式化，载入原来的数据，再跑一遍：
　　满血复活。HD Tach 430MB/s，提升12倍。
　　SSD Read Speed Tester更是高达529MB/s，提升10倍。
　　不过，总不能过一段时间就格一次吧?
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曝三星TLC固态硬盘掉速问题依然存在
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但是，三个月过去了，现在有不少用户抱怨说，掉速的问题依然存在，而他们早就刷新了修复固件。,
三星在TLC闪存上是最卖力的。这种廉价闪存虽然性能差点、寿命短点，但是便宜，而且无论理论还是实际测试都表明足够日常使用。可不知怎么的，TLC闪存的840 EVO去年被发现存在老数据读取速度下降的问题。尽管没有直接证据可以证明问题源于TLC，但人们心里还是有个疙瘩。(iPhone 6 TLC闪存问题更是闹得沸沸扬扬) 后来，三星通过更新固件修复了这个问题，似乎都过去了&& 但是，三个月过去了，现在有不少用户抱怨说，掉速的问题依然存在，而他们早就刷新了修复固件。
这是某用户的HD Tach测试结果，平均读取速度还不到200MB/s，而且高低起伏很明显。&
另一个人的情况稍微好些，但也有点不稳定。
又一位的，SSD Read Speed Tester(会根据文件日期分别显示各自的性能)跑下来310-330MB/s的样子，损失了足足200MB/s。 还有更多哦就不一一贴出来了，可以看看这个帖子。 TechReport已经就此联系了三星，正在等待官方回复。 他们的一位编辑就有块840 EVO，也刷过新固件了，但是测试发现没有异常，不过他最近开启了NTFS压缩，这会刷新数据，不能作为证据。 TechReport还同时公布了一些有趣的是测试数据。 修复固件刚发布的时候，他们在一块840 EVO 250GB里填满了电影、MP3、照片等，静置三个月，再拿出来进行测试。首先是HD Tach：
35MB/s的读取速度？这还是固态硬盘吗？！
SSD Read Speed Tester显示所有文件都是15个星期，平均读取速度45MB/s，部分超过100MB/s。 不但如此，传输率也受到了极大影响，从上边往外拷贝文件速度也极慢。 接下来重新格式化，载入原来的数据，再跑一遍：
满血复活。HD Tach&430MB/s，提升12倍。
SSD Read Speed Tester更是高达529MB/s，提升10倍。 不过，总不能过一段时间就格一次吧？
[责任编辑：朱羽寒]
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48小时点击排行三星SSD掉速问题解决了吗？
我当初购买的是三星 EVO 840固态，现在发现也存在掉速问题，想问问这个可以解决吗？
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早在去年，外媒就爆料称采用TLC闪存的三星840 EVO SSD存在很严重的掉速问题。如果你的840 EVO里有一些数据很长时间没动过了，比如说一个月，那么相应区块的读取性能会出现大幅度下滑，在测试中极为明显。现在，外媒又把这件事情扯了出来，因为三星目前还没有彻底修复这个问题。但值得一提的是，三星在此前曾不止一次发布针对840 EVO的固件，但究竟有没有用还不是很清楚。据了解，掉速问题的根源在于19nm TLC NAND闪存本身，Cell单元的充电电荷会随时间衰减，导致硬盘在获取正确数据的时候不得不反复尝试读取 ，进而影响性能，所以是不可能从根本上解决的。而三星的方法只不过是间歇性地强制刷新数据，从而避免数据“变老”。当然，这种问题只存在于三星这一款TLC闪存上，目前并没有任何证据显示TLC闪存就一定会有问题 ，所以那些正在使用TLC闪存固态硬盘或者iPhone 6的用户们完全不用太担心。
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目前的三星SSD确实存在严重的掉速问题，尤其是三星EVO 840系列SSD，期间三星曾多次发布了新的固件来解决问题，但是故障依然如此。三星到如今依然没有解决这一困扰已久的问题。据了解，掉速问题的根源在于19nm TLC NAND闪存本身，Cell单元的充电电荷会随时间衰减，导致硬盘在获取正确数据的时候不得不反复尝试读取，进而影响性能，所以是不可能从根本上解决的。目前最好的办法是不间断使用这款SSD，尽量不要较长时间搁置或是不开电脑，否则掉速问题依旧。
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微信关注问题方法“”不敢买TLC SSD？看看这篇深度分析文 -TB前卫网TB前卫网店铺大全为您精选最好的精品店铺导航，欢迎您。上一篇：当前位置：>>从前，大家谈TLC色变;如今，TLC攻占SSD半壁河山。是的，这个世界就是这么巧妙。无非，如果当你浏览过三年前小编撰写的《你骂我仍是要说!TLC引领SSD发展新趋势》一文，你就不会觉得那末意外了。小编仍是有先见之明了。好啦，不抬高自己了，做人要谦虚。回归今天的主题，尽管TLC早已经盘踞主流地位，但传言多了、百度多了，不少消费者仍是抱有“怕”的态度，这一期的《SSD故事会》，带着大家的问题，咱们就来详细知道TLC。●TLC是甚么?为什么TLC的价格最廉价?固态硬盘就是靠NAND Flash闪存芯片存储数据的，这点相似于咱们常见的U盘。NAND Flash依据存储原理分为三种，SLC、MLC、TLC。SLC = Single-Level Cell，即1 bit per cell，1个存储器保存单元可寄存1 bit的数据，只存在0以及1两个充电值。以此类推，TLC = Triple-Level Cell，即3 bit per cell，1个存储器保存单元可寄存3 bit的数据。TLC SSD本钱低，容易实现大容量，单位容量的存储器，可以存储更多的数据，所以TLC每一百万字节出产本钱是最低的。●TLC的工作原理?小编尽可能用通俗语言解释。依据NAND的物理结构，NAND是通过绝缘层存储数据的。当你要写入数据，需要施加电压并构成一个电场，这样电子就能够通过绝缘体进入到存储单元，此时完成写入数据。如果要删除了存储单元(数据)，则要再次施加电压让电子穿过绝缘层，从而离开存储单元。所以，NAND闪存在从新写入新数据以前必需要删除了原来数据。因为TLC的1个存储器保存单元可寄存3 bit的数据，为了区别，必需使用不同电压来实现。除了了能够实现以及SLC同样的000(TLC)=0(SLC)以及111(TLC)=1(SLC)外、还有此外六种数据格式必需采取其他不同的电压来区别，让不同数量的电子进入到存储单元，实现不同的数据表述。这样，才能让TLC实现单位存储单元寄存比SLC、MLC更多数据的目的。●为什么TLC的机能在三种介质中最差?因为数据写入到TLC中需要八种不同电压状况， 而施加不同的电压状况、特别是相对于较高的电压，需要更长的时间才能得以实现(电压不断增高的进程，直到适合的电压值被发现才算完成)。所以，在TLC中数据所需走访时间更长，因而传输速度更慢。经由实测，平等技术前提下，TLC的SSD机能是比不上MLC SSD的。●为什么之前TLC不时尚?为何没有机械结构的SSD仍是呈现寿命问题?由于依照工作原理，闪存单元每一次写入或者擦除了的施加电压进程都会致使绝缘体硅氧化物的物理消耗。这东西原本就只有区区10纳米的厚度，每一进行一次电子穿越就会变薄一些。主控后进的时期，TLC NAND在长时间使用后容易呈现异样也正由于如斯，硅氧化物愈来愈薄，电子可能会滞留在二氧化硅绝缘层，擦写时间也会因而延长，由于在到达什么时候的电压以前需要更长期、更高的加压。主节制器是没法扭转编程以及擦写电压的。如果本来设计的电压值工作异样，主控就会尝试不同的电压，这自然需要时间，也会给硅氧化物带来更多压力，加速了消耗。最后，主控节制编程以及擦写一个TLC闪存单元所需要的时间也愈来愈长，终究到达严重影响机能、没法接受的境地，闪存区块也就废了。越先进制程，NAND的电子干扰更为严重。同时，传统的2D闪存在到达必定密度以后每一个电源存储的电荷量会降落，消耗后的TLC绝缘层，相邻的存储单元也会发生电荷干扰，发展到20nm工艺以后，Cell单元之间的干扰现象更为严重，如果数据长期不刷新的话就会呈现像以前三星840 Evo那样的读取旧文件会掉速的现象。所以，新主控等新技术开发以前，厂商一直不敢将TLC SSD推出市场，不可防止地呈现可靠性问题，毕竟数据大于一切。●人们为什么会耽心TLC寿命?因为TLC采取不同的电压状况，加之存储容量多，击穿绝缘层次数也比其他介质多，于是加速了绝缘层的消耗进程。所以，TLC SSD的寿命比SLC、MLC短得多。一开始TLC的P/E寿命只有不到1000次，然而经由厂商改良算法和优化主控，晋升到次。相比之下，MLC有次擦写寿命。如果用户的PC只有TLC SSD，那末在日常使用环境下，如果一个120GB SSD的P/E寿命只有不到1000次，并且每一天写入60GB的数据，那末不到五年，SSD就会报废。在目前机能多余时期，这寿命是十分吓人的，所以之前人们十分耽心TLC SSD的寿命问题。●最近TLC SSD为什么“倒行逆施”般井喷?三星 850 EVO、东芝 Q300、英睿达BX200……咱们耳熟能详的SSD厂商都在2015年大范围推出了TLC SSD，气概磅礴。既然咱们以前说了TLC那末多的不足，为什么厂商仍然推行呢?不是搬石头砸自己脚吗?东芝 TC58NC1000GSB主控支撑Smart ECC、Smart Flush0等技术。这一年来，SSD厂商最大的功勋就是解决了TLC的P/E寿命问题，让TLC SSD的寿命上升到咱们使用一台电脑正常周期上。主控算法的好坏会对于机能以及寿命造成无比大的影响，目前SSD厂商在主控技术长进行了很大的改良，信号处理，更强的ECC算法、扩展备用区域的容量增添预留空间等技术利用，从TLC的500-⑴000次P/E晋升到目前的次，必定程度上保证了可靠性与寿命。咱们了解TLC的机能比较差，特别写入机能上，SSD厂商就通过SLC Cache的运用，只要制造一个大容量的缓冲区用户良多时候就不会感觉得到写入速度慢，而且SLC Cache玩得好还有延长寿命的作用。此外，SSD厂商对于于TLC SSD的质保晋升到与MLC SSD基本一致的水平，比如三星 TLC SSD的质保通常是五年，让消费者在这五年的使用中高枕无忧。加之TLC天生的价格优势，和金字招牌，的确有很大的吸引力。愈来愈多的厂商介入到TLC SSD的竞争中，价格不断走低，让不少对于SSD感兴致的朋友尝鲜一把，助长了TLC SSD的壮大。●TLC的未来?TLC的逆袭就是取长补短的道理。有市场，就有进步，相信厂商会对于TLC技术进行更多的钻研，保证物美价廉的TLC继续生存下去。3D NAND闪存对照2D有着寿命优势比如三星3D NAND闪存就是TLC的一个首要方向。3D NAND是再也不寻求缩小Cell单元，而是通过3D重叠技术封装更多Cell单元，所以咱们没必要要寻求更先进的制程，毕竟制程约先进，寿命反而越差。所以，可使用相对于更旧的工艺来出产3D NAND闪存，使用旧工艺的益处就是P/E擦写次数大幅晋升，而且电荷干扰的情况也由于使用旧工艺而大幅减少。未来的3D NAND可能都会做成可以MLC与TLC工作模式互相切换，也就是用TLC屏蔽一半容量、来充当MLC，也就是各种所谓的3bit MLC技术立异。相似地，东芝的Q300以及OCZ TRION 100用的仍是更长寿不乱的企业级eTLC听起来SLC、MLC、TLC再也不是泾渭分明。●面对于TLC，咱们应当怎样做?依据行业的动静可知，入门与主流已经经是TLC的天下，MLC则继续在高端领域施展它作用。厂商是产品与技术的推进者，咱们作为消费者只能被动接受他人的游戏规则。TLC SSD趋势不能阻挡尽管TLC SSD的机能比无非用MLC的SSD，但再糟糕糕都比HDD要好得多。所以咱们要有这个观念。第二，在TLC的推进下，240GB的SSD已经经不用400元就能入手，性价比十分不错。总之，TLC再也不是吴下阿蒙，所以咱们没必要再耽心TLC的种种顾虑，纵情使用吧!毕竟质保放在这呢。逐日获奖公布本日获奖网友（chuan）取得帅帅的DOTA2官方正版衬衫一件今天文章点赞最高，且超过30的小火伴，便可取得萌萌哒U盘一个未领奖用户：有为青年、Andy、卡巴大刀队成员每一天发表评论，即有机会取得喔科普数码科技冷知识发掘传布科技趣闻
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