切记：现在千万别买内存/SSD！内幕吐血..
06:39:06 Loading 编辑：雪花
近段时间以来，DIY市场振动不断，从显卡到内存，从硬盘到CPU，各条产品线在价格上都出现了较大波动。从暑假期间的&挖矿&引发显卡价格疯长，到如今英特尔全新八代CPU发售引发的CPU全行业缺货，无一不让普通DIY用户苦恼，为何每当要装机时，各种硬件都在涨价呢？
当然除了这些偶然因素引发的DIY硬件涨价外，从去年第三季度开始一路疯涨的固态硬盘，以及进而引发的内存产品在内的全系存储产品的价格狂飙。
特别是当看到一年前，还仅仅只卖不到200元的8GB内存条，现如今居然卖到了800、900元的高价时，更是让笔者在内的DIY忠实爱好者，不禁感叹，&早知道，囤点内存条就好了&。
存储产品在疯狂涨价一年后，并没有降价的迹象，究其原因，业界其实早有定论。无外乎，闪存颗粒缺货。那么闪存颗粒的缺货为什么会导致存储产品的长久性的涨价？闪存颗粒到底又是何物？存储产品和闪存颗粒又有哪些联系？下面，笔者就从此次存储产品涨价风波出发，和大家一起谈谈闪存颗粒那些事。
存储颗粒决定产品成本
所谓闪存颗粒，通常都简称为闪存。 它其实是一种非易失性存储器，即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据，而且是以固定的区块为单位，而不是以单个的字节为单位。
同时闪存不像RAM(随机存取存储器)一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM；但是在工艺上，无论是闪存颗粒、还是内存的DRAM颗粒，亦或是手机内存 RAM颗粒，甚至是显卡产品上的显存颗粒，都是大同小异的，都是在通过晶圆厂商的切割后，在不同组装线上进行精细化的加工合成。
回到闪存颗粒上，由于闪存具有非易失性（即断电后还能保存数据的特性），以及具有稳定性、高性能、小体积等诸多优点，成为了当下存储产品首选存储原料。
所谓&固态硬盘&名称的由来，也是源于闪存颗粒远优于传统机械硬盘中机械磁盘的坚固牢靠等特点。可以说，固态硬盘的出现和大发展，大部分要归功于闪存技术的发展和革新，因而固态硬盘内部的绝大部分成本，或者说存储产品内部的绝大部分成本都取决于存储颗粒。
闪存颗粒的技术和发展现状
由于闪存颗粒在当代对于存储产品的重要性，根据其内部电子结构不同，全球闪存产品主要有三种，SLC（单层次存储单元）、MLC（双层存储单元）以及TLC(三层存储单元)，此三种存储单元在寿命以及造价上有着明显的区别。
SLC（单层式存储），单层电子结构，写入数据时电压变化区间小，寿命最长，但是造价昂贵，多用于企业级高端产品。
MLC（多层式存储），使用高低电压的而不同构建的双层电子结构，寿命相对较长长，造价可接受，多用民用高端产品。
TLC（三层式存储），是MLC闪存延伸，TLC达到3bit/cell。存储密度最高，容量是MLC的1.5倍。 造价成本最低， 使命寿命相对较低，性价比高，是当下主流厂商首选闪存颗粒。
除此之外，近年来部分存储巨头，甚至已经在研发拥有四层存储单元、更高的存储密度的QLC闪存颗粒。当然，除了在平面上进行单个晶圆内部的存储容量的研发外，更加成熟、更加激进的研发方向其实是在3D立体存储容量上的革新，即3D NAND闪存技术。
所谓3D NAND闪存技术，其实就是在原本只有两个方向即平面上进行颗粒排列的晶圆上，通过技术手段，进行颗粒的叠加，即在垂直方向上进行多个颗粒的堆叠，以实现单个晶圆的存储容量的大规模提升。
可以简单理解为，2D NAND技术就如同在一片空地上建造平房，但是空地面积是有限，超过空地总面积，也无法建造新的平房，而这些平房就可以理解为存储空间。相对应的3D NAND技术就像是同一片空地上建造楼房，理论上可以无限延伸内部空间，即使空地面积完全建完，也可以通过提高楼房的高度，创造新的空间。
如今，闪存行业，比较成熟和性价比高的技术依旧是64层3D NAND技术，在今年年底72层3D NAND技术应该可以实现较大的突破，甚至实现大规模量产，更有甚者部分领军企业已经在研发96层以及更高堆叠层数的3D NAND颗粒了。
存储产品涨价的内外因分析
在了解了相当多的闪存知识之后，我们可以再回过头来，一起聊聊存储产品为何会出现如此的暴涨。核心原因，以闪存颗粒为代表的原材料缺货，这里不单提闪存颗粒，是因为内存等产品其实是DARM颗粒的缺货，以免引发争议，其实本质上二者的原料和工艺相差不大。
那么闪存颗粒等原材料为何缺货呢？一聊到这里，不少热心网友一定会热血沸腾、煞有其事的说到，&肯定是三星等闪存厂商背后操纵产量，引发缺货，价格上涨&。
对于此，笔者不发表任何态度，对于阴谋论，什么时候都会有，任何事件都会有人提，在这里笔者仅仅说说个人看法。闪存颗粒等原材料（包括内存DARM颗粒）的原因，主要有两个，也可以说是两方面。一方面是内因，另一个是外因。
内因是，晶圆技术不够成熟，良品率不高，导致供不应求。以闪存颗粒技术为例，在去年三季度固态硬盘价格疯涨最厉害的时间段，东芝、三星等主要闪存厂商都在加紧研发64层3D NAND技术，可不幸的是研发的结果不容乐观，良品率相当低下；
不仅不能按照原计划上市基于64层3D NAND技术的全新固态产品，而且原有的48层3D NAND产品线也为了给64层3D NAND产品线让道而无法继续再生产，导致固态硬盘产品在去年三季度价格暴涨，直到今年年中64层3D NAND产品线的成熟才勉强涨停。
然而，随着需求的提升，来到今年三季度，64层3D NAND已然跟不上市场需求，72层3D NAND技术的成熟与否，则会决定下一年固态硬盘产品的走向。
外因则是，手机等产品线对于大容量存储颗粒的旺盛需求，以及手机厂商极大地利润率带来的高议价能力，让主流的晶圆厂商更加乐意为手机等新兴产品线提供原材料以及存储颗粒，相对应的分配给传统存储厂商的原材料及存储颗粒的大幅减少，自然而然的导致成品的缺货，价格大涨。
暴涨后必然回归正常
在内因和外因的双重影响下，存储产品价格的疯狂上涨也是可以理解的。那么，这种疯狂上涨是否会一直持续下去呢？
正所谓，&月盈则亏 月亏则满&，市场规律下任何产品都会经历高峰和低谷。此次存储产品的疯狂涨价，只是存储行业的周期性波动，和以往任何一次存储业界的价格波动一样，在持续疯涨后一定会迎来回归。
原因也有二，一是随着手机等新兴产业的拐点到来，对于存储颗粒等井喷式的需求降低，手机厂商的议价能力和利润率的双降，主要的闪存厂商的大规模供货还是会回归到传统的硬件存储市场。
其二，技术的研发总是越来越快，成熟度和良品率也会越来越高，造价也会越来越低；偶尔一次的研发不理想并不会影响整个产业发展和技术研发。综上所述，在当下存储产品暴涨风暴中，无论是作为DIY发烧友，还是普通玩家，都应该以正常心态应对，特别是有着攒机需求的朋友，还是应该根据自己的真实需求进行合理攒机。内存涨价？这才是真相：国外涨幅并不大
这一波内存涨价导致的混乱不止如此，美亚上甚至出现了更高频的DDR4-2666 Fury内存比DDR4-2400内存还要便宜的情况。
国内市场上也是如此，无马甲的普条金士顿8GB内存也要899元了，比很多厂商的高端内存条都要贵，实在让人搞不明白。
总的来看，美国市场上内存虽然也是大涨价，但是8GB单条在美亚上还是能找到80-85美元售价的产品，折合人民币530-560元，就算考虑到税费邮费，这价格依然要比国内便宜很多，所以很多人高价内存逼得走起了曲线救国的道路&&从美亚海淘内存来装机，真不知道这种情况是该哭还是该笑。
现在内存涨价已经搅乱了整个市场，而在这次事件中中国的消费者显然承受了更多的涨价压力，谁让中国不仅是最大的PC市场，但在内存市场毫无话语权呢，当初199元8G单条的好日子可能很久不会再见到了。普通消费者对此情况也无力改变，内存要想回归之前的价格水平，只能寄希望国内厂商杀入内存市场，让三星、SK Hynix、美光以及金士顿等厂商感受到竞争压力。
苹果已经确定于6月4日在加州圣何塞召开WWDC 2018。在此次大会上，苹果将正式发布多款产品系...
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本文来自微信公众号“Wind资讯”，原标题为《不按套路出牌?内存竟然降价了，真相让人意想不到》。今年来，内存条供不应求，不少产品价格翻番，网友吐槽其为“年度最佳理财产品”。而就在近日，有报道称内存条生产商三星和SK海力士决定扩大DRAM产能，压低价格。三星为何要突然扩大产能?这对国内产业来说又意味着什么?韩国内存巨头要降价了根据观察者网援引外媒称，最常见的DRAM内存生产商三星和SK海力士决定扩大DRAM的产能，压低价格。DRAM作为半导体存储器的产品类型之一，常见产品形态是内存条，主要的应用市场是PC、智能手机和企业服务器。目前DRAM的市场格局仍以三星电子、美光科技、SK海力士三大寡头竞争为主。2017年三季度，三家市占率加起来有95%，三星占有绝对领先地位，去年年底的市场份额达到64.5%。报道预计，如果两大巨头继续增产，那么全球DRAM的供求情况就会发生逆转，DRAM价格也将暴跌，各个DRAM生产商也就会陷入“懦夫游戏”的局面。韩国半导体行业专家认为，三星电子和sk海力士做此决策，是为了巩固自身的市场主导权，同时将后来者挤出这一领域。韩国现代汽车投资证券中心负责人卢根昌称，自21世纪初到现在，有20多家企业在DRAM生产领域进行过多轮“懦夫游戏”，最终仅剩三星、海力士、美光三大家。他们将为防止后来者进入这一领域进行激烈竞争。韩国业内称，三星将那些在DRAM价格处于高位时改善了经营状况并开始扩大投资规模的生产商们视为隐患，所以会急不可耐地增产，压低价格，从而使那些后来者们犹豫是否要继续扩大投资，而三星则可以借此扩大市场占有率。而在那些被三星视为隐患的企业中，最让三星担心的就是中国企业。观察者网援引外媒报道称，业内都将韩国DRAM厂商的这轮“懦夫游戏”视为打压中国半导体行业崛起的手段。因为包括清华紫光、福建晋华在内的中国企业已经进军了DRAM领域。不过，由于中企目前的生产效率还比不上韩企，因此一旦DRAM价格下跌，那么中企就会陷入亏损。而此前，从IC Insights公布的数据来看，2017年DRAM内存芯片的位元容量增长不过15-20%，这点增长相对市场需求来说只是杯水车薪，并不能改变供不应求的局面。而现在一旦韩国巨头开始增产，市场将呈现不同的格局。国内内存已开始降价了?在过去半年内，内存条曾被网友吐槽为“年度最佳理财产品”。在金士顿京东自营旗舰店中，广泛流行的金士顿骇客神条Fury DDR4-2400 8GB产品，在去年仅需要300多元，今年上半年，需要470元左右，而此后便一路水涨船高。直到10月底，该产品的价格已经到达969元的高位。也就是说，这半年来，该内存条翻了一倍多。这仅仅是今年内存条市场的一个缩影。而进入11月份，这个情形有了稍许的变化。11月4日，金士顿骇客神条Fury DDR4-2400 8GB从969元的高位一举降到899元。业内人士称，在11月1日，最低的时候，该款产品降到849元，降幅超过12%，基本回到了一个月前的水平。与此同时，DDR4-2133 8GB也从929元小幅降至899元，便宜了大约3%。从京东产品页面看，不少内存条都被打上“降价通知”，目前看来是完全现货，无需抢购。不过业内人士指出，从大环境看，三星即便立即开始增产，反映到销售渠道也需要很长的时间，至于中国投入DRAM内存研发，周期更是数年计，所以目测未来一段时间内，内存价格仍然会居高不下，有需要的用户必然要继续纠结。中国芯片自给率低，国家大力扶持三星的担忧不无道理。在资金层面，我国设立了总规模近1400亿的国家集成电路产业投资基金;地方政府也积极响应扶持响应的产业链。预计到今年年末，新建10座晶圆厂。目前，中国现在已建设4大半导体产业群，主要分布在珠三角、长三角、京津环渤海圈及中西部地区。有消息称，等明年年中，中国第一批4个半导体芯片基地投产后，内存条和固态硬盘以及手机闪存的价格有可能出现断崖式下跌。毕竟预计4个基地产能可以达到目前世界产能的100%，也就是全世界半导体产能将增加一倍，供不应求的局面有望打破，内存价格的下跌也就是理所当然了。《国家集成电路产业发展推进纲要》提出，到2020年我国半导体产业年增长率不低于20%。《中国制造2025》明确提出，2020年我国芯片自给率要达到40%，2025年要达到50%的标杆。工信部的相关实施方案提出的新目标是：10年内力争实现70%芯片自主保障，且部分达到国际领先水平。近日，我国的芯片设计公司兆易创新发布公告，宣布与合肥市产业投资控股(集团)有限公司于10月26日签署了《关于存储器研发项目之合作协议》。根据协议，双方将在合肥市经济技术开发区合作开展300mm晶圆(12英寸)、19nm工艺存储器的研发项目，包括DRAM内存颗粒，总预算约为180亿元人民币，兆易创新与合肥产投按照1:4的比例负责筹集。兆易创新强调，本项目研发阶段设计产能较小，为片晶圆每月，尚无法达到批量生产标准，而且中国大陆目前无DRAM产业技术积累，再加上人才引进、知识产权和设备进口等因素影响，研发能否成功存在不确定性。业内指出，虽然研发和量产都有很大的不确定性，也难以在短期内对抗国际大厂，但是我国能够有这样做的企业还是具有巨大意义的，不但可以动摇国际市场上的垄断局面，也能激励其他大厂来占据市场，早日实现我国对存储颗粒的自主权。国产芯片概念股攻势再起有业内人士指出，随着国家资金支持，国内产业将迎来加速发展期。半导体行业协会(SIA)最新数据显示，8月份全球半导体销售额达到350亿美元，创月度销售额的历史新高。今年全球半导体出货量预计突破4000亿美元，行业自去年四季度已进入4-6年的新需求景气周期。另据美国调查公司高德纳统计，2016年世界半导体市场规模达到3435亿美元，预测到2021年将增长约30%，达到4317亿美元。投资者可以通过交易所交易基金(ETF)分散投资周期性强的半导体行业，减少集中持股风险。国内半导体企业还受益全球产能转移和中国跻身全球最大半导体消费市场，前景更加广阔。西南证券表示，坚定看好国产芯片行业的崛起，并结合产业链的分析，建议重点关注细分领域行业格局较为明朗、受益逻辑确定性较高的子行业以及相关龙头上市公司，如芯片制造环节的晶圆代工龙头：(00981)。(编辑：胡敏)}