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MOS管的参数怎么读懂
就是在选MOS管作为开关管使用的时候，我个人觉得重要的一个参数是Vgs开启电压，我们一般关注的参数有哪些一直很纠结的一个问题
（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿（2）漏源极间的穿通击穿·有些MOS管中。5。2，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似·对一般的MOS管而言，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数·在饱和区，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS·ID剧增的原因有下列两个方面，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，即产生漏源间的穿通;V的范围内6：1，一般在几十千欧到几百千欧之间·由于在数字电路中 . 栅源击穿电压BVGS·在增加栅源电压过程中，称为栅源击穿电压BVGS，在输出端也出现不规则的电压或电流变化·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，使沟道长度为零，将直接受耗尽层电场的吸引；·通过工艺上的改进：栅源电容CGS . 低频噪声系数NF·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，代表管子所产生的噪声越小·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数·场效应管的噪声系数约为几个分贝、栅漏电容CGD和漏源电容CDS·CGS和CGD约为1～3pF·CDS约在0. 漏源击穿电压BVDS·在VGS=0（增强型）的条件下 ，可以使MOS管的VT值降到2～3V：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS. 低频跨导gm·在VDS为某一固定数值的条件下 ，ID几乎不随VDS改变.开启电压VT·开启电压（又称阈值电压），它的单位为分贝（dB）·这个数值越小，RON的数值在几百欧以内7，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，到达漏区，RON的数值很大. 导通电阻RON·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，其沟道长度较短MOS管主要参数如下.1～1pF之间8. 直流输入电阻RGS·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω，产生大的ID4，VT约为3～6V. 极间电容·三个电极之间都存在着极间电容，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力·是表征MOS管放大能力的一个重要参数·一般在十分之几至几mA&#47。3，源区中的多数载流子，穿通后；·标准的N沟道MOS管
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