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的难受，不是简单的头发蒙，颚部附近连同鼻子难受甚至影响到眼睛都有感觉，一直不知道什么原因。最初以为是扁桃体引起的，实际不是。
我的个案，我的经验，如果饭 ... 阿莫西林是消炎药，这是啥原因
卿当头悬梁，锥刺股，以报单位发工资之情。
阿莫西林不能经常吃吧，我都不吃药的 回复 11楼 wangfuchong 的帖子 这个太狠了吧 回复 14楼 yangxf1217 的帖子 冷水+毛巾, 放在手边...
我写的wstt的那个boosterpack，我那个电容触摸的threshold相关部分肯定是有笔误（比较急嘛），不过运行起来还没看出来，不过看来没什么人下载，因为没人指出来嘛，也就不翻出来改了。东西也不在手边再试一下。...
，虽然说关断状态下，输入端口呈高阻状态，但是内部都是由三极管或者场效应管构成的电路，在大电压的情况下会不会出问题，我手边没有器件，也做不了测试，烦请知道的坛友说一下，如果不行的话，还是只能用回继电器了
大家帮帮忙，谢谢。 想知道常用的模拟开关（小于5V）的输入端口耐压值是多少？ 找一个耐压大于30V的三极管即可，，或者随便大于30V的MOS管做即可
但是要求模拟开关对输入的被测信号不能衰减或者引入...
如题，LaunchPad 430 G2553 读写EEPROM 24C02的程序
根据TI官方的SLAA208C的application note修改，理论上支持24c01/02/04/08/16的读写，不过手边只有24C02，所以只在24C02上测试过
硬件：launchpad上的vcc，通过两个5.1k的电阻，将i2c的sda和scl上拉，然后接到24c02上，24c02的wp,a0...
需要的留下邮箱。QQ: 有需要GE NOVA汽车胎压传感器NPP-301资料的，留下邮箱 谢谢楼主，最近研究胎压系统，给份资料呗
已发送至邮箱 回复 沙发 nk2007sui 的帖子
谢谢，学习一下，手边没有资料
正好有LPC的板子在手边，下来看看
:):):)先看看吧，
[quote][size=2][url=forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=1304374&ptid=326227][color=#999999]sividi01 发表于
20:30[/color][/url][/size]
冒昧的问一下，大家为什么不更多的使用...
我也用msp430的IO模拟I2C，发现总是收不到从设备的ACK信号，但是手边没示波器，没法深入调试，我估计应该是430的IO口的问题，但是去看datasheet没有怎么看明白，因为430的IO口电路看起来很复杂，一堆的门电路。
我的想法是等我验证好了从设备是好的时候，我就将SDA线一分为2，另外再用一个IO专门读取ACK（不过，还没仔细考虑会不会出问题），同时加两级反相器作缓冲器用，用反相器...
，创建 项目文件 时，一定要选择 第一个 空项目文件
&& 笔者第一次就因为没有参考入门资料，自己瞎猜，选择了 第三个，导致我根本无法编译。
&& 此外，我注意到了，它居然提供了C++编译器！！
2 现在我们已经有了壳，你可以在 Workspace窗口 ，也就是左手边的这个，我们常叫它 项目管理窗口...
和每个高低电平的时间数 放在寄存器里 那么既然你要做的就是 用自己手边的单片机 把寄存器的值显示到 数码管上&把数据记录下来 然后分析&找出规律 得出你想要的结果 在这个过程中&我相信反是喜欢搞砖研的 都会享受这个过程&&&）&&&&&&&&&nbsp...
吧！！！TI Industrial Sample Box DataSheet：OPA2333：零漂移CMOS 运算放大器datasheet&应用手册http://bbs.eeworld.com.cn/thread--1.htmlOPA2188：36V 零漂移运算放大器 datasheet&应用手册http://bbs...
我大学时学的也是电类专业，大学的时候玩过51系列的单片机，玩过fpga，对avr，pic、arm、msp430也略有简单的了解，记得上学的时候也也有eeworld的帐号，不过毕业后进了其他行业，好久没上过，现在用户名和密码都忘了.虽然工作中暂时用不到，但是现在想拾起以前的爱好，在闲暇之余做点小东西，自娱自乐。手边没有工具，看到团购开发板，这么实惠，所以我又从新注册了个帐号。
请不要鄙视...
你的相机、手机，用文字用照片来寻找您身边的“Xilinx”吧！    活动链接：http://event.weibo.com/256277 【xilinx活动推荐】寻找您身边的&X&摄影大赛 一定支持管理员的活动，拿起我手边的照相机，拍一拍我们的Xilinx，拍一拍我们身边的xilinx.........
，查到一个叫TouchKit,.哇塞，人家15寸，还是触屏，也才300多。
又查了查，果断有驱动板，并且还有资料，是 各种操作系统的 驱程。
不过到了这步，对它的控制是不是就如同一般显示器呢——我接触过使用SDL这款第三方多媒体库做过简单的图像显示程序
貌似再问很弱智，于是打开手边的两本 嵌入式设备的书瞧一瞧吧
串口屏就是像迪文那种屏，自己用过，挺方便！通过单片机串口收发指令来操作！速度...
&&免费从TI申请了DK-LM3S8962这块板，放在手边玩了很久，感觉内置以太网比较爽，还有CAN，但是没有USB,且没有并行总线无法扩展RAM 和NAND FLASH，及大尺寸LCD屏（SPI口的太慢）。也许这就是8962的定位吧。LM3S9B96就比较好主频到了80MHz 可以扩展SDRAM SRAM FLASH并行总线的LCD，以太网，USB 基础功能很全。 TI...
！”“忘掉什么？”“长大后的烦恼！”我若有所思的说着，可是她并没有注意到我的反常，我看看手表，他们快到了，我一回头看见远处任晓在向我边挥手边走来，后面跟着的正是好久没见的管鸣一……　　　　“你好！好久不见！”管鸣一看都没看我一眼直接奔主题而去，刘珂先是一惊，然后看着任晓挎着我的胳膊对她说：“你好！刘珂！一直也没和你介绍，管鸣一是我哥！呵呵，不过跟你和刘可不一样，我们不是孪生的！”“呵呵！我就说我们是有缘...
是430重启了呢？还是430完全没反应了？
绝大多数情况是死机，偶尔重启。。我想不明白用2个整流桥地线已经都隔开了干扰怎么传到单片机那里的
请问可以加些什么吸收干扰的措施呢？ 回复 板凳 chunyang 的帖子 貌似，不相信我，算了。
[ 本帖最后由 cat3902982 于
12:34 编辑 ] 回复 6楼 shiika 的帖子 不是不相信您，现在板子不在手边，还没去试...
”，“向前走一步”（你不要指望有什么 走两步，走三步.....）& & &&& & & 然后，想象一下，如果有个人要你从一个正方形点走到它对角线上的另一个点，并假设，正方形的边长等于两步距离。它该给你写一些什么指令呢？& & & 我们假设你这个正方形在你的左手边，那么，你应该这么走：&nbsp...
，备份硬盘用的，挺好 回复 板凳 chunyang 的帖子 谢谢，谢谢 回复 沙发 David_Lee 的帖子 谢谢，谢谢～ 回复 4楼 ddllxxrr 的帖子
还没有体现过3.0的感觉呢
我也没体验呢，手边没有3.0的电脑啊！ 都是2.0的 回复 9楼 zhangdaoyu 的帖子 恭喜呀，呵呵
谢谢 嘿嘿 回复 11楼 liutao2011 的帖子 真不错啊 荣誉证书
才注册论坛...
，或展频振荡器宽带等），供货期会更长，因为以石英切割来制造固定频点的石英厂商，是不肯能以备货的方式备齐振荡器所有参数的组合。
　　　　解决的办法在哪里？假设每一个工程师手边都有一台图（2）所示的振荡器程序设计器和空白的振荡器样片，那么他们在方案开发中，可根据自己的经验和设想，随时改变振荡器参数，以最快速度寻找出对系统功能和稳定性最理想的组合。
　　MEMS振荡器，包括sitime所有...
的时候，VTpower等于5V，那么VCC会通过右手边三极管的BE节传到电路中的。所以左边这个三极管感觉应该就是钳位的作用。当然如果两边电压如果都是已知的话。可以根据实际情况考虑加还是不加。
通常使用三极管当二极管用是为了特性的一致，特别是在做温度补偿时，但楼主电路中无法体现出这一点。
老师 俺没有前后电路 就是网上看到别人发了个这个电路米看懂 所以来请教下 不晓得有这么多讲究 回复 8楼 仙猫 的帖子 学习...
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开关电源输出纹波很大是什么原因及解决方法 - 全文
来源：网络整理 作者：日 09:54
[导读] 近年来，开关电源以其体积小，重量轻，效率高等优点，在工程领域、医疗机构、科学研究等方面有着越来越广泛的应用。本文着重解决一款能输出10 A电流12V电压的特殊恒流源的纹波抑制问题，专门用于大功率的半导体激光器驱动。
　　近年来，开关电源以其体积小，重量轻，效率高等优点，在工程领域、医疗机构、科学研究等方面有着越来越广泛的应用。本文着重解决一款能输出10 A电流12V电压的特殊恒流源的纹波抑制问题，专门用于大功率的半导体激光器驱动。该激光器需求高稳定的光功率输出，激光器输出光功率的稳定性是一个主要参数，半导体激光器的光功率稳定性主要表现在输入电流的稳定性，输入电流的纹波越小光功率稳定性越好。目前，解决开关电源纹波的方法有若干种，各有其优缺点，由于输出电流是10 A的大电流，一般的方法不能适用。
　　纹波是工频引起的，减小纹波，作用很大的方法：
　　1.，输出用&型电路，就是一个电容，一个电感，再一个电容的方式。
　　2。输出电容一定要用高频低阻，甚至用固态电容，
　　这两点是最有效果的方法。 还有加大电容容量都行，但这个效果就没那么明显
　　开关电源纹波的产生
　　我们最终的目的是要把输出纹波降低到可以忍受的程度，达到这个目的最根本的解决方法就是要尽量避免纹波的产生，首先要清楚开关电源纹波的种类和产生原因。
　　随着SWITCH的开关，电感L中的电流也是在输出电流的有效值上下波动的。所以在输出端也会出现一个与SWITcH同频率的纹波，一般所说的纹波就是指这个。它与输出电容的容量和ESR有关系。这个纹波的频率与开关电源相同，为几十到几百KHz。
　　另外，SWITCH一般选用双极性晶体管或者MOSFET，不管是哪种，在其导通和截止的时候，都会有一个上升时间和下降时间。这时候在电路中就会出现一个与SWITCH上升下降时间的频率相同或者奇数倍频的噪声，一般为几十MHz。同样二极管D在反向恢复瞬间，其等效电路为电阻电容和电感的串联，会引起谐振，产生的噪声频率也为几十MHz。这两种噪声一般叫做高频噪声，幅值通常要比纹波大得多。
　　如果是AC／DC变换器，除了上述两种纹波（噪声）以外，还有AC噪声，频率是输入AC电源的频率，为50～60Hz左右。还有一种共模噪声，是由于很多开关电源的功率器件使用外壳作为散热器，产生的等效电容导致的。因为本人是做汽车电子研发的，对于后两种噪声接触较少，所以暂不考虑。
　　开关电源纹波的测量
　　基本要求：使用示波器AC耦合 ，20MHz带宽限制 ，拔掉探头的地线
　　1，AC耦合是去掉叠加的直流电压，得到准确的波形。
　　2，打开20MHz带宽限制是防止高频噪声的干扰，防止测出错误的结果。因为高频成分幅值较大，测量的时候应除去。
　　3，拔掉示波器探头的接地夹，使用接地环测量，是为了减少干扰。很多部门没有接地环，如果误差允许也直接用探头的接地夹测量。但在判断是否合格时要考虑这个因素。
　　还有一点是要使用50&O终端。横河示波器的资料上介绍说，50&O模块是除去DC成分，精确测量AC成分。但是很少有示波器配这种专门的探头，大多数情况是使用标配100K&O到10M&O的探头测量，影响暂时不清楚。
　　上面是测量开关纹波时基本的注意事项。如果示波器探头不是直接接触输出点，应该用双绞线，或者50&O同轴电缆方式测量。
　　在测量高频噪声时，使用示波器的全通带，一般为几百兆到GHz级别。其他与上述相同。可能不同的公司有不同的测试方法。归根到底第一要清楚自己的测试结果。第二要得到客户认可。
　　纹波抑制方法
　　滤波法
　　滤波法是最容易的方法之一，因为输出有纹波，那么设计就一个合适的滤波器滤除。滤波器有有源滤波器也有无源滤波器。滤波器是在输出回路中并联或者串联若干电阻电容来实现的。该方法必须通过详细严谨的计算得出纹波频率特性，从而选出精确的阻值和容值。该方法虽然简单，但是一旦电容失效，电阻失效或稍有不精确的地方，极有可能混入新的纹波或噪声，反而加大了输出纹波。并且该方法在小功率开关电源中可以考虑，如果是几十安培的大电流，几十瓦的大功率电源中，损耗是不容忽视，而且体积也会随之增大。LC低通滤波器见图1。
　　开关电源纹波的产生其中一个主要因素在于MOS管的开通关断。因此可以在MOSFET部分设计吸收开关尖峰脉冲的电路。开关尖峰吸收电路有多种。图2为LC吸收电路举例。该方法适用于MOSFET外置的拓扑结构，对于一些内置集成MOSFET的集成模块就无能为力。而且这种吸收电路同样也需要精确计算。
　　双路并联叠加法与改进思路
　　大电流、大功率开关电源的纹波消除可以通过调整MOSFET上控制端PWM的频率，或采用多路叠加的思路。通过调节开关管的控制端PWM的频率也可以实现输出纹波的控制，双路并联的基本思路也是在微调PWM的频率和占空比实现的，开关电源采用双路并联，双路同时提供输出功率，从概念上分为主电源与副电源。主电源有纹波，副电源也有纹波，但是如果使得两个电源占空比为50％，而且相位差180&时，在输出端让两者叠加就会使纹波大大减小，提高性能。如图3，图4所示。
　　DC1为主电源，DC2为副电源。当DC1开通时，电压电流上升，此时DC2关断。当DC2开通时，电压电流上升，DC1关断。令两者输出相位相差是180&。将输出结果相互叠加，就正好可以使输出纹波相互抵消，这就是双路并联的思路。但是由于负载波动，或者外部噪声因素使得主副电源相位发生变动，相差不再是180&时，反而会使文波幅值、频率加大。因此提出改进方法就是在主电源输出中取出纹波相位信号，将该信号反馈给副电源，让副电源及时纠正相位差，以保持两个电源相位差为180&。
　　仿真与实验结果
　　开关电源的纹波测试方法大致可分为两种，一种为电压信号，一种为电流信号。测试负载选用与半导体激光器相近的大功率二极管，测试二极管两端的电压信号。纹波电压是叠加在直流电压上的交流小信号，将示波器耦合模式调整为交流耦合，去除直流量的测量。在测试过程中要注意保护示波器探头，避免测试过程中受外界因素干扰。图5为反馈回路的电路图。从输出回路采集纹波信号，将纹波信号放大后反馈回时钟控制端以控制输出纹波相位。时钟的控制可以选取单片机产生PWM，使用单片机的好处在于可以编程实现控制方便简单，但是要采集信号必须采用A／D转换器；同时也可以使用专用的控制芯片，控制芯片控制精度高，响应速度快，但这些芯片成本往往比较高。
　　输出回路中串联一个小电阻，电流纹波的变化可以从这个小电阻两端电压变化来体现，将这个电压通过差分放大器放大反馈回时钟控制端，使得时钟可以根据这个变化而适时调整两个电源的相位差。图6为双路并联以后的纹波波形，输出电压为12 V，纹波电压峰峰值为0．9 V。图7为加了反馈以后的纹波波形，输出电压为12 V，而纹波减小为0．4 V。实验结果表明这种带有反馈的双路并联电流源在纹波抑制方面具有一定效果。
　　开关电源由于其自身结构必然会产生纹波，在各种应用环境中总是力求纹波无限小。基于电源成本，电路复杂程度，应用场合参数要求不同，各种纹波消除手段均有其优势。除此之外，在其他方面也可以采取各种措施，例如元器件的合理布局，接地技术，屏蔽技术，其他
　　开关电源拓扑结构等。随着对开关电源的不断探索，性能更高的电源技术必将会被开发出来。在驱动大功率半导体激光器当中，多路并联恒流源具有很高参考价值，本文所提出的纹波抑制方法是一种改进措施，并取得良好效果。
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一台半桥驱动开关电源,工作频率是55KHZ,输出电压是5V,电流是40A,请问要用多大容量的滤波电容.
09-04-16 &
该问题涉及到一个算法问题，简单思考一下 (多谢二楼的提出）首先 们确定纹波电流，假设纹波电流为输出电流的20%（开关电源常用此参数），得出 纹波电流 i= 1a*0.2 =200ma 纹波电压，一般为输出电压的0.3%-0.4%左右，得出 纹波电压 v= 7.5v*(0.3%-0.5%) =22.5-37.5mv 电容阻抗：esr=v/i=0.5 假设开关的工作频率为100-200khz，实际上此电路只需选用1000uf左右的电容就可以了 显然原电路设计比较合理，按1000u与220u并联，尽量减少电路中电容的esr，实际的纹波在23.4mv(理想状态）补充，细节问题会在百度hi与你说明
请登录后再发表评论!
该问题涉及到一个算法问题，简单思考一下 (多谢二楼的提出）首先我们确定纹波电流，假设纹波电流为输出电流的20%（开关电源常用此参数），得出 纹波电流 I= 1A*0.2 =200MA 纹波电压，一般为输出电压的0.3%-0.4%左右，得出 纹波电压 V= 7.5V*(0.3%-0.5%) =22.5-37.5mV 电容阻抗：ESR=V/I=0.5 假设开关的工作频率为100-200KHz，实际上此电路只需选用1000uF左右的电容就可以了 显然原电路设计比较合理，按1000U与220U并联，尽量减少电路中电容的ESR，实际的纹波在23.4mV(理想状态）补充，细节问题会在百度HI与你说明
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你说的应该是指电解电容。对于DC7.5V1A，纹波100mV的要求很低的。这种的应用场合下，主要问题不是电容容量，而是电容的ESR值。根椐你电源参数（如，工作频、变压器变比、主电路拓朴等）和所用电容ESR值的计算输出的纹波；如果你没有那个耐心和计算能力，那就换着不同容量的电容试着看吧。
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电容（或称电容量）是表征电容器容纳电荷本领的物理量。我们把电容器的两极板间的电势差增加1伏所需的电量，叫做电容器的电容。电容器从物理学上讲，它是一种静态电荷存储介质（就像一只水桶一样，你可以把电荷充存进去，在没有放电回路的情况下，刨除介质漏电自放电效应/电解电容比较明显，可能电荷会永久存在，这是它的特征），它的用途较广，它是电子、电力领域中不可缺少的电子元件。主要用于电源滤波、信号滤波、信号耦合、谐振、隔直流等电路中。　　电容的符号是C。　　C=εS/4πkd=Q/U　　在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F,常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)(皮法又称微微法)等，换算关系是：　　1法拉(F)= 1000毫法(mF)＝1000000微法(μF)　　1微法(μF)= 1000纳法(nF)= 1000000皮法(pF)。　　相关公式：　　一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法，即：C=Q/U 但电容的大小不是由Q（带电量）或U（电压）决定的，即：C=εS/4πkd 。其中，ε是一个常数，S为电容极板的正对面积，d为电容极板的距离， k则是静电力常量。常见的平行板电容器,电容为C=εS/d.（ε为极板间介质的介电常数，S为极板面积，d为极板间的距离。）　　电容器的电势能计算公式：E=CU^2/2=QU/2　　多电容器并联计算公式：C=C1+C2+C3+…+Cn　　多电容器串联计算公式：1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn　　多电容器并联相加 串联 C=(C1*C2*C3)/(C1+C2+C3)　　电容与静电场　　电容是指容纳电场的能力。任何静电场都是由许多个电容组成，有静电场就有电容，电容是用静电场描述的。一般认为：孤立导体与无穷远处构成电容，导体接地等效于接到无穷远处，并与大地连接成整体[编辑本段]电容器的型号命名方法　　国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别代表名称、材料、分类和序号。　　第一部分：　　名称，用字母表示，电容器用C。　　第二部分：　　材料，用字母表示。　　第三部分：　　分类，一般用数字表示，个别用字母表示。　　第四部分：　　序号，用数字表示。　　用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、 E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、 V-云母纸、Y-云母、Z-纸介[编辑本段]电容功能分类介绍　　名称：聚酯（涤纶）电容（CL）　　符号：　　电容量：40p--4μ　　额定电压：63--630V　　主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差　　应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路　　名称：聚苯乙烯电容（CB）　　符号：　　电容量：10p--1μ　　额定电压：100V--30KV　　主要特点：稳定，低损耗，体积较大　　应用：对稳定性和损耗要求较高的电路　　名称：聚丙烯电容（CBB）　　符号：　　电容量：1000p--10μ　　额定电压：63--2000V　　主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差　　应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路　　名称：云母电容（CY）　　符号：　　电容量：10p--0.1μ　　额定电压：100V--7kV　　主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小　　应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路　　名称：高频瓷介电容（CC）　　符号：　　电容量：1--6800p　　额定电压：63--500V　　主要特点：高频损耗小，稳定性好　　应用：高频电路　　名称：低频瓷介电容（CT）　　符号：　　电容量：10p--4.7μ　　额定电压：50V--100V　　主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差　　应用：要求不高的低频电路　　名称：玻璃釉电容（CI）　　符号：　　电容量：10p--0.1μ　　额定电压：63--400V　　主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）　　应用：脉冲、耦合、旁路等电路　　名称：铝电解电容(CD)　　符号：　　电容量：0.47--10000μ　　额定电压：6.3--450V　　主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大　　应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等　　名称：钽电解电容（CA）铌电解电容（CN）　　符号：　　电容量：0.1--1000μ　　额定电压：6.3--125V　　主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容　　应用：在要求高的电路中代替铝电解电容　　名称：空气介质可变电容器　　符号：　　可变电容量：100--1500p　　主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等　　应用：电子仪器，广播电视设备等　　名称：薄膜介质可变电容器　　符号：　　可变电容量：15--550p　　主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大　　应用：通讯，广播接收机等　　名称：薄膜介质微调电容器　　符号：　　可变电容量：1--29p　　主要特点：损耗较大，体积小　　应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿　　名称：陶瓷介质微调电容器　　符号：　　可变电容量：0.3--22p　　主要特点：损耗较小，体积较小　　应用：精密调谐的高频振荡回路　　名称：独石电容　　容量范围：0.5PF--1ΜF　　耐压：二倍额定电压。　　应用范围：广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。　　独石电容的特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好等。　　最大的缺点是温度系数很高，做振荡器的稳漂让人受不了，我们做的一个555振荡器，电容刚好在7805旁边，开机后，用示波器看频率，眼看着就慢慢变化，后来换成涤纶电容就好多了。　　就温漂而言：独石为正温糸数+130左右，CBB为负温系数-230，用适当比例并联使用，可使温漂降到很小。　　就价格而言：钽、铌电容最贵，独石、CBB较便宜，瓷片最低，但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵，云母电容Q值较高，也稍贵。　　里面说独石又叫多层瓷介电容，分两种类型，1型性能挺好，但容量小，一般小于0。2U，另一种叫II型，容量大，但性能一般。[编辑本段]电容的应用　　很多电子产品中，电容器都是必不可少的电子元器件，它在电子设备中充当整流器的平滑滤波、电源和退耦、交流信号的旁路、交直流电路的交流耦合等。由于电容器的类型和结构种类比较多，因此，使用者不仅需要了解各类电容器的性能指标和一般特性，而且还必须了解在给定用途下各种元件的优缺点、机械或环境的限制条件等。下文介绍电容器的主要参数及应用，可供读者选择电容器种类时用。　　1、标称电容量(CR)：电容器产品标出的电容量值。　　云母和陶瓷介质电容器的电容量较低(大约在5000pF以下)；纸、塑料和一些陶瓷介质形式的电容量居中(大约在0005μF10μF)；通常电解电容器的容量较大。这是一个粗略的分类法。　　2、类别温度范围：电容器设计所确定的能连续工作的环境温度范围，该范围取决于它相应类别的温度极限值，如上限类别温度、下限类别温度、额定温度(可以连续施加额定电压的最高环境温度)等。　　3、额定电压(UR)：在下限类别温度和额定温度之间的任一温度下，可以连续施加在电容器上的最大直流电压或最大交流电压的有效值或脉冲电压的峰值。　　电容器应用在高压场合时，必须注意电晕的影响。电晕是由于在介质/电极层之间存在空隙而产生的，它除了可以产生损坏设备的寄生信号外，还会导致电容器介质击穿。在交流或脉动条件下，电晕特别容易发生。对于所有的电容器，在使用中应保证直流电压与交流峰值电压之和不的超过直流电压额定值。　　4、损耗角正切(tanδ)：在规定频率的正弦电压下，电容器的损耗功率除以电容器的无功功率。　　这里需要解释一下，在实际应用中，电容器并不是一个纯电容，其内部还有等效电阻，它的简化等效电路如下图所示。图中C为电容器的实际电容量，Rs是电容器的串联等效电阻，Rp是介质的绝缘电阻，Ro是介质的吸收等效电阻。对于电子设备来说，要求 Rs愈小愈好，也就是说要求损耗功率小，其与电容的功率的夹角δ要小。　　这个关系用下式来表达： tanδ=Rs/Xc=2πf×c×Rs 因此，在应用当中应注意选择这个参数，避免自身发热过大，以减少设备的失效性。　　5、电容器的温度特性：通常是以20℃基准温度的电容量与有关温度的电容量的百分比表示。　　补充：　　1、电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C13表示编号为13的电容）。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。　　电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。　　容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量)电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。　　2、识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（μF）/mju:/、纳法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=1000毫法（mF），1毫法=1000微法（μF），1微法=1000纳法(nF)，1纳法=1000皮法(pF)　　容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V　　容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示　　字母表示法：1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF　　数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数宇，第三位数宇表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。　　如：102表示标称容量为1000pF。　　221表示标称容量为220pF。　　224表示标称容量为22x10(4)pF。　　在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用&9&表示时，是用有效数宇乘上10-1来表示容量大小。　　如:229表示标称容量为22x(10-1)pF=2.2pF。　　允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%　　如：一瓷片电容为104J表示容量为0.1 μF、误差为±5%。　　3使用寿命：电容器的使用寿命随温度的增加而减小。主要原因是温度加速化学反应而使介质随时间退化。　　4绝缘电阻：由于温升引起电子活动增加，因此温度升高将使绝缘电阻降低。　　电容器包括固定电容器和可变电容器两大类，其中固定电容器又可根据所使用的介质材料分为云母电容器、陶瓷电容器、纸/塑料薄膜电容器、电解电容器和玻璃釉电容器等；可变电容器也可以是玻璃、空气或陶瓷介质结构。以下附表列出了常见电容器的字母符号。　　电容分类：　　a.电解电容　　　b.固态电容　　c.陶瓷电容　　d.钽电解电容　　e.云母电容　　f.玻璃釉电容　　g.聚苯乙烯电容　　h.玻璃膜电容　　i.合金电解电容　　j.绦纶电容　　k.聚丙烯电容　　l.泥电解　　m有极性有机薄膜电容　　n.铝电解电容　　5.电容的基本特性: 通交流，隔直流：通高频，阻低频。[编辑本段]电容一般的选用　　低频中使用的范围较宽，如可以使用高频特性比较差的；但是在高频电路中就有了很大的限制了，一旦选择不当会影响电路的整体工作状态；　　一般的电源里用的有电解电容、和瓷片电容、但是在高频中就要使用云母等价格较贵的电容，就不可以使用绦纶的电容，和电解的电容，因为它们在高频情况下会形成电感，以致影响电路的工作精度。[编辑本段]电容器标称电容值　　E24 E12 E6 E24 E12 E6　　1.0 1.0 1.0 3.3 3.3 3.3　　1.1 3.6　　1.2 1.2 3.9 3.9　　1.3 4.3　　1.5 1.5 1.5 4.7 4.7 4.7　　1.6 5.1　　1.8 1.8 5.6 5.6　　2.0 6.2　　2.2 2.2 2.2 6.8 6.8 6.8　　2.4 7.5　　2.7 2.7 8.2 8.2　　3.0 9.1　　注：用表中数值再乘以10n来表示电容器标称电容量，n为正或负整数。　　主要参数的意义：标称容量以及允许偏差：目前我国采用的固定式标称容量系列是：E24，E12,E6系列。他们分别使用的允许偏差是+-5% +-10% +-20%。[编辑本段]电容器主要特性参数　　1、标称电容量和允许偏差　　标称电容量是标志在电容器上的电容量。　　电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。　　精度等级与允许误差对应关系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、 Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%）　　一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级，根据用途选取。　　2、额定电压　　　　在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值，一般直接标注在电容器外壳上，如果工作电压超过电容器的耐压，电容器击穿，造成不可修复的永久损坏。　　3、绝缘电阻　　　　直流电压加在电容上，并产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻.　　当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量〉0.1uf时，主要取决于介质的性能，绝缘电阻越大越好。　　电容的时间常数：为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数，他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。　　4、损耗　　　　电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值，电容的损耗主要由介质损耗，电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。　　　在直流电场的作用下，电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的作用下，电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。　　5、频率特性　　　　随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。[编辑本段]电容的潜在危险及安全性　　在电容充电后关闭电源，电容内的电荷仍可能储存很长的一段时间。此电荷足以产生电击，或是破坏相连结的仪器。一个抛弃式相机闪光模组由1.5V AA 干电池充电，看似安全，但其中的电容可能会充电到300V，300V 的电压产生的电击会使人非常疼痛，甚至可能致命。　　许多电容的等效串联电阻 (ESR) 低，因此在短路时会产生大电流。在维修具有大电容的设备之前，需确认电容已经放电完毕。为了安全上的考量，所有大电容在组装前需要放电。若是放在基板上的电容器，可以在电容器旁并联一泄放电阻 (bleeder resistor)。在正常使用的，泄放电阻的漏电流小，不会影响其他电路。而在断电时，泄放电阻可提供电容放电的路径。高压的大电容在储存时需将其端子短路，以确保其储存电荷均已放电，因为若在安装电容时,若电容突然放电，产生的电压可能会造成危险。　　大型老式的油浸电容器中含有多氯联苯(poly-chlorinated biphenyl)，因此丢弃时需妥善处理，若未妥善处理，多氯联苯会进入地下水中，进而污染饮用水。多氯联苯是致癌物质，微量就会对人体造成影响。若电容器的体积大，其危险性更大，需要格外小心。新的电子零件中已不含多氯联苯。　　高电压电容潜在的危险　　　　在高电压和强电流下工作的电容有着超出一般的危险。　　高电压电容在超出其标称电压下工作时有可能发生灾难性的损坏。绝缘材料的故障可能会导致在充满油（通常这些油起隔绝空气的作用）的小单元产生电弧致使绝缘液体蒸发，引起电容凸出、破裂甚至爆炸，而爆炸会将易燃的油弄的到处都是、起火、损坏附近的设备。硬包装的圆柱状玻璃或塑料电容比起通常长方体包装的电容更容易炸裂，而后者不容易在高压下裂开。　　被用在射频电路中和长期在强电流环境工作的电容会过热，特别是电容中心的卷筒。即使外部环境温度较低，但这些热量不能及时散发出去，集聚在内部可能会迅速导致内部高热从而导致电容损坏。　　在高能环境下工作的电容组，如果其中一个出现故障，使电流突然切断，其他电容中储存的能量会涌向出故障的电容，这就即有可能出现猛烈的爆炸。　　高电压真空电容即使在正确的使用时也会发出一定的X射线。适当的密封、熔融（fusing）和预防性的维护会帮助减少这些潜在的危险。
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