& 产品参数对比
技嘉GA-Z97-HD3和华硕CPU内置有什么区别
参数仅为参考，产品以当地实际销售实物为准。
ASUS（华硕）
华硕N3150M-E
GIGABYTE（技嘉）
技嘉GA-Z97-HD3(rev.1.0)
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[厂商指导价][停产]
CPU内置显示芯片(需要CPU支持)
集成Realtek ALC887 8声道音效芯片集成Realtek ALC887 8声道音效芯片
板载Realtek RTL8111H千兆网卡板载Realtek千兆网卡
芯片组描述
采用Intel Z97芯片组
处理器规格
四核 Celeron 处理器 N3150(1.六-2.08GHz)Core i7/Core i5/Core i3/Pentium/Celeron
板载Intel Cherry Trail 赛扬N3150四核处理器
2×DDR3 DIMM4×DDR3 DIMM
最大内存容量
支持双通道DDR3 1600MHz内存支持双通道DDR3 3000 (OC)/2933 (OC)/2800 (OC)/2666 (OC)/2600 (OC)/2500 (OC)/2400 (OC)/2200 (OC)/2133 (OC)/2000 (OC)/1866 (OC)/1800 (OC)/MHz内存
PCI-E 3.0标准
1×PCI-E X16显卡插槽，2×PCI-E X1插槽2×PCI-E X16显卡插槽
2×PCI-E X1插槽
2×SATA III接口
2×PCI插槽
4×USB3.0接口(2内置+2背板），4×USB2.0接口(2内置+2背板）8×USB2.0接口（6内置+2背板），6×USB3.0接口（2内置+4背板）
1×HDMI接口1×HDMI接口
1×VGA接口/1×DVI接口
PS/2鼠标，PS/2键盘接口PS/2键鼠通用接口
LPT接口，COM接口
一个4针，一个24针电源接口一个8针，一个24针电源接口
1×RJ45网络接口，3×音频接口1×RJ45网络接口
22.6×17.8cm30.5×19cm
64 Mb Flash ROM，UEFI AMI BIOS，PnP，DMI2.0，WfM2.0，SM BIOS 2.7，ACPI 2.0a，多国语言 BIOS，ASUS EZ Flash 2，ASUS CrashFree BIOS 3，收藏夹， 快捷便签，历史记录，F12截屏，F3快捷键，内存SPD信息2个64 Mbit flash
使用经授权AMI UEFI BIOS
支持DualBIOS
PnP 1.0a，DMI 2.7，WfM 2.0，SM BIOS 2.7，ACPI 5.0
多显卡技术
支持RAID 0，1，5，10
系统电压侦测
CPU/系统温度侦测
CPU/系统风扇转速侦测
CPU过温警告
CPU/系统风扇故障警告
CPU/系统智能风扇控制
支持操作系统支持Windows 8.1/Windows 8/Windows 7
使用手册 x1
I/O挡板 x1
驱动程序光盘 x1
SATA 6.0Gb/s数据线 x2
全国联保，享受三包服务全国联保，享受三包服务
3年，官方活动可延长至4年3年
1年换新，3年保修，活动期间尊享4年全免费质保3年保修，官网注册成功享4年质保
400-620-6655800-820-0926
24小时服务周一至周五：9:00-12:00，13:00-18:00（节假日休息）
华硕公司对中国大陆地区（不包含港澳台地区）发售的、经合法渠道销售给消费者的华硕主板产品实行全国联保服务。主板15天（含）内如发生产品不良，可以实施新品DOA（包换新品服务），以所购买的凭证日期为准，向购买渠道商家申请更换。16天（含）内至一年内实施“包换良品”服务，以所购买的凭证日期为准，向所购买商家隶属的华硕服务中心更换。技嘉支持全国联保，享受三包服务。对主板系列产品的售后服务由厂商提供。如果故障排除结果表明您的台式机主板有问题，请确保该主板仍然在保修期内并确认是由技嘉负责提供保修支持。技嘉将台式机主板销售给零售店。如出现产品质量问题或故障，您可查询最近的维修点，由厂商售后解决。更详细的信息请咨询技嘉的售后人员。怎样设计最凉爽？主板供电散热对比测试
来源：pconline 原创&
作者：Valest&
责任编辑：liganlin&
1主板供电用料与散热关系简析&　　【PConline评测】说到机箱里的热源，人们一般都只会考虑到CPU、GPU和主板芯片，实际上，随着CPU走进了低电压、大电流的时代，处理器供电也承受着不小的压力，一般设计的主板供电运作时上个50℃不是怪事，有些无散热片的主板供电温度更甚至可达100℃，相当烫手。　　说到底，主板供电部分的发热其实很大程度与主板的用料有关，这个相信很多用户都明白，但是有多少人能说说怎样的用料会比较&凉爽&呢？超多相供电设计是否真的那么凉快？热管散热其实有是否那么靠谱？很多厂商都宣传的&2倍铜&设计是否有必要？普通MOSFET和低抗阻MOSFET、Dr.MOS又有多大区别？带着这些问题，我们开始了今天的测试。主板供电用料与散热关系简析：CPU供电部分　　本次测试并不针对特定的品牌或特定型号的产品，我们关注的焦点是主板的CPU供电部分，因此，首先我们来简单讲解一下主板的供电部分。　　当前的CPU设计方向是低电压、大电流，有一定电学知识的用户都能指出，&电流 + 电阻 = 发热&，而MOSFET多多少少都会有抗阻，因此大电流设计下主板供电部分的发热，主要就是MOSFET管发热，其发热量有时可能比CPU发热量还严重，尤其是，CPU散热大家都有，大家都用，而主板供电散热，却不是什么标配。-----------------------------------------------------------------------------什么是MOSFET管？　　MOSFET，中文名称是场效应管，一般被叫做MOS管。这个元件一般看起来就是一个扁平的方形或长方形，它在供电电路里的角色是受到栅极电压控制的开关。每相供电的MOSFET一般由MOSFET驱动、MOSFET上桥和MOSFET下桥组成，其中上下桥轮番导通，对这一相的输出电感进行充电和放电，使输出端能够得到一个稳定的电压。　　每相电路都要有上桥和下桥，所以每相至少有两颗MOSFET，而上桥和下桥都可以用并联两三颗代替一颗来提高导通能力(降低电阻)，因而每相还可能看到总数为三颗、四颗甚至五颗的MOSFET。-----------------------------------------------------------------------------多相供电设计　　为了解决发热大的问题，主板厂商采用了多种解决方案，其一就是多相供电设计。多相供电设计能降低每相供电承受的工作压力，提高其工作效率，并保证供电元件有更长的寿命，目前市面的主流桌面级主板无一例外都是多相供电设计。&低抗阻MOSFET　　除了多相供电设计，主板厂商还会在用料选择上下功夫。比如上图的供电就采用了低抗阻的MOSFET管，与3pin(2pin)普通MOSFET管相比，低抗阻MOSFET明显要更薄，针脚也更多，有8pin（因此俗称&八爪鱼&）.Dr.MOS/Driver MOSFET　　除了低抗阻MOSFET，微星等厂商还会在较高端主板上采用Dr.MOS/Driver MOSFET，Dr.MOS/Driver MOSFET将MOSFET驱动(Driver)和MOSFET上下桥都整合到了一起，除了能减少空间的占用，还能增加散热空间，提高散热效率。2评测平台、测试工具与评测方法评测平台与评测说明：
AMD A8-3850 APU
Intel i5 2500K
华硕 F1A75-V PRO
华硕 F1A55-V
华硕 P8H61-M PRO
技嘉 GA-HA65M-D2H-B3
技嘉 GA-Z68XP-UD3-ISSD
微星 Z68MA-ED55
DDR3-1333 2GB&2 9-9-9-24
AMD公版HD6670
Win7 64位旗舰版 SP1
AMD 催化剂11.9
任务管理器
Orthos 0.41
CPU-Z 1.58
　　我们本次测试的主要目的是探究主板CPU供电用料与散热的关系，平台方面我们兼顾了AMD的APU平台和Intel的二代酷睿平台，AMD平台采用的是A8-3850 APU处理器，Intel平台采用的则是i5 2500K处理器。测试主板之一　　主板方面我们以一线三大厂的产品为准，包括华硕 F1A75-V PRO、华硕 F1A55-V、华硕 P8H61-M PRO、技嘉 GA-HA65M-D2H-B3、技嘉 GA-Z68XP-UD3-ISSD和微星 Z68MA-ED55共6款，它们在供电用料和设计方面都各有不同，我们会在下面一一讲解。测试工具：福禄克 Ti-25热像仪　　测试工具方面，我们选择的是福禄克出品的Ti-25热像仪，这是一款工程用的手持式热能成像仪，能够混合显示可视光和热红外光成像，以便用户可以方便快速地分析目标的热能分布状况。热像图解析：颜色代表温度　　热像仪输出热像图是一种以渐变颜色表示温度的图像，低温会以冷色调(蓝)呈现，而高温则会以暖色调(红)呈现，从低温冷色向高温暖色无级渐变。我们测试设置的温度表示范围为17℃~70℃，超出上限范围的温度会以白色表现，而低于下限范围的温度会以黑色表现。　　此外，这款热像仪还能实时标出三个参数，一个最高点温度(位置在此图中间偏右，提示&高&，读数77.7)，一个最低点温度(位置在左下角，提示&低&，度数29.6)，以及当前中央点的温度(位置在图中央，无提示，度数67.1)。测试环境　　测试方法方面，本次测试主要在29℃，湿度40%的密闭空间里进行，以模拟机箱内实际应用环境。我们通过使用Orthos拷机软件来使CPU进入满载状态，保持3分钟，再用热像仪拍下主板供电部分的热量分布状况，记录为&满载温度&，然后停止Orthos拷机，让平台闲置3分钟，再用热像仪拍摄，记录为&闲置温度&。3测试相关主板供电设计总览测试主板供电设计总览：华硕 F1A75-V PRO　　华硕 F1A75-V PRO采用8相供电设计，由华硕的DIGI+VRM数字供电芯片控制，供电用料采用的全部都是华硕定制的尼吉康FP5K固态电容、R68封闭铁素电感和1上1下的低抗阻MOSFET，并且带美观的热管散热。华硕 F1A55-V　　华硕 F1A55-V采用6相供电设计，由华硕的DIGI+VRM数字供电芯片控制，供电用料采用的全部都是华硕定制的尼吉康FP5K固态电容、R68封闭铁素电感和1上1下的低抗阻MOSFET，并且带美观的散热片散热。华硕 P8H61-M PRO　　华硕 P8H61-M PRO采用6相供电设计，由华硕的DIGI+VRM数字供电芯片控制，供电用料采用的全部都是华硕定制的尼吉康FP5K固态电容、R68封闭铁素电感和1上1下的普通MOSFET，并且带美观的散热片散热。技嘉 GA-HA65M-D2H-B3　　技嘉 GA-HA65M-D2H-B3采用6相供电设计，无2倍铜PCB，供电用料是优质的日本化工固态电容、R80铁素电感和1上2下低抗阻MOSFET管，不带散热片，不过预留了散热片安装孔。技嘉 GA-Z68XP-UD3-ISSD　　技嘉 GA-Z68XP-UD3-ISSD采用7相供电设计，配备2倍铜PCB，供电用料是优质日本化工固态电容、低温铁素电感和Driver MOSFET，部分带散热片。微星 Z68MA-ED55　　微星 Z68MA-ED55采用10相供电设计，供电用料是日本化工固态电容搭配贴片电容、SFC电感和Dr.MOS，并且配备单条热管散热。4第一问：供电相数越高越好？供电相数越高越好？
供电相数越多越好？
华硕 F1A75-V PRO
华硕 F1A55-V
　　第一回合，我们选择华硕 F1A75-V PRO对比华硕 F1A55-V，两者设计和用料很相近，不过前者的供电相数更多，而且采用了热管散热而不是散热片散热。我们去除了两款主板的散热片，让它们裸奔满载3分钟，然后再闲置3分钟。华硕 A75满载3分钟　　8相CPU供电裸奔满载3分钟后，供电部分温度几乎一片白，超出了我们设定的70℃上限，最高温度竟达99.4℃，颇为惊人。华硕 A55满载3分钟　　6相CPU供电裸奔满载3分钟后，情况比8相供电还糟，大片惨白甚至延伸到了处理器处，最高温度竟达112.8℃！　　初步看来，8相供电在满载情况下表现比6相供电好，说明8相供电下每相供电承受的压力的确比6相供电更低。但这是否就说明多相供电完胜了呢？请接着往下看！华硕 A75闲置3分钟　　闲置3分钟后，8相供电的热量已经明显消退，大部分温度都在60~70℃之间，只有局部超过70℃上限。华硕 A55无散热闲置3分钟　　6相供电闲置3分钟后，热量消退比8相供电更明显，平均温度大概是61℃，局部最高温也才74.9℃，比8相供电的78.3更低。　　测试小结：供电相数越多，每相供电所承受的压力的确是越小，发热越少，但是由于元件密集影响，热量更容易累积，降温的速度不一定比得上相数略少的设计。5第二问：加热管还是加风扇靠谱？加热管还是加风扇靠谱？
加热管还是加风扇靠谱？
华硕 F1A75-V PRO
华硕 F1A55-V
散热片/散热片+风扇
密闭环境+流通环境对比
　　第二回合，我们把散热片/热管装回去，对比A55在密闭环境和流通环境下的满载表现，以及用A55带散热片+风扇的组合PK A75带散热片+热管的组合。（注：后一个对比中，A55只有6相供电，A75有8相，因此A55可以说是让了A75一步。）密闭环境下，华硕 A55满载3分钟　　密闭环境下，供电部分的热量到了散热片之后就聚集起来了，没有起到很好的散热效果，主板供电部分一片红，局部温度更高达77.7℃.空气流通环境下，华硕 A55满载3分钟　　同样是满载3分钟，流通环境下的主板供电部分表现明显改善，颜色明显没有那么红，最高温点为65℃，相比差距达12℃.流通环境下，华硕 A55带散热片+风扇满载3分钟　　我们在供电部分加一个小风扇，以进一步优化供电部分的空气流动。可见加了小风扇后，主板供电部分的热量得到明显降低，最高温点已经不在主板供电，最高温度在63℃以下。密闭环境下，华硕A75带散热片满载3分钟　　再看华硕 A75，尽管有8相供电，并且配备热管，但是由于空气不流通，散热表现并不理想，供电部分最高温为65.2℃，周围温度也差不多，比空气流通状况下的6相供电还差。　　测试小结：毫无疑问，热管比小风扇更加华丽，成本也更高，但是从实际应用上来说，热管的主要作用是&导热&而不是&散热&，要获得更好的散热效果，与其大成本地加一条热管，还不如小成本地多给用户留给风扇接口。6第三问：2倍铜PCB是否有用？2倍铜PCB是否有用？
2倍铜PCB是否有用？
技嘉 GA-HA65M-D2H-B3
技嘉 GA-Z68XP-UD3-ISSD
低抗阻，3MOSFET
Driver MOSFET
&超省钱&设计
&超省钱&设计 + 2倍铜PCB
　　&2倍铜&PCB设计最初由技嘉于2008年提出，接下来收到多个厂商仿效，可以说是近年来炒得挺火的一个设计。今年技嘉再次升级，提出&超省钱&设计，强调降低主板供电部分的温度，以提高效率，节省用户开支。相信很多用户都会有一个疑问，&超省钱&设计真的能降温么？2倍铜PCB又是否真的有用？&超省钱&H61满载3分钟　　&超省钱&H61的供电部分每相都采用了3个低抗阻MOSFET管，散热表现相当不错，在裸奔情况下都没有明显发红，热量分布均匀，最高温度仅60.5℃，让人印象深刻。&超省钱&H61闲置3分钟　　闲置3分钟后，主板供电部分的热量散发非常快，居然看不到一点红，最多只有微微发黄，温度大约在40℃。&超省钱&+&2倍铜&，满载表现让人汗颜！　　换上采用&超省钱&和&2倍铜&设计的Z68，满载3分钟居然也没怎么发红，只是略略发红，温度大概在45℃左右，最高温落到了右上角的USB3.0芯片上了。&2倍铜&Z68闲置3分钟　　如果供电满载的表现只是偶然，那么供电闲置的表现就更是幻觉了，简直连发黄程度的热量都没有，温度大概只有36℃！如果不是右上角的USB3.0保持高温，我们很可能会误以为根本没通电开机。　　测试小结：采用&2倍铜&设计的主板往往要比普通PCB设计的主板贵上百元，但是其散热表现是有目共睹的，夸张点说就是不装散热片裸奔也没关系。7第四问：三种MOSFET对比效果？三种MOSFET对比效果如何？
2倍铜PCB是否有用？
华硕 P8H61-M PRO
微星 Z68MA-ED55
技嘉 HA65M-D2H-B3
普通MOSFET
Driver MOSFET
低抗阻MOSFET
　　前面我们曾经讲过，目前市面主板采用的MOSFET主要有3种，最常见的3pin(2pin)普通MOSFET管，其次是8pin的低抗阻MOSFET管，以及仅在高端主板上现身的一体化Dr.MOSFET.一个大家都可能很感兴趣的问题是，3种MOSFET到底有多大差距？　　实际上这个问题很难回答，因为不同的主板在PCB用料、供电用料、供电相数、布局设计上都可能有不同，再加上各种MOSFET都有不同的型号，不同型号之间的性能差距有大有小，因此我们只能测出一个大概，仅供用户参考。普通MOSFET满载　　普通MOSFET管一般都价格实惠，但是抗阻较高，常见1上桥1下桥设计的普通MOSFET管，上下桥都有较大发热，容易形成大面积高温。为了降低抗阻，有些主板会采用1上桥2下桥或2上桥1下桥（统称3MOSFET）的设计，说白了就是通过&串联&来降低每个MOSFET的压力，减少发热。普通MOSFET闲置　　闲置3分钟后，MOSFET管的温度得到了明显改善，从满载近70℃恢复到了50℃左右的水平，降幅约20℃.Dr.MOS满载　　Dr.MOS整合了MOSFET驱动和上桥下桥，占用空间更少，发热也更加集中，满载3分钟后，Dr.MOS的最高温度达68℃，数值并不比普通MOSFET好看多少，但是从热量分布来看，的确明显比普通MOSFET更好。&Dr.MOS闲置　　Dr.MOS发热热量集中，因此散热起来也比较好办，闲置3分钟后的Dr.MOS最高温为52.2℃，和普通MOSFET近似，降幅约20℃，但是明显发热的地方更少。低抗阻MOSFET满载　　电路电流一定，通过电路的电阻越大，发热量越大。低抗阻MOSFET由于抗阻一般都比普通MOSFET低，因此发热量要更小，同时不少主板还会采用3MOSFET设计，这种用料和设计的成本不低，不过散热效果很好，裸奔满载温度也在60.5℃以下。低抗阻MOSFET闲置&　　由于发热较小，低抗阻MOSFET在闲置时降温也会比较快，温度表现明显比普通MOSFET和Dr.MOSFET更好，降温幅度也大约有20℃.　　测试小结：光从发热量来说，3MOSFET设计的低抗阻MOSFET的表现是最好的。但是从热量分布来说，普通MOSFET和低抗阻MOSFET都容易引起大面积发热，而MOSFET散热片却只能为MOSFET管部分散热&，因此MOSFET附近的热量容易累积，供电部分温度还是会挺高的。8PConline评测室总结PConline评测室总结：超多相供电不一定必要　　超多相供电设计下，每相供电的发热要比供电相数少的设计更低，但是由于元件密布，发热量更容易累积，需要搭配更好的散热来降温，总的来说成本很高，而实际不一定有必要。热管是导热设计，而非散热设计　　热管看起来很威武，但是它的主要作用只是导热，对于散热来说不是必须，只有在空气流通好的情况下，热管才能起到锦上添花的效果。因此，多加一条热管，实际效果可能还不如多加一个小风扇。2倍铜设计的确有效　　电阻和发热是成正比的，2倍铜设计能优化主板PCB的电气性能，减少发热，同时更好地使热量均匀地分散开来，提高散热效率。低抗阻MOSFET是不错的选择　　单纯从发热量角度出发，抵抗阻MOSFET，尤其是3MOSFET设计的低抗阻MOSFET，表现是最理想的，而从整体散热优化考虑，Dr.MOS就更胜一筹，但是当然，Dr.MOS价格更高，因此总的来说低抗阻MOSFET是不错的选择。　　好了，我们的文章就到此结束了，由于评测室当前所有的主板数量有限，加上时间也比较紧张，我们不能考虑到、测试出供电用料与散热可能有关的所有问题，如果各位网友有什么意见建议，欢迎在评论中提出！下一次，我们可能还会测一测供电布局设计与散热的关系，敬请期待！
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怎样设计最凉爽？主板供电散热对比测试
　　【PConline评测】　　说到机箱里的热源，人们一般都只会考虑到CPU、GPU和主板芯片，实际上，随着CPU走进了低电压、大电流的时代，处理器供电也承受着不小的压力，一般设计的主板供电运作时上个50℃不是怪事，有些无散热片的主板供电温度更甚至可达100℃，相当烫手。　　说到底，主板供电部分的发热其实很大程度与主板的用料有关，这个相信很多用户都明白，但是有多少人能说说怎样的用料会比较“凉爽”呢？超多相供电设计是否真的那么凉快？热管散热其实有是否那么靠谱？很多厂商都宣传的“2倍铜”设计是否有必要？普通MOSFET和低抗阻MOSFET、Dr.MOS又有多大区别？带着这些问题，我们开始了今天的测试。　　主板供电用料与散热关系简析：CPU供电部分　　本次测试并不针对特定的品牌或特定型号的产品，我们关注的焦点是主板的CPU供电部分，因此，首先我们来简单讲解一下主板的供电部分。　　当前的CPU设计方向是低电压、大电流，有一定电学知识的用户都能指出，“电流 + 电阻 = 发热”，而MOSFET多多少少都会有抗阻，因此大电流设计下主板供电部分的发热，主要就是MOSFET管发热　　，其发热量有时可能比CPU发热量还严重，尤其是，CPU散热大家都有，大家都用，而主板供电散热，却不是什么标配。　　什么是MOSFET管？　　MOSFET，中文名称是场效应管，一般被叫做MOS管。这个元件一般看起来就是一个扁平的方形或长方形，它在供电电路里的角色是受到栅极电压控制的开关。每相供电的MOSFET一般由MOSFET驱动、MOSFET上桥和MOSFET下桥组成，其中上下桥轮番导通，对这一相的输出电感进行充电和放电，使输出端能够得到一个稳定的电压。　　每相电路都要有上桥和下桥，所以每相至少有两颗MOSFET，而上桥和下桥都可以用并联两三颗代替一颗来提高导通能力(降低电阻)，因而每相还可能看到总数为三颗、四颗甚至五颗的MOSFET。多相供电设计　　为了解决发热大的问题，主板厂商采用了多种解决方案，其一就是多相供电设计。多相供电设计能降低每相供电承受的工作压力，提高其工作效率，并保证供电元件有更长的寿命，目前市面的主流桌面级主板无一例外都是多相供电设计。低抗阻MOSFET　　除了多相供电设计，主板厂商还会在用料选择上下功夫。比如上图的供电就采用了低抗阻的MOSFET管，与3pin(2pin)普通MOSFET管相比，低抗阻MOSFET明显要更薄，针脚也更多，有8pin（因此俗称“八爪鱼”）.Dr.MOS/Driver MOSFET　　除了低抗阻MOSFET，微星等厂商还会在较高端主板上采用Dr.MOS/Driver MOSFET，Dr.MOS/Driver MOSFET将MOSFET驱动(Driver)和MOSFET上下桥都整合到了一起，除了能减少空间的占用，还能增加散热空间，提高散热效率。　　评测平台与评测说明：硬件平台CPU　　AMD A8-3850 APU　　Intel i5 2500K主板　　华硕 F1A75-V PRO　　华硕 F1A55-V　　华硕 P8H61-M PRO　　技嘉 GA-HA65M-D2H-B3　　技嘉 GA-Z68XP-UD3-ISSD　　微星 Z68MA-ED55内存　　DDR3-1333 2GB×2 9-9-9-24硬盘　　日立 1TB显卡　　AMD公版HD6670软件平台系统软件　　Win7 64位旗舰版 SP1　　AMD 催化剂11.9　　任务管理器评测软件　　Orthos 0.41　　CPU-Z 1.58　　我们本次测试的主要目的是探究主板CPU供电用料与散热的关系，平台方面我们兼顾了AMD的APU平台和Intel的二代酷睿平台，AMD平台采用的是A8-3850 APU处理器，Intel平台采用的则是i5 2500K处理器。测试主板之一　　主板方面我们以一线三大厂的产品为准，包括华硕 F1A75-V PRO、华硕 F1A55-V、华硕 P8H61-M PRO、技嘉 GA-HA65M-D2H-B3、技嘉 GA-Z68XP-UD3-ISSD和微星 Z68MA-ED55共6款，它们在供电用料和设计方面都各有不同，我们会在下面一一讲解。测试工具：福禄克 Ti-25热像仪　　测试工具方面，我们选择的是福禄克出品的Ti-25热像仪，这是一款工程用的手持式热能成像仪，能够混合显示可视光和热红外光成像，以便用户可以方便快速地分析目标的热能分布状况。热像图解析：颜色代表温度　　热像仪输出热像图是一种以渐变颜色表示温度的图像，低温会以冷色调(蓝)呈现，而高温则会以暖色调(红)呈现，从低温冷色向高温暖色无级渐变。我们测试设置的温度表示范围为17℃~70℃，超出上限范围的温度会以白色表现，而低于下限范围的温度会以黑色表现。　　此外，这款热像仪还能实时标出三个参数，一个最高点温度(位置在此图中间偏右，提示“高”，读数77.7)，一个最低点温度(位置在左下角，提示"低"，度数29.6)，以及当前中央点的温度(位置在图中央，无提示，度数67.1)。测试环境　　测试方法方面，本次测试主要在29℃，湿度40%的密闭空间里进行，以模拟机箱内实际应用环境。我们通过使用Orthos拷机软件来使CPU进入满载状态，保持3分钟，再用热像仪拍下主板供电部分的热量分布状况，记录为“满载温度”，然后停止Orthos拷机，让平台闲置3分钟，再用热像仪拍摄，记录为“闲置温度　　”。　　测试主板供电设计总览：华硕 F1A75-V PRO　　华硕 F1A75-V PRO采用8相供电设计，由华硕的DIGI+VRM数字供电芯片控制，供电用料采用的全部都是华硕定制的尼吉康FP5K固态电容、R68封闭铁素电感和1上1下的低抗阻MOSFET，并且带美观的热管散热。华硕 F1A55-V　　华硕 F1A55-V采用6相供电设计，由华硕的DIGI+VRM数字供电芯片控制，供电用料采用的全部都是华硕定制的尼吉康FP5K固态电容、R68封闭铁素电感和1上1下的低抗阻MOSFET，并且带美观的散热片散热。华硕 P8H61-M PRO　　华硕 P8H61-M PRO采用6相供电设计，由华硕的DIGI+VRM数字供电芯片控制，供电用料采用的全部都是华硕定制的尼吉康FP5K固态电容、R68封闭铁素电感和1上1下的普通MOSFET，并且带美观的散热片散热。技嘉 GA-HA65M-D2H-B3　　技嘉 GA-HA65M-D2H-B3采用6相供电设计，无2倍铜PCB，供电用料是优质的日本化工固态电容、R80铁素电感和1上2下低抗阻MOSFET管，不带散热片，不过预留了散热片安装孔。技嘉 GA-Z68XP-UD3-ISSD　　技嘉 GA-Z68XP-UD3-ISSD采用7相供电设计，配备2倍铜PCB，供电用料是优质日本化工固态电容、低温铁素电感和Driver MOSFET，部分带散热片。微星 Z68MA-ED55　　微星 Z68MA-ED55采用10相供电设计，供电用料是日本化工固态电容搭配贴片电容、SFC电感和Dr.MOS，并且配备单条热管散热。　　供电相数越高越好？供电相数越多越好？华硕 F1A75-V PRO华硕 F1A55-V供电相数86MOSFET管低抗阻低抗阻散热设计无无特殊无无　　第一回合，我们选择华硕 F1A75-V PRO对比华硕 F1A55-V，两者设计和用料很相近，不过前者的供电相数更多，而且采用了热管散热而不是散热片散热。我们去除了两款主板的散热片，让它们裸奔满载3分钟，然后再闲置3分钟。华硕 A75满载3分钟　　8相CPU供电裸奔满载3分钟后，供电部分温度几乎一片白，超出了我们设定的70℃上限，最高温度竟达99.4℃，颇为惊人。华硕 A55满载3分钟　　6相CPU供电裸奔满载3分钟后，情况比8相供电还糟，大片惨白甚至延伸到了处理器处，最高温度竟达112.8℃！　　初步看来，8相供电在满载情况下表现比6相供电好，说明8相供电下每相供电承受的压力的确比6相供电更低。但这是否就说明多相供电完胜了呢？请接着往下看！华硕 A75闲置3分钟　　闲置3分钟后，8相供电的热量已经明显消退，大部分温度都在60~70℃之间，只有局部超过70℃上限。华硕 A55无散热闲置3分钟　　6相供电闲置3分钟后，热量消退比8相供电更明显，平均温度大概是61℃，局部最高温也才74.9℃，比8相供电的78.3更低。　　测试小结：　　供电相数越多，每相供电所承受的压力的确是越小，发热越少，但是由于元件密集影响，热量更容易累积，降温的速度不一定比得上相数略少的设计。　　加热管还是加风扇靠谱？加热管还是加风扇靠谱？华硕 F1A75-V PRO华硕 F1A55-V供电相数86MOSFET管低抗阻低抗阻散热设计散热片/散热片+风扇热管特殊密闭环境+流通环境对比密闭环境　　第二回合，我们把散热片/热管装回去，对比A55在密闭环境和流通环境下的满载表现，以及用A55带散热片+风扇的组合PK A75带散热片+热管的组合。（注：后一个对比中，A55只有6相供电，A75有8相，因此A55可以说是让了A75一步。）密闭环境下，华硕 A55满载3分钟　　密闭环境下，供电部分的热量到了散热片之后就聚集起来了，没有起到很好的散热效果，主板供电部分一片红，局部温度更高达77.7℃.空气流通环境下，华硕 A55满载3分钟　　同样是满载3分钟，流通环境下的主板供电部分表现明显改善，颜色明显没有那么红，最高温点为65℃，相比差距达12℃.流通环境下，华硕 A55带散热片+风扇满载3分钟　　我们在供电部分加一个小风扇，以进一步优化供电部分的空气流动。可见加了小风扇后，主板供电部分的热量得到明显降低，最高温点已经不在主板供电，最高温度在63℃以下。密闭环境下，华硕A75带散热片满载3分钟　　再看华硕 A75，尽管有8相供电，并且配备热管，但是由于空气不流通，散热表现并不理想，供电部分最高温为65.2℃，周围温度也差不多，比空气流通状况下的6相供电还差。　　测试小结：　　毫无疑问，热管比小风扇更加华丽，成本也更高，但是从实际应用上来说，热管的主要作用是“导热”而不是“散热”，要获得更好的散热效果，与其大成本地加一条热管，还不如小成本地多给用户留给风扇接口。　　2倍铜PCB是否有用？2倍铜PCB是否有用？技嘉 GA-HA65M-D2H-B3技嘉 GA-Z68XP-UD3-ISSD供电相数67MOSFET管低抗阻，3MOSFETDriver MOSFET散热设计无无特殊“超省钱”设计“超省钱”设计 + 2倍铜PCB　　“2倍铜”PCB设计最初由技嘉于2008年提出，接下来收到多个厂商仿效，可以说是近年来炒得挺火的一个设计。今年技嘉再次升级，提出“超省钱”设计，强调降低主板供电部分的温度，以提高效率，节省用户开支。相信很多用户都会有一个疑问，“超省钱”设计真的能降温么？2倍铜PCB又是否真的有用？“超省钱”H61满载3分钟　　“超省钱”H61的供电部分每相都采用了3个低抗阻MOSFET管，散热表现相当不错，在裸奔情况下都没有明显发红，热量分布均匀，最高温度仅60.5℃，让人印象深刻。“超省钱”H61闲置3分钟　　闲置3分钟后，主板供电部分的热量散发非常快，居然看不到一点红，最多只有微微发黄，温度大约在40℃。“超省钱”+“2倍铜”，满载表现让人汗颜！　　换上采用“超省钱”和“2倍铜”设计的Z68，满载3分钟居然也没怎么发红，只是略略发红，温度大概在45℃左右，最高温落到了右上角的USB3.0芯片上了。“2倍铜”Z68闲置3分钟　　如果供电满载的表现只是偶然，那么供电闲置的表现就更是幻觉了，简直连发黄程度的热量都没有，温度大概只有36℃！如果不是右上角的USB3.0保持高温，我们很可能会误以为根本没通电开机。　　测试小结：　　采用“2倍铜”设计的主板往往要比普通PCB设计的主板贵上百元，但是其散热表现是有目共睹的，夸张点说就是不装散热片裸奔也没关系。　　三种MOSFET对比效果如何？2倍铜PCB是否有用？华硕 P8H61-M PRO微星 Z68MA-ED55技嘉 HA65M-D2H-B3供电相数6106MOSFET管普通MOSFETDriver MOSFET低抗阻MOSFET散热设计无无无特殊无无“超省钱”　　前面我们曾经讲过，目前市面主板采用的MOSFET主要有3种，最常见的3pin(2pin)普通MOSFET管，其次是8pin的低抗阻MOSFET管，以及仅在高端主板上现身的一体化Dr.MOSFET.一个大家都可能很感兴趣的问题是，3种MOSFET到底有多大差距？　　实际上这个问题很难回答，因为不同的主板在PCB用料、供电用料、供电相数、布局设计上都可能有不同，再加上各种MOSFET都有不同的型号，不同型号之间的性能差距有大有小，因此我们只能测出一个大概，仅供用户参考普通MOSFET满载　　普通MOSFET管一般都价格实惠，但是抗阻较高，常见1上桥1下桥设计的普通MOSFET管，上下桥都有较大发热，容易形成大面积高温。为了降低抗阻，有些主板会采用1上桥2下桥或2上桥1下桥（统称3MOSFET）的设计，说白了就是通过“串联”来降低每个MOSFET的压力，减少发热。普通MOSFET闲置　　闲置3分钟后，MOSFET管的温度得到了明显改善，从满载近70℃恢复到了50℃左右的水平，降幅约20℃.Dr.MOS满载　　Dr.MOS整合了MOSFET驱动和上桥下桥，占用空间更少，发热也更加集中，满载3分钟后，Dr.MOS的最高温度达68℃，数值并不比普通MOSFET好看多少，但是从热量分布来看，的确明显比普通MOSFET更好。Dr.MOS闲置　　Dr.MOS发热热量集中，因此散热起来也比较好办，闲置3分钟后的Dr.MOS最高温为52.2℃，和普通MOSFET近似，降幅约20℃，但是明显发热的地方更少。低抗阻MOSFET满载　　电路电流一定，通过电路的电阻越大，发热量越大。低抗阻MOSFET由于抗阻一般都比普通MOSFET低，因此发热量要更小，同时不少主板还会采用3MOSFET设计，这种用料和设计的成本不低，不过散热效果很好，裸奔满载温度也在60.5℃以下。低抗阻MOSFET闲置　　由于发热较小，低抗阻MOSFET在闲置时降温也会比较快，温度表现明显比普通MOSFET和Dr.MOSFET更好，降温幅度也大约有20℃.　　测试小结：　　光从发热量来说，3MOSFET设计的低抗阻MOSFET的表现是最好的。但是从热量分布来说，普通MOSFET和低抗阻MOSFET都容易引起大面积发热，而MOSFET散热片却只能为MOSFET管部分散热，因此MOSFET附近的热量容易累积，供电部分温度还是会挺高的。　　PConline评测室总结：超多相供电不一定必要　　超多相供电设计下，每相供电的发热要比供电相数少的设计更低，但是由于元件密布，发热量更容易累积，需要搭配更好的散热来降温，总的来说成本很高，而实际一定有必要。热管是导热设计，而非散热设计　　热管看起来很威武，但是它的主要作用只是导热，对于散热来说不是必须，只有在空气流通好的情况下，热管才能起到锦上添花的效果。因此，多加一条热管，实际效果可能还不如多加一个小风扇。2倍铜设计的确有效　　电阻和发热是成正比的，2倍铜设计能优化主板PCB的电气性能，减少发热，同时更好地使热量均匀地分散开来，提高散热效率。低抗阻MOSFET是不错的选择　　单纯从发热量角度出发，抵抗阻MOSFET，尤其是3MOSFET设计的低抗阻MOSFET，表现是最理想的，而从整体散热优化考虑，Dr.MOS就更胜一筹，但是当然，Dr.MOS价格更高，因此总的来说低抗阻MOSFET是不错的选择。　　好了，我们的文章就到此结束了，由于评测室当前所有的主板数量有限，加上时间也比较紧张，我们不能考虑到、测试出供电用料与散热可能有关的所有问题，如果各位网友有什么意见建议，欢迎在评论中提出！下一次，我们可能还会测一测供电布局设计与散热的关系，敬请期待！
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