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品牌：民生型号：CBB80A介质材料：有机薄膜应用范围：高压外形：圆柱形功率特性：大功率频率特性：高频调节方式：固定引线类型：径向引出线允许偏差：&5（%）耐压值：3000（V）等效串联电阻(ESR)：&300（m&O）
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类型：生产加工
联系人：刘亚芳
地址：河南鹤壁淇滨大道41号
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&我公司从事专业化生产、研制、销售各种规格型号的金属化有机薄膜电容器、箔式有机薄膜电容器、金属化纸介电容器、箔式油侵电容器、高压复合纸介电容器、电力补偿电容器等六大类，一百多个型号、近万种规格的电容器，产品执行IEC384一级标准，ITT和JIS电容器标准。年生产量近千万只。公司拥有多台全自动设备，依托成熟的军工技术，汲取最新的科研成果，采用先进、合理的生产工艺，运用&科学、规范、严格&的控制手段，制造&性能优、体积小、科技含量高&的高品质电容器，产品广泛应用于电力系统功率补偿电路、空调电路板、洗衣机、UPS、电起动运转电路，、整机抑制电磁干扰电路、照明、通讯、铁路、汽车电器等行业。&&公司的方针为：以科技为先导，管理为基础，质量第一，品质至上，诚信经营，不断地超越发展，为祖国的经济建设做出应有的贡献。
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电子元器件产品索引： &B&&&&F&&&&J&&&&N&&&&R&&&&V&&&&Z&&&&3&&&&7&&开关电源电容选型技巧有哪些?来自: kaqiusha 日分享至 :
在反激开关电源中,X电容怎样选择?推荐回答：对同样材质的电容器，频率特性越好。Cx，断电后输入端口电压放电到安全电压峰值42，容抗却反而开始增加，电容总的等效容抗减小：随着频率的增加。电容器典型的频率特性是。假设把这一频率定义为电容容抗的转折频率.4V的时间不超过1S，但当频率增加到某一值时.2×R1)，所以必须具备承受瞬时高电压（高达1200V）的能力，可根据下面的经验公式估算，这样可提高电容的高频特性.6降额）;1/：设Cx为所有X电容的总和;(2.X电容的选择还要考虑耐压能力（按额定电压的0。2，其中R1为放电电阻其阻值一般选60~100K，转折频率越高—即频率特性越好：由于X电容靠近电源线输入端1。因此，可采用将若干小容量电容并联的方式，为得到相同的电容量，容量越小，根据安规要求，则电容容量越小。3.X电容容量的选择受到放电时间的限制电路中滤波电容的大小怎样选取?推荐回答：电感的阻抗与频率成正比,电容的阻抗与频率成反比.所以,电感可以阻扼高频通过,电容可以阻扼低频通过.二者适当组合,就可过滤各种频率信号.如在整流电路中,将电容并在负载上或将电感串联在负载上,可滤去交流纹波.。电感滤波属电流滤波，是靠通过电流产生电磁感应来平滑输出电流，输出电压低，低于交流电压有效值;适用于大电流，电流越大滤波效果越好。电容和电感的很多特性是恰恰相反的。一般情况下，电解电容的作用是过滤掉电流中的低频信号，但即使是低频信号，其频率也分为了好几个数量级。因此为了适合在不同频率下使用，电解电容也分为高频电容和低频电容(这里的高频是相对而言)。低频滤波电容主要用于市电滤波或变压器整流后的滤波，其工作频率与市电一致为50Hz;而高频滤波电容主要工作在开关电源整流后的滤波，其工作频率为几千Hz到几万Hz。当我们将低频滤波电容用于高频电路时，由于低频滤波电容高频特性不好，它在高频充放电时内阻较大，等效电感较高。因此在使用中会因电解液的频繁极化而产生较大的热量。而较高的温度将使电容内部的电解液气化，电容内压力升高，最终导致电容的鼓包和爆裂。电源滤波电容的大小，平时做设计，前级用4.7u,用于滤低频，二级用0.1u，用于滤高频，4.7uF的电容作用是减小输出脉动和低频干扰，0.1uF的电容应该是减小由于负载电流瞬时变化引起的高频干扰。一般前面那个越大越好，两个电容值相差大概100倍左右。电源滤波，开关电源，要看你的ESR(电容的等效串联电阻)有多大，而高频电容的选择最好在其自谐振频率上。大电容是防止浪涌，机理就好比大水库防洪能力更强一样;小电容滤高频干扰，任何器件都可以等效成一个电阻、电感、电容的串并联电路，也就有了自谐振，只有在这个自谐振频率上，等效电阻最小，所以滤波最好!电容的等效模型为一电感L，一电阻R和电容C的串联，电感L为电容引线所至，电阻R代表电容的有功功率损耗，电容C.因而可等效为串联LC回路求其谐振频率，串联谐振的条件为WL=1/WC,W=2*PI*f,从而得到此式子f = 1/(2pi* LC).，串联LC回路中心频率处电抗最小表现为纯电阻，所以中心频率处起到滤波效果.引线电感的大小因其粗细长短而不同，接地电容的电感一般是1MM为10nH左右，取决于需要接地的频率。采用电容滤波设计需要考虑参数：ESRESL耐压值谐振频率开关电源中滤波电容的作用和选择推荐回答：的问题好多!不好意思.至于如何计算.开关电源一般能做到交流90-240伏的输入范围.现在被大量采用.开关电源的进线滤波电路作用是.但做好并非易事:防止被市电干扰和本身干扰市电;工作效率;静态功耗;电磁干扰和电磁兼容性.作不了解答.400伏滤波电容作用是滤波.频率太高会造成元件发热严重和静态功耗增加.输出自然是你由自己要求而定.电源输出功率越大.电容容量也要求越大.我能力有限.主要参数;输出电压抖动.开关电源前景很大.频率一般是最高到500k.PWM是开关电源用得最多的调制方式.由于集成电路稳定和高效:输入范围.祝你成功.而且问题不清晰开关电源中安规电容参数如何选取？推荐回答：开关电源中安规电容参数质量一般容量愈大愈好，如果去除固定频率谐波，可用f=L/2π*C计算。电容，电容器的简称，是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直、耦合、旁路、滤波、调谐回路、能量转换、控制电路等方面。电容（Capacitance）亦称作“电容量”，是指在给定电位差下的电荷储藏量，记为C，国际单位是法拉（F）。一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上，造成电荷的累积储存，储存的电荷量则称为电容。因电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，所以广泛应用于隔直、耦合、旁路、滤波、调谐回路、能量转换、控制电路等方面。我的电源开关电容爆了，为什么我换上同一型号的电容还是无法启动？推荐回答：电容爆了，可能影响到整流桥以及保险和其它短路保护零件。桥式整流后级的滤波电容如何选择？推荐回答：由于四端电容具有良好的高频特性，无法满足开关电源的使用要求，时电容量并不是其主要指标，电容器的电容量，用多引出片并联连接以减小容抗中的阻抗成份，因此普通低频铝电解电容器的目标是以提高电容量为主，其锯齿波电压频率高达数十kHz，经过电容内部，提高了电容器承受大电流的能力，为减小电压的脉动分量以及抑制开关尖峰噪声提供了极为有利的手段.2V2，例如，衡量高频铝电解电容优劣的标准是“阻抗-频率”特性： 一种是在RLC=(3~5)T/.5A电流1000μF 有依RC时间常数为依据的，电容滤波要获得较好的效果，充放电时间是毫秒数量级。） 桥式整流电路的电容量一般几百到几万uF；从负载返回的电流也从电容的一个负端流入。 普通的低频电解电容器在10kHz左右便开始呈现感性。而开关电源专用的高频铝电解电容器有四个端子，再从另一个正端流向负载，工程上也通常应满足wRLC≥6~10：每0，例如。而开关电源中的输出滤波电解电容器。 有依电流为依据的，同时对于半导体器件工作时产生的高频尖峰信号具有良好的滤波作用，即将铝箔分成较短的若干段，正极铝片的两端分别引出作为电容器的正极. 滤波电容的选择 50Hz工频电路中使用的普通电解电容器：工频桥式整流的电容量C = 3 (T/。并且采用低电阻率的材料作为引出端子，甚至是数十MHz，其脉动电压频率仅为100Hz工程上有详细的曲线可供查阅，所需的电容量高达数十万μF。高频铝电解电容器还有多芯的形式，再从另一个负端流向电源负端，要求在开关电源的工作频率内要有较低的等效阻抗、损耗角正切值以及漏电流是鉴别其优劣的主要数。电流从四端电容的一个正端流入，负极铝片的两端也分别引出作为负极。 也有这样算的。（或者。一般常采用以下近似估算法。为获得更小的脉动系数;2) / 2的条件下，近似认为VL=VO=1开关电源的电容如何选择推荐回答：大电容免除下级IC对电源的影响，从退耦电容中提取电流，是滤波电容，所以，即相当于给下级IC提供了一个电荷水池，从这个意义讲。大小电容相差100倍大电容是退耦电容，即有交流分量，即电源电压通过整形滤波之后出来的电压仍不可避免的有各次波谐波分量，大电容电压不突变，真诚回答。小电容是作用正好相反，不会拉低开关电源电压，需要大电流时，如果下级IC的IO口转换剧烈，所以小电容是免除电压波动对下级IC的影响的，这是经验值退耦电容有几种接法？各起什么作用？有什么好处？推荐回答：电容选择上都采用的MLCC的电容进行退耦，常见的MLCC的电容因为介质的不同可以进行不同的分类，可以分成NPO的第一类介质，X7R和Z5V等的第二、三类介质。EIA对第二、三类介质使用三个字母，按照电容值和温度之间关系详细分类为：第一个数字表示下限类别温度：X：－55度；Y：－30度；Z：＋10度第二个数字表示上限温度：4：＋65度；5：＋85度；6：105度；7：125度；8：150度；第三个数字表示25度容量误差：P：＋10％/-10％；R：＋15％/-15％；S：＋22％/-22％；T：＋22％/-33％；U：＋22％/-56％；V：＋22％/-82％例如我们常见的Z5V，表示工作温度是10度～85度，标称容量偏差＋22％/-82％，为了做成纯文档的格式，尽量采用文字说明，不不采用图片，这样给理解带来一定的困难，看官们见笑了。设电源引脚和地引脚的封装电感和引线电感之和分别为：Lv和Lg。两个互补的MOS管（接地的NMOS和接电源的PMOS）简单作为开关使用。假设初始时 刻传输线上各点的电压和电流均为零，在某一时刻器件将驱动传输线为高电平，这时候器件就需要从电源管脚吸收电流。在时间T1，使PMOS管导通，电流从PCB板上的VCC流入，流经封装电感Lv，跨越PMOS管，串联终端电阻，然后流入传输线，输出电流幅度为VCC/（2×Z0）。电流在传输线网络上持续一个完整的返回（Round-Trip）时间，在时间T2结束。之后整个传输线处于电荷充满状态，不需要额外流入电流来维持。当电流瞬间涌过封装电感Lv时，将在芯片内部的电源提供点产生电压被拉低的扰动。该扰动在电源中被称之为同步开关噪声（SSN，Simultaneous Switching Noise；SSO，Simultaneous Switching Output Noise）或Delta I噪声。在时间T3，关闭PMOS管，这一动作不会导致脉冲噪声的产生，因为在此之前PMOS管一直处于打开状态且没有电流流过的。同时打开NMOS管，这时传输线、地平面、封装电感Lg以及NMOS管形成一回路，有瞬间电流流过开关B，这样在芯片内部的地结点处产生参考电平点被抬高的扰动。该扰动在电源系统中被称之为地弹噪声（Ground Bounce，我个人读着地tan）。实际电源系统中存在芯片引脚、PCB走线、电源层、底层等任何互连线都存在一定电感值，因此上面就IC级分析的SSN和地弹噪声在进行Board Level分析时，以同样的方式存在，而不仅仅局限于芯片内部。就整个电源分布系统来说（Power Distribute System）来说，这就是所谓的电源电压塌陷噪声。因为芯片输出的开关操作以及芯片内部的操作，需要瞬时的从电源抽取较大的电流，而电源特性来说不能快速响应该电流变化，高速开关电源开关频率也仅有MHz量级。为了保证芯片附近电源线上的电压不至于因为SSN和地弹噪声降低超过器件手册规定的容限，这就需要在芯片附近为高速电流需求提供一个储能电容，这就是我们所要的退耦电容。如果电容是理想的电容，选用越大的电容当然越好了，因为越大电容越大，瞬时提供电量的能力越强，由此引起的电源轨道塌陷的值越低，电压值越稳定。但是，实际的电容并不是理想器件，因为材料、封装等方面的影响，具备有电感、电阻等附加特性；尤其是在高频环境中更表现的更像电感的电气特性。我们都知道实际电容的模型简单的以电容、电阻和电感建立。除电容的容量C以外，还包括以下寄生参数：1、等效串联电阻ESR（Resr）：电容器的等效串联电阻是由电容器的引脚电阻与电容器两个极板的等效电阻相串联构成的。当有大的交流电流通过电容器，Resr使电容器消耗能量(从而产生损耗)，由此电容中常用用损耗因子表示该参数。2、等效串联电感ESL（Lesl）：电容器的等效串联电感是由电容器的引脚电感与电容器两个极板的等效电感串联构成的。3、等效并联电阻EPR Rp ：就是我们通常所说的电容器泄漏电阻，在交流耦合应用、存储应用(例如模拟积分器和采样保持器)以及当电容器用于高阻抗电路时，Rp是一项重要参数，理想电容器中的电荷应该只随外部电流变化。然而实际电容器中的Rp使电荷以RC时间常数决定的速度缓慢泄放。还是两个参数RDA、CDA 也是电容的分布参数，但在实际的应该中影响比较小，这就省了吧。所以电容重要分布参数的有三个：ESR、ESL、EPR。其中最重要的是ESR、 ESL，实际在分析电容模型的时候一般只用RLC简化模型，即分析电容的C、ESR、ESL。因为寄生参数的影响，尤其是ESL的影响，实际电容的频率特性表现出阻抗和频率成“V”字形的曲线，低频时随频率的升高，电容阻抗降低；当到最低点时，电容阻抗等于ESR；之后随频率的升高，阻抗增加，表现出电感特性（归功于ESL）。因此对电容的选择需要考虑的不仅仅是容值，还需要综合考虑其他因素。包括： 所有考虑的出发点都是为了降低电源地之间的感抗（满足电源最大容抗的条件下），在有瞬时大电流流过电源系统时，不至于产生大的噪声干扰芯片的电源地引脚。选用常见的有两种方法计算所需的电容：简单方法：由输出驱动的变化计算所需退耦电容的大小；复杂方法：由电源系统所允许的最大的感抗计算退耦电容的大小。我们假设一个模型，在一个Vcc＝3.3V的SRAM系统中，有36根输出数据线，单根数据线的负载为Cload＝30pF（相当的大了），输出驱动需要在Tr＝2ns（上升时间）内将负载从0V驱动到3.3V，该芯片资料里规定的电源电压要求是3.3V＋0.3V/-0.165V。可以看出在SRAM的输出同时从0V上升到3.3V时，从电源系统抽取的电流最大，我们选择此时计算所需的退耦电容量。我们采用第一种计算方法进行计算，单根数据线所需要的电流大小为：I＝Cload×（dV/dt）＝30pF×（3V/2ns）=45mA;36根数据线同时翻转时的电流大小为Itot＝45mA×36＝1.62A。芯片允许的供电电压降为0.165V，假设我们允许该芯片在电源线上因为SSN引入的噪声为50mV，那么所需要的电容退耦电容为：C＝I×（dt/dV）＝1.62A×（2ns/50mV）=64nF；从标准容值表中选用两个34nF的电容进行并联以完成该值，正如上面提到的退耦电容的选择在实际中并不是越大越好，因为越大的电容具有更大的封装，而更大的封装可能引入更大的ESL，ESL的存在会引起在IC引脚处的电压抖动（Glitching），这个可以通过V＝L×（di/dt）公式来说明，常见贴片电容的L大约是1.5nH，那么V＝1.5nH×（1.62A/2ns）=1.2V，考虑整个Bypass回路的等效电感之后，实际电路中glitch会小于该值。通过前人做的一些仿真的和经验的数据来看，退耦电容上的Glitch与同时驱动的总线数量有很大关系。因为ESL在高频时觉得了电源线上的电流提供能力，我们采用第二种方法再次计算所需的退耦电容量。这中方法是从Board Level考虑单板，即从Bypass Loop的总的感抗角度进行电容的计算和选择，因此更具有现实意义，当然需要考虑的因素也就越多，实际问题的解决总是这样，需要一些折中，需要一点妥协。同样使用上面的假设，电源系统的总的感抗最大：Xmax＝（dV/dI）＝0.05/1.62=31m欧；在此，需要说明我们引入的去耦电容是为了去除比电源的去耦电容没有滤除的更高频率的噪声，例如在电路板级参数中串联电感约为Lserial＝5nH，那么电源的退耦频率：Fbypass＝Xmax/(2pi×Lserial)＝982KHz，这就是电源本身的滤波频率，当频率高于此频率时，电源电路的退耦电路不起作用，需要引入芯片的退耦电容进行滤波。另外引入另外一个参数——转折点频率Fknee，该频率决定了数字电路中主要的能量分布，高于该频率的分量认为对数字电路的上升沿和下降沿变化没有贡献。在High-Speed Digital Design:A Hand Book of Black Magic这本书的第一章就详细的讨论了该问题，在此不进行详细说明。只是引入其中推倒的公式：Fknee＝（1/2×Tr）＝250MHz，其中Tr＝2ns；可见Fknee远远大于Fbypass，5nH的串联电感肯定是不行了。那么计算：Ltot＝Xmax/(2pi×Fknee)＝(Xmax×Tr/pi)=19.7pH;如前面提到的常见的贴片电容的串联电感在1.5nH左右，所需要的电容个数是：N＝（Lserial/Ltot）=76个，另外当频率降到Fbypass的时候，也应该满足板级容抗需要即：Carray=(1/（2pi×Fbypass×Xmax）)＝5.23uF；Celement=Carray/N=69nF.1、电容容值；2、电介质材料；3、电容的几何尺寸和放置位置。分享至 :
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