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型号/规格：UF品牌/商标：YDK环保类别：无铅环保型安装方式：直插式包装方式：散装产品主要用途：工业电力电气设备引出线类型：螺栓型特征：圆柱体型标称容量范围：470额定电压范围：450温度系数范围：105
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VIP会员 第 5 年
类型：生产制造商
联系人：王艳
地址：广东深圳龙华新区龙华办事处
(4472)N (4072)N (3)N (2)N (238)N (155)N (2)
voltage VRated voltage Vr:16V--- 600 V DC
&Surge voltage Vs:1.15 Vr
&Rated capacitance Cr:1500 ... 220000 μF
&Capacitance tolerance: 10/+30% Q
&Leakage current Ileak(5 min, 20℃):I(leak)&=(Cr/μF*Vr/V)的0.7次方*0.3μA+4μA
&Self-inductance ESL d = 35.7 mm: approx. 10 nH
&d = 51.6 mm: approx. 15 nH
&d ≥64.3 mm: approx. 20 nH
&Useful life d ≤51.6mm d ≥64.3mm Requirements:
&105℃; Vr; Iac,r &10000h &20000h (C2-C1)/C1 ≤±45% of initial value
&85℃; Vr; Iac,r &15000h &25000h ESR ≤3 times initial specified limit
&40℃; Vr;2.4* Iac,r &200000h ------- I(leak) ≤initial specified limit
&40℃; Vr;2.7* Iac,r ------- &200000h
&Voltage endurance
Post test requirements
&105℃; Vr; Iac,r 5000h (C2-C1)/C1 ≤±15% of initial value
&ESR ≤3 times initial specified limit
&I(leak) ≤initial specified limit
&Vibration resistance test To IEC , test Fc:
&Displacement amplitude 0.75 mm, frequency range 10 ... 55 Hz,
& max. 10 g, duration 3*2 h.
& mounted by its body which is rigidly clamped to the work surface.
&IEC climatic category IEC climatic category To IEC 60068-1:
& ( 55℃/+125℃/56 days damp heat test)
&Detail specification Similar to CECC
&Sectional specification IEC 60384-4
&Ripple current capability
&Due to the ripple current capability of the contact elements, the following current upper limits must
&not be exceeded:Capacitor diameter ?D&51 mm & 51 mm
&IAC, max 30A 40A
我们的产品：
1。我们的主要产品包括：105C，电解电容85C，高电压电解电容，高频低阻抗电解电容，低漏电流电解电容，无极电解电容，长寿命的电解电容，储能电容，超大容量的电解电容，
&对齐滤波电容，闪光灯电容，电容，螺丝电解电容，400V电解电容，450V电解电容，500V电解电容，550V电解电容，600V电解电容和高品质电解电容系列：0.1uF-2000000uF/4V- 600V电解电容。
2。根据您的要求制作不同的系列电解电容柜，超大容量，高电压，焊接机，储能，充放电电源，过滤器，极高的纹波电流，小型电解电容和其他。
3。制作2.7V全系列单超电解：2.7V/1F-20000F。
4。根据您的要求制作不同的超电流电解电容，高功率，混合动力，能源回收，切换和关闭，充电和放电功率，第二个电源，启动，直流电源，电池保护，超电解电容器模块及其他：
1000UF &#F/2.7V&#V。
5。使绝缘和金属冲压件，各种根据您的要求
&产品名称：450V470UF-12000UF螺栓型电解电容
&所在地区：广东 深圳
&单位价格: 面议　最小起订量： 1个 供货总量： 个
&点此留言询价
&内容摘要：我们公司是一家集科研、开发、生产、销售于一体的大型螺栓型铝电解电容器生产企业。公司拥有先进的设计和生产能力，
&精良的生产与检测设备，高素质的员工...
450V470UF-12000UF螺栓型电解电容详细介绍：
我们公司是一家集科研、开发、生产、销售于一体的大型螺栓型铝电解电容器生产企业。公司拥有先进的设计和生产能力，精良的生产与检测设备，
&高素质的员工队伍和完善的市场服务体系，公司已通过国际质量体系认证，确保了产品质量的长期稳定可靠，产品广泛适用于、器、UPS电源、通信电源、变频空调、
&电梯、高档汽车音响、医疗美容设备等行业。
&电基坚持以市场为核心，以诚信为根本，使公司产品的市场占有率逐步提高，
&我们将本着“互惠互利，诚信至上”的原则，竭诚欢迎各兄弟单位、商界同仁、莅临参观考察、洽谈合作，共创美好未来！
类型：生产制造商
联系人：王艳
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电子元器件产品索引： &B&&&&F&&&&J&&&&N&&&&R&&&&V&&&&Z&&&&3&&&&7&&军委装备发展部信息系统局发布229项电子元器件科研项目研制需求 | 附141项公开项目详情
军委装备发展部信息系统局于日通过全军武器装备采购信息网（http://www.weain.mil.cn）发布了229项电子元器件科研项目研制需求，其中公开141项，涉密88项（涉密信息详情须按照网站“服务指南-&涉密查询流程”到全军武器装备采购信息网各查询点进行现场查询）。此次评审公告（军委装备发展部信息系统局2017年电子元器件科研项目评审公告）可通过互联网到全军武器装备采购信息网 “采购公告-&其他公告”中查询。公开信息详情及相关电子模板可在评审公告附件中下载。本批次信息不需要通过全军武器装备采购信息网对接。
“采购公告-&采购需求”新增1条关于海军微波宽带信息传输系统采购需求信息。该信息的对接截止时间为日，详细信息须按照网站“服务指南-&涉密查询流程”到全军武器装备采购信息网各查询点（北京、重庆、上海、沈阳、西安、深圳）进行现场查询。
电子元器件科研项目研制需求公开的141项项目详情如下：
主要性能指标
128G、480G自主通用型交换芯片系列
共2个品种：主要功能描述：支持VLAN，支持超长帧≥9kb，支持Ipv4和IPv6。品种1：中央报文缓存区≥2MB；可配置支持48个1G+8个10G端口或12个10G端口。品种2：中央报文缓存区≥6MB，支持VxLan，可配置支持48个10G或32个10G+4个40G端口。
20G、40G网络处理器芯片系列
共2个品种：主要功能描述：支持多级流表，支持处理资源动态映射与调度。品种1：单向包处理能力20G，包转发率28MPPS，可配置支持2个10G接口或1个10G接口+10个1G接口两种模式。品种2：单向包处理能力40G，包转发率56MPPS，可配置支持4个10G接口或2个10G接口+20个1G接口两种模式。
高速以太网接口及控制电路
共7个品种：品种1：支持10BASE-T/100BASE-TX/1000BASE-T以太网电接口；支持100BASE-FX/1000BASE-X以太网光接口；支持同步以太网功能。品种2：10/100/1000BASE-TGigabitPHY芯片，支持GMII，RGMII，SGMII，SerDes，TBI，RTBI和MII；MAC多种模式接口。品种3：支持2.5G以太网数据传输；支持低功耗模式；支持MDIO接口；支持引脚配置功能。品种4：支持5G以太网数据传输；支持低功耗模式；支持MDIO接口；支持引脚配置功能。品种5：支持10G以太网数据传输。接口速率：12.5Gbps；支持低功耗模式。品种6：千兆网卡芯片；电源电压V：I/O：3.3；内核V：1.2；功耗W：≤3。品种7：四路1000Base-X高速接口，具备1路MDIO接口；具有冗余时分总线控制，支持16路交换；具有CotexM3内核，主频不小于70MHz。
通用高性能图形处理器（GPU）
1个品种：单精度浮点性能：2000（GFlops）；像素填充率：32（GPixels/s）；纹理填充率：64（GT/s）。
军用多核64位处理器（CPU）
1个品种：集成4个处理器核；内核工作频率：1200MHz；DDR3工作频率：500MHz。
高性能多核64位处理器（CPU）
1个品种：集成4个高性能64位处理器核；主频2.2GHz；L1指令和数据Cache分别不小于32KB；L2 Cache不小于4MB。
高性能嵌入式多核32位处理器（CPU）
1个品种：最高主频：1.2GHz，集成4核；I-Cache：32KB，D-Cache：32KB。
高性能通用控制器
1个品种：芯片集成2个基于64位处理核心，支持双精度浮点，一级缓存128KB，二级缓存512KB，核心工作频率500MHz。
高可靠航发控制系统用微控制器
1个品种：工作主频：不低于132MHz；2MB的Flash、256KB的SRAM，具有ECC功能。
敌我识别中频信号处理器芯片
1个品种：数据输入：14bit，数据采样率：≥150MSPS；数据输出：16bit，速率：≥160Mbps；内核处理工作频率：≥150MSPS。
3D封装DDR SDRAM系列
共4个品种：品种1：1Gbit；位宽：64bit；工作电压：2.5V±0.2V。品种2：1Gbit；位宽：72bit；工作电压：2.5V±0.2V。品种3：2Gbit；位宽：64bit；工作电压：2.5V±0.2V。品种4：2Gbit；位宽：72bit；工作电压：2.5V±0.2V。
12.5Gbps超低传输延时收发芯片
共2个品种：品种1：发送芯片。串行数据率：12.5Gbps；LVDS输入时钟频率：625MHz；传输延迟：≤20ns。品种2：接收芯片。串行数据率：12.5Gbps；传输延迟：≤20ns。
低功耗高速收发器系列
共3个品种：品种1、品种2、品种3：数据率：8、12.5、16Gbps；输入数据位宽：40、32、20、16bit可编程；发送端输出摆幅：150～1200mV可编程。
PCIE3.0接口电路
1个品种：集成26lanePCIE3.0通道，最多可以支持6个PCIE3.0端口；支持3D/2D图形显示及两路显示输出接口。
10位AD转换器
1个品种：最高支持采样率5GSPS；10bit采样位数。
宽带AD转换器
共2个品种：品种1：分辨率：12Bit；最高采样率：3GSPS。品种2：分辨率：14Bit；最高采样率：1.25GSPS。
24位超高精度AD转换器系列
共3个品种：品种1、品种2：高性能24位高精度ADC，分辨率24位；速率：625Ksps；最大时钟频率：40MHz。品种3：分辨率：24位，采样速率≤144ksps。
高速AD转换器
共2个品种：产品1：双通道；2.5GSPS，12bit分辨率。产品2：双通道；分辨率14比特，采样率1.25GSPS。
高速、高压DA转换器系列
共4个品种：品种1：采样率：12GSa/s；分辨率：12bit；带宽：DC～4.8GHz。品种2：多输出模式16位6GSPS/12GSPSRF-DAC；分辨率：16Bit；最高转换速率：12GSPS。品种3：集成DDS功能的16位12GSPSRF-DAC；DAC分辨率：16Bit；最高转换速率：12GSPS。品种4：4通道16位DAC芯片；电流输出范围：0-20mA、4-20mA、0-24mA；电压输出范围：0-5V、0-10V、±5V、±10V。
低延迟LVDS接口高速AD/DA转换器
共2个品种：品种1：12位1.5GSPSADC，采用低延迟转换结构，并行LVDS接口输出；延时：≤5clockcycles。品种2：12位3GSPSDAC，采用低延迟转换结构，并行LVDS接口输入；延时：≤3.5clockcycles。
谐振控制器
共3个品种：品种1、品种2、品种3：工作电压：12V～20V；基准电压：4.85V～5.15V；运放输入失调电压：-10mV～10mV；电源电流：≤32mAV。
数字控制DC/DC电源转换器系列
共4个品种：品种1：输出电压范围：0.54V～5.5V；输入电压范围：4.5V～14V；工作频率：200K～1.33MHz。品种2：输出电压范围：0.6V～5V；输入电压范围：3V～14V；工作频率：200K～1.4MHz。品种3：双输出，两相位数字DC/DC控制器：输入电压范围：4.5V～14V；输出电压范围：0.54V～5.5V。品种4：单相同步整流降压型数字混合式DC/DC控制器：输入电压范围：4.5V～24V；输出电压范围：0.5V～5.5V；工作频率：0.26MHz～1.66MHz。
宽压大功率DC/DC电源转换器系列
共4个品种：品种1：Vin输入电压范围：4.5V～18V；输出电压范围：0.76～7.0V；带载能力：4A。品种2：Vin输入电压范围：4.5V～18V；输出电压范围：0.76～7.0V；带载能力：5A。品种3：Vin输入电压范围：4.5V～18V；输出电压范围：0.76～7.0V；带载能力：6A。品种4：Vin输入电压范围：4.5V～36V；输出电压范围：0.8～32V；带载能力：2A。
双通道数字控制DC/DC稳压器
共3个品种：品种1：双通道9A数字电源，输入电压：4.5V～17V；输出电压：0.5V～5.5V。品种2：双通道13A数字电源，输入电压：4.5V～26.5V；输出电压：0.5V～5.5V。品种3：双通道18A数字电源，输入电压：4.5V～16V；输出电压：0.5V～1.8V。
超低噪声多通道电压调整器
共6个品种：品种1、品种2、品种3：输出通道数：4、4、1；输出电压：可调；输出电压精度：±2%、±3%、±2%；输出电流mA：120、300、400；最高输入电压V：5.6、5.6、5.5。品种4、品种5、品种6：输出通道数：1、1、1；输出电压V：2.5、5、3.3；输出电压精度：±3%、±3%、±2.4%；输出电流mA：100、100、500；最高输入电压V：20。
模拟开关电路系列
共7个品种：品种1、品种2、品种3、品种4、品种5：MAX475X系列：导通电阻：≤1.0Ω；导通时间：≤150ns；关断时间：≤60ns；电源电压：1.8V～5.5V。品种6：导通电阻：≤15Ω；导通时间：≤275ns；关断时间：≤235ns；电源电压：±4.5V～±20V；电源电流≤-5μA～5μA。品种7：导通电阻：≤45Ω；导通时间：≤175ns；关断时间：≤145ns；电源电压：±4.5V～±20V；电源电流≤250μA。
高温电压调整器/电压比较器
共2个品种：品种1：输入电压：5.5V～30V；输出电压：5V±5%。品种2：工作电压：4.5V～5.5V；最大工作频率：25MHz。工作温度：-55℃～175℃。
超宽带高速跟踪/采样保持电路
共2个品种：品种1：最高采样率：4GSPS；输入带宽：≥18GHz；无杂散动态范围：≥53dBc@fin=8GHz；功耗：≤1.6W。品种2：最高采样率：4GSPS；输入带宽：≥18GHz；无杂散动态范围：≥50dBc@fin=8GHz；功耗：≤2.5W。
电机驱动器系列
共4个品种：品种1：双通道；内置MOSFET；最大电压90V；最大峰值输出电流1A；工作电压：8～14V。品种2：双通道；内置MOSFET；最大电压100V；最大峰值输出电流2A；工作电压：8～14V。品种3：双通道；内置MOSFET；最大电压24V；最大峰值输出电流2.5A；工作电压：8.2～45V。品种4：双通道；内置MOSFET；最大电压24V；最大峰值输出电流6.0A；工作电压：8～52.5V。
FLASH型可编程器件
1个品种：最高频率：350MHz；IO电压：3.3V/2.5V/1.8V/1.5V；块RAM容量：≥144Kb；器件工艺：FLASH。
大动态高精度数字式单片陀螺仪信号调理电路
共2个品种：品种1：量程：±300°/s～±1440°/s；支持的输入电容：0.1～16pF；线性度：18bits。品种2：量程：±1440°/s～±3600°/s；支持的输入电容：0.1～16pF；线性度：16bits。
微小体积光纤陀螺信号处理SiP系列
共3个品种：品种1：ADC分辨率：12bit；ADC采样率：≥40MHz；Y波导最大驱动电压：≥8V。品种2：ADC分辨率：14bit；ADC采样率：≥10MHz；Y波导驱动最大电压：≥12V。品种3：ADC分辨率：14bit；ADC采样率：≥40MHz；Y波导驱动最大电压：≥12V。
数字控制270V输出AC/DC电源模块
共3个品种：品种1：模块输入：三相三线85-140VrmsL-N；270V输出；非隔离；标准全砖。品种2：模块输入：单相85-264VrmsL-N；270V输出；非隔离；标准全砖。品种3：模块输入：输入三相三线304-456VrmsL-L；270V输出；非隔离；标准全砖。
大功率AC/DC电源模块
共6个品种：品种1、品种2、品种3：500W系列：输出电压：12V、28V、48V；最大输出电流：42A、18A、10.5A；交流输入：85-265VAC，47-63Hz。品种4、品种5、品种6：1000W系列：输出电压：12V、28V、48V；最大输出电流：60A、36A、21A；交流输入：85-265VAC，47-63Hz。
数字控制大功率DC/DC电源模块
共8个品种：品种1、品种2、品种3、品种4：输出电压：5V，12V，15V，28V；输入电压范围：16V～40V；额定输入电压：28V。品种5、品种6、品种7、品种8：输入电压：16V～40V；输出电流功率：50A/600W（12V/50A）、25A/600W（24V/25A）、22A/600W（28V/22A）、12.5A/600W（48V/12.5A）。
3.6-36V输入电压DC/DC变换器
共6个品种：品种1：输入电压3.6-36V，输出电压0.8-10V，最大输出电流1A。品种2：输入电压3.6-36V，输出电压0.8-10V，最大输出电流2A。品种3：输入电压3.6-36V，输出电压0.8-24V，最大输出电流3A。品种4：输入电压3.6-36V，输出电压0.8-10V，最大输出电流1A。品种5：输入电压3.6-36V，输出电压0.8-10V，最大输出电流2A。品种6：输入电压3.6-36V，输出电压0.8-24V，最大输出电流3A。
270V母线输入大功率DC/DC变换器系列
共8个品种：品种1：输入电压：180V～375V；输出电压/电流：3.3V/90A。品种2：输入电压：180V～375V；输出电压/电流：24V/30A。品种3：输入电压：180V～375V；输出电压/电流：28V/25A。品种4：输入电压：180V～375V；输出电压/电流：48V/15A。品种5、品种6、品种7、品种8：输入电压160～400V；输出电压单路12V、15V、28V、±12V；输出电流：5A、4.33A、2.32A、2.5A。
385V母线输入大功率DC/DC变换器系列
共4个品种：品种1、品种2、品种3、品种4：输出电压：5V，12V，28V，36V；输入电压范围240V～425V，额定输入385V。
输出电压可调稳压器系列
共2个品种：品种1：输入电压范围：Vout+1V～26V；输出电流：5A；基准电压：1.22V～1.26V。品种2：输入电压范围：Vout+1.5V～Vout+35V；输出电流：3A；基准电压：1.22V～1.27V。
EMI滤波器系列
共4个品种：品种1：输入电压范围：0～50V；输出电流：0～15A。品种2：输入电压范围：0～50V；输出电流：0～3A。品种3：输入电压范围：0～50V；输出电流：0～1A。品种4：输入电压范围：0～50V；输出电流：0～2A。
600V（25A-100A）系列IGBT芯片
共3个品种：品种1：击穿电压：600V；电流：25A；阈值电压：5.0～6.5V。品种2：击穿电压：600V；电流：50A；阈值电压：5.0～6.5V。品种3：击穿电压：600V；电流：100A；阈值电压：5.0～6.5V。
1200V（25A-100A）系列IGBT芯片
共3个品种：品种1：击穿电压：1200V；电流：25A；阈值电压：5.3～6.3V。品种2：击穿电压：1200V；电流：50A；阈值电压：5.3～6.3V。品种3：击穿电压：1200V；电流：100A；阈值电压：5.3～6.3V。
A、200A)大电流IGBT芯片
共2个品种：品种1：集电极发射极电流Ic：150A；集电极发射极反向击穿电压BVces：1200V；集电极发射极饱和压降Vcesat：2.15V。品种2：集电极发射极电流Ic：200A；集电极发射极反向击穿电压BVces：1200V；集电极发射极饱和压降Vcesat：2.15V。
1700V（25A-100A）系列IGBT芯片
共3个品种：品种1：击穿电压：1700V；电流：25A；阈值电压：5.2～6.4V。品种2：击穿电压：1700V；电流：50A；阈值电压：5.2～6.4V。品种3：击穿电压：1700V；电流：100A；阈值电压：5.2～6.4V。
1200V SiC混合IGBT半桥模块系列
3个品种：品种1：集电极发射极电流Ic：300A；集电极-发射极电压VCES：1200V；集电极-发射极饱和电压VCEsat：1.75V。品种2：集电极发射极电流Ic：450A；集电极-发射极电压VCES：1200V；集电极-发射极饱和电压VCEsat：1.8V。品种3：集电极发射极电流Ic：600A；集电极-发射极电压VCES：1200V；集电极-发射极饱和电压VCEsat：1.8V。
IGBT高压栅驱动芯片
共2个品种：品种1、品种2：Voffset(MAX)：600V；Vin：10V‐20V；Io+/-：≥130/270mA，≥97/250mA；Ton/off：≤820/220ns，≤300/280ns。
军用大电流功率MOSFET
共5个品种：品种1：最大允许耗散功率：125W；漏源击穿电压：-100V；漏极电流：-31A。品种2：最大允许耗散功率：330W；漏源击穿电压≥100V；漏极电流≤140A。品种3：耗散功率：200W；栅源电压：VGS=±30V；漏源击穿电压：V(BR)DSS=650V。品种4：VDSS650V，Rds(on)＜0.11Ω；ID45A；100%雪崩测试。品种5：VDSS最小100V；最大通流：75A；PD：200W；VGS：±20；IDSS：250uA。
大电流肖特基功率二极管
共4个品种：品种1：IF(AV)：45A；VRRM(PerLeg)≥100V；IFSM：400A。品种2：IF(AV)：45A；VRRM(PerLeg)≥45V；IFSM：400A。品种3：IF(AV)：90A；VRRM(PerLeg)≥100V；IFSM：250A。品种4：IF(AV)：80A；VRRM(PerLeg)≥45V；IFSM：250A。
低损耗超级整流二极管系列
共4个品种：品种1：击穿电压：150V；正向电压VF≤0.85V；正向电流：10A。品种2：击穿电压：200V；正向电压VF≤0.85V；正向电流：10A。品种3：击穿电压：250V；正向电压VF≤1.05V；正向电流：10A。品种4：击穿电压：300V；正向电压VF≤1.05V；正向电流：10A。
1700V碳化硅肖特基二极管
共2个品种：品种1：正向压降VF≤1.9V@IF=25A，Tj=25℃；反向漏电流IR≤200μA@VR=1700V，Tj=25℃；连续工作电流：50A。品种2：正向压降VF≤2V@IF=25A，Tj=25℃；反向漏电流IR≤200μA@VR=1700V，Tj=25℃；连续工作电流：35A。
宽带低噪声放大器MMIC
共7个品种：品种1：工作频率：0.2-2.0GHz，增益：20dB，P1dB≥20dBm。品种2：工作频率：0.1-20GHz，增益：20dB，P1dB≥20dBm。品种3：工作频率：20-40GHz，增益：20dB，P1dB≥17dBm。品种4：工作频率：18-40 GHz；增益：9dB。品种5：工作频率：40-75GHz；增益：15dB；噪声系数＜5dB。品种6：工作频率：75-110GHz；增益：13dB； 噪声系数：＜5dB。品种7：工作频率：92-96GHz；增益：18dB；噪声系数＜3dB。
毫米波混频器MMIC
共3个品种：品种1：射频频率：40-75GHz；中频频率：0-1GHz。品种2：射频频率：60-96GHz；中频频率：0-12GHz。品种3：输入频率：75-110GHz；中频频率：0-12GHz。
毫米波倍频器MMIC
共2个品种：品种1：输出频率：79-96GHz；输出功率：2-11dBm。品种2：输出频率：75-110GHz；输出功率：2-11dBm。
W波段开关MMIC
共4个品种：品种1：SPST开关频率：92-96GHz；插入损耗：1.6dB；隔离度：＞40dB。品种2：SPST开关频率：75-110GHz；插入损耗：2.0dB；隔离度：＞30dB。品种3：SPDT频率：92-96GHz；插入损耗：1.6dB；隔离度：＞30dB。品种4：SPDT频率：75-110GHz；插入损耗：2.5dB；隔离度：＞25dB。
W波段限幅器MMIC
共2个品种：品种1：频率：92-96GHz，驻波：＜1.5；限幅电平：15dBm。品种2：频率：75-110GHz，驻波：＜2.0；限幅电平：15dBm。
限幅低噪声放大器MMIC
共5个品种：品种1：1.2GHz～1.4GHz：增益≥35dB；噪声：≤1.0dB。品种2：2.7GHz～3.5GHz：增益≥28dB；噪声：≤1.2dB。品种3：5GHz～6GHz：增益≥24dB；噪声：≤1.3dB。产品种4：8GHz～12GHz：增益≥23dB；噪声：≤1.8dB。品种5：14GHz～18GHz：增益≥23dB；噪声：≤2.0dB。
GaAs变频多功能MMIC
共3个品种：品种1：8GHz-12GHz变频多功能系列（集成双向放大）技术指标：射频频率范围：8GHz-12GHz；本振频率范围：10GHz～16GHz；中频频率范围2GHz～4GHz。品种2：6GHz-18GHz变频多功能（集成双向放大）射频频率范围：6GHz～18GHz；本振频率范围：6GHz～18GHz；中频频率范围DC～6GHz。品种3：3GHz-4GHz变频多功能（集成双向放大）射频频率范围：3GHz～4GHz；本振频率范围：4GHz～5GHz；中频频率范围0.5GHz～1.5GHz。
微波对数放大器
共2个品种：品种1：主要功能描述：线性动态范围59dB（-54dBm到+5dBm），工作频率：0.1-20GHz。品种2：主要功能描述：线性动态范围47dB（-49dBm到-2dBm），工作频率：18-42GHz。
毫米波频率源
共2个品种：品种1：输出频率：24GHz～32GHz；输出功率：0dBm；相位噪声：≤-90dBc/Hz@10kHz。品种2：输出频率：32GHz～40GHz；输出功率：0dBm；相位噪声：≤-90dBc/Hz@10kHz。
星载小型化宽带检测电路
共4个品种：品种1：工作频段：1MHz～8GHz，平坦度：≤2dB，输入动态范围：-10～10dBm，最小脉宽：100ns。品种2：工作频段：8～18GHz，平坦度：≤3dB，输入动态范围：-10～10dBm，最小脉宽：100ns。品种3：工作频段：18～26.5GHz，平坦度：≤4dB，输入动态范围：-10～10dBm，最小脉宽：100ns。品种4：工作频段：26.5～40GHz，平坦度：≤5dB，输入动态范围：-10～10dBm，最小脉宽：100ns。
高灵敏度长波512×8数字化TDI红外探测器杜瓦组件
1个品种：阵列规模：512×8；TDI像元数：8元参与3级TDI；光敏元尺寸（推扫方向×垂直推扫方向）：40μm×40μm。
弹载用斯特林制冷机
共2个品种：品种1：1W@80K制冷机：1.0W@80K/23℃，0.6W@80K/70℃。品种2：1.5W@80K制冷机：1.5W@80K/23℃，1.0W@80K/70℃。降温时间：1.5W@80K制冷机：≤10min@1440J/23℃，≤15min@1440J/70℃。
低功耗即开即用型固体激光器
共2个品种：品种1：输出波长：～1um；脉冲能量≥80mJ；重复频率：20Hz。品种2：输出波长：～1um；脉冲能量：≥40mJ；重复频率：20Hz。
974nm半导体激光器系列
共2个品种：品种1：带制冷品种：峰值波长：～1um；阈值电流：≤30mA；全温峰值波长变化nm：≤0.8。品种2：无制冷品种：峰值波长：～1um；阈值电流：≤30mA（室温）。
200W半导体激光器芯片
1个品种：额定输出功率：＞200W；中心波长：～1um；光谱宽度(FWHM)：≤4nm；电光效率：＞60％（连续激光功率≥200W时）。
超高速多路并行光收发组件
共4个品种：品种1：并行电通道数：4；单通道速率：≥25Gbps；光接口：单路单模光纤；误码率：≤10-12。品种2：通道数4；单通道速率≥25Gbps，波长850nm，消光比≥3dB。品种3：通道数12；单通道速率≥25Gbps，波长850nm，消光比≥3dB。品种4：通道数24；单通道速率≥25Gbps，波长850nm，消光比≥3dB。
水下高速无线光通信组件
共1个品种：单向传输速率：≥2.5 Gbps；出光功率：≥-3dBm。
多芯多模柔软铠装光缆
共3个品种：品种1、品种2、品种3：光纤类型：多模光纤；光纤数（根）：12、28、48；外径（mm）：≤3.5（12芯），≤9.5（28芯），≤11（48芯）；衰减系数（dB/km）：≤3.5(850nm)，≤1.5(1300nm)。
高精度小型化光纤陀螺用薄涂覆层保偏光纤
共2个品种：品种1：工作波长：1310nm；拍长：≤3mm；偏振串音：≤-25.0dB。品种2：工作波长：1550nm；拍长：≤4.0mm；偏振串音：≤-25.0dB。
超宽带精密可调光纤延时组件
共2个品种：品种1：C波段可调光纤延时组件：工作频段：1GHz～6GHz；噪声系数：≤42dB；无杂散动态范围：≥106dB-Hz2/3。品种2：Ku波段可调光纤延时组件：工作频段：6GHz～18GHz；噪声系数：≤40dB；无杂散动态范围：≥100dB-Hz2/3。
高温光纤动态气压传感器
共3个品种：品种1、品种2、品种3：压力测量范围 ：0MPa～6MPa、0MPa～10MPa、0MPa～30MPa；气压敏感部件工作温区：-40℃～800 ℃；
小尺寸高精细度液晶显示屏系列
共2个品种：品种1：分辨率：；有效显示面积（mm）：（35.52±0.5）×（28.42±0.5）；非均匀性：≤15%。品种2：分辨率：；有效显示面积（mm）：（75.366±0.15）×(60.293±0.15)。
0.77英寸高亮度绿光硅基OLED微型显示器
共2个品种：品种1：显示介质：单色AMOLED；有效显示面积：(15.360±0.005)mm×(12.290±0.005)mm；(0.77英寸)；分辨率：。品种2：显示介质：单色AMOLED；有效显示面积：(15.360±0.005)mm×(12.290±0.005)mm；(0.77英寸)；分辨率：。
锌/空气燃料电池系列
共3个品种：品种1、品种2、品种3：额定功率：50W、360W、500W；额定容量：不小于100Ah、不小于120Ah、不小于160Ah。
柔性高效太阳电池
1个品种：转换效率（AM0，25℃）≥31%；开路电压≥2.9V。
环形铁芯有限转角力矩电机
共4个品种：品种1：峰值堵转电压28.5V；峰值堵转电流≤1.5A；峰值堵转转矩≥0.01Nm。品种2：峰值堵转电压24V；峰值堵转电流≤3A；峰值堵转转矩≥0.1Nm。品种3：峰值堵转电压24V；峰值堵转电流≤4A；峰值堵转转矩≥0.2Nm。品种4：峰值堵转电压28V；峰值堵转电流≤2.8A；峰值堵转转矩≥0.5Nm。
高功率密度无刷舵机电机
共4个品种：品种1：外形尺寸：28；功率100W。品种2：外形尺寸：36；功率600W。品种3：外形尺寸：54；功率1000W。品种4：外形尺寸：64；功率2000W。
高速永磁同步发电机
共6个品种：品种1：额定转速：42000/min～52000r/min；额定电流：6.5A。品种2：额定转速：90000r/min～125000r/min；输出通道数：1通道。品种3：额定转速：30000r/min～55000r/min；额定电流：30A。品种4：额定转速：4000r/min～8000r/min；输出通道数：1通道。品种5：额定转速：45000/min；额定相电压：35.7V±5V。品种6：额定转速：（4）r/min；输出通道数：2通道。
多通道冗余抗短路发电机
共5个品种：品种1：转速范围：0～21357r/min；输出通道数：3通道。品种2：转速范围：0～8000r/min；输出通道数：2通道。品种3：转速范围：2410r/min～23100r/min；输出通道数：2通道。品种4：转速范围：0～27000r/min（100%）；输出通道数：5通道。品种5：转速范围：0～14445r/min（100%）；输出通道数：2通道。
航天失电制动器
共4个品种：品种1、品种2、品种3、品种4：静制动力矩：≥0.10～1.6N.m；额定直流电压：12～28V；制动器功率：2～5W。
旋转关节式射频同轴连接器组件
共2个品种：品种1、品种2：采用标准SMA/SSMA接口，连接器组件径向旋转关节可240°内8节点自由限位固定。使用频率：DC～3GHz；插入损耗：≤1dB；特性阻抗：50Ω±2Ω。
气密封大功率射频同轴连接器
共5个品种：品种1：频率范围0.05GHz～11GHz；电压驻波比≤1.35；插入损耗≤0.5dB。品种2：频率范围0.05GHz～18GHz；电压驻波比≤1.5；插入损耗≤0.8dB。品种3：频率范围0.05GHz～9GHz；电压驻波比≤1.35；插入损耗≤0.9dB。品种4：频率范围0.05GHz～3GHz；电压驻波比≤1.35；插入损耗≤1.0dB。品种5：频率范围0.05GHz～3GHz；电压驻波比≤1.35；插入损耗≤1.0dB。
10Gbps高速耐环境圆形高密度I/O连接器
共4个品种：品种1、品种2、品种3、品种4：芯数：8，28，66，144；额定电流：3A；额定电压：30VDC；低电平接触电阻：＜20mΩ；传输速率：10Gbps。
盲插式带压插拔流体连接器
共3个品种：品种1、品种2、品种3：通径为5mm、8mm、12mm的产品，特性功能为可实现0.6MPa以下带压插拔；工作压力：0—1.5MPa。
1394总线连接器
共8个品种：品种1、品种2、品种3：芯数：4、8、12芯；特性阻抗：110Ohm；传输速率：1.65Gbps；串扰：＜5%。品种4、品种5、品种6、品种7、品种8：芯数：1芯、2芯、4芯、6芯、8芯；特性阻抗：110Ω；最大传输速率：400Mbps；额定电流：1A；插入损耗：≤0.25dB@250MHz。
高温密封电连接器
共3个品种：品种1、品种2、品种3：接触体数量：3芯、4芯、8芯；工作温度-55℃～500℃。
深水光电连接器
共5个品种：品种1、品种2、品种3、品种4、品种5：针孔排列方式：1光，2光2电，5光2电，4光4电，7光5电；耐压范围：不小于30MPa(min)。
高频双路旋转关节
共2个品种：品种1：高频双路同轴旋转关节：支持频段：一个通道支持DC～30.0GHz。另一个通道支持DC～4.5GHz工作。品种2：高频双路波导旋转关节：支持频段：1）Ku频段14.0～14.5GHz；2)Ka频段：29.40～31.00GHz。
SMA、SMP同轴高频负载
共3个品种：品种1：SMA系列：频率：DC-22GHz。品种2：2.92系列：频率：DC-40GHz。品种3：SMP系列：频率：DC-40GHz。
高压直流接触器
共3个品种：品种1：动作时间：≤20ms；120V，200A，10 000次120V，500A，50次。品种2：动作时间：≤20ms；120V,100A,10 000次120V，250A，50次。品种3：动作时间：≤20ms；270V，200A，10 000次270V，500A，50次。
大功率微波开关
共8个品种：品种1、品种2：SPDT(单刀双掷)开关、SP4T(单刀四掷)开关：频率范围：0.1GHz～0.4GHz；驻波比：≤1.1。品种3：SP4T(单刀四掷)开关：频率范围：0.1～0.8GHz；驻波比：≤1.3。品种4：SPDT(单刀双掷)开关：频率范围：0.1GHz-4GHz；驻波比：≤1.25。品种5：DPDT(双刀双掷)开关：频率范围：0.1GHz-4GHz；驻波比：≤1.25。品种6：DPDT(双刀双掷)开关：频率范围：0.1GH～8GHz；驻波比：≤1.4。品种7：SPDT(单刀双掷)开关：频率范围：0.1GHz-18GHz；驻波比：≤1.8。品种6：SP3T(单刀三掷)开关：频率范围：0.1GHz-18GHz；驻波比：≤1.8。
表面安装光-MOS固态继电器
共6个品种：品种1、品种2、品种3、品种4、品种5、品种6：输出电路组数：1H、2H、4H；输入电流：≤20mA；输出电流：双向±0.25A～1A。
小型气密封微动开关
共3个品种：品种1：额定电压：28VDC，115VAC400Hz；接触电阻：≤25mΩ。品种2：额定电压：28VDC；接触电阻：≤50mΩ。品种3：额定电压：28VDC；接触电阻：≤50mΩ。
小型大功率电磁断路器
共5个品种：品种1：级数：三极；额定电流：15A；额定电压：220V/380VAC(50Hz)，125VDC，145V/250VAC(400Hz)。品种2：级数：二极；额定电流：55A；额定电压：220VAC(50Hz)，125VDC，145VAC(400Hz)。品种3：级数：二极；额定电流：100A；额定电压：220VAC(50Hz)，125VDC，145VAC(400Hz)。品种4：级数：一极；额定电流：200A；额定电压：220VAC(50Hz)，125VDC，145VAC(400Hz)。品种5：级数：一极；额定电流：350A；额定电压：220VAC(50Hz)，125VDC，145VAC(400Hz)。
轻质吊放光（电）复合缆组件
共2个品种：品种1、品种2： 2光、2光2电；光衰减：≤0.4dB/km（1310nm)；≤0.3dB/km(1550nm)；比重：≤1.2。
隔离型微压差传感器
共4个品种：品种1、品种2、品种3、品种4：测压范围：0～2kPa、7kPa、15kPa、30kPa系列；零点输出：1V±0.02V。
微压传感器
共3个品种：品种1、品种2、品种3：测量范围（kPa）：0～0.25、0～2.5、0～7.5；供电（mA）：1.5±0.1。
高温动态压力传感器
共3个品种：品种1、品种2、品种3：测量范围 (MPa)：0～0.7，0～7，0～21；准确度（ %FS）： ±0.3；零点输出（mV） ：±5；工作温度：-55℃～500℃。
高温转速传感器
共3个品种：品种1、品种2、品种3：测量范围（Hz）50～00；50～3000；测量精度：0.2%FS（550℃）；工作温度：-50℃～550℃。
高过载MEMS陀螺仪
共1个品种：抗冲击：16000g；测量范围：±1500°/s；零偏不稳定性：≤25°/h。
小型抗振及抗冲击晶体振荡器
共9个品种：品种1、品种2、品种3、品种4、品种5：抗振晶振：标称频率 40MHz，60MHz，80MHz，100MHz，120MHz；静态相噪 ≤-155dBc/Hz@1kHz；动态相噪 ≤-140dBc/Hz@1kHz；品种6、品种7、品种8、品种9：抗冲击晶振：标称频率 10MHz，40MHz，60MHz，100MHz；电源电压 3.3V。
星用高频高稳恒温晶体振荡器
共4个品种：品种1、品种2、品种3、品种4：标称频率：50MHz、80MHz、100MHz、120MHz；电源电压：12V；输出波形：正弦波。
基于多功能芯片的低功耗低相噪恒温晶振
共4个品种，产品指标（常温）：品种1：输出频率8MHz～20MHz，输出功率≥5dBm。品种2：输出频率20MHz～40MHz，输出功率≥5dBm。品种3：输出频率40MHz～80MHz，相输出功率≥5dBm。品种4：输出频率80MHz～120MHz，输出功率≥5dBm。
星载高可靠开关
共4个品种：品种1：中心频率：9.6GHz；工作带宽：0.2GHz；电压驻波比：1.2。品种2：中心频率：17.0GHz；工作带宽：0.2GHz；电压驻波比：1.2。品种3：中心频率：21.1GHz；工作带宽：0.4GHz；电压驻波比：1.25。品种4：中心频率：35GHz；工作带宽：0.5GHz；电压驻波比：1.3。
超宽带大功率环行器
共4个品种：品种1：工作频率：0.4～2GHz；相对带宽：≥25%。品种2：工作频率：2～8GHz；相对带宽：≥50%。品种3：工作频率：8～18GHz；相对带宽：满带。品种4：工作频率：26.5～40GHz；相对带宽：满带。
小型慢断熔断器
共5个品种：品种1、品种2、品种3、品种4、品种5：额定电流：1A/2A/3A/5A/7A；熔断时间：1倍额定电流时4小时内不熔断，2倍额定电流时熔断时间1s～60s，8倍额定电流时熔断时间0.02s～0.1s。
小型低损耗声表滤波器
共4个品种：品种1：工作频率：1268.52MHz；带宽：≥21MHz。品种2：工作频率：1561MHz；带宽：≥4.5MHz。品种3：工作频率：1575MHz；带宽：≥2.5MHz。品种4：工作频率：1602MHz；带宽：≥8MHz。
星用声表面波滤波器
共10个品种：品种1：中心频率： 217.5 MHz；插入损耗：≤4dB。品种2：中心频率： 405 MHz；插入损耗：≤3.5dB。品种3：中心频率： 466.26 MHz；插入损耗：≤4.0dB。品种4：中心频率： 507 MHz；插入损耗：≤4.0dB。品种5：中心频率： 967 MHz；插入损耗：≤5.0dB。品种6：中心频率： 140 MHz；插入损耗：≤4dB。品种7：中心频率：290.5 MHz；插入损耗：≤4dB。品种8：中心频率： 399 MHz；插入损耗：≤5dB。品种9：中心频率： 440 MHz；插入损耗：≤5dB。品种10：中心频率： 750 MHz；插入损耗：≤6dB。
小型化磁性宽带滤波器
共4个品种：品种1：工作频率：150MHz；工作带宽：50MHz；插入损耗：≤3dB。品种2：工作频率：375MHz；工作带宽：200MHz；插入损耗：≤2dB。品种3：工作频率：700MHz；工作带宽：400MHz；插入损耗：≤1.4dB。品种4：工作频率：1800MHz；工作带宽：1000MHz；插入损耗：≤2dB。
多阻带数控陷波YIG滤波器
共4个品种：品种1：工作频率：0.9-2GHz；阻带数：3；插损：≤6dB。品种2：工作频率：2-6GHz；阻带数：2；插损：≤4dB。品种3：工作频率：2-8GHz；阻带数：2；插损：≤7.5dB。品种4：工作频率：6-18GHz；阻带数：2；插损：≤4dB。
有机导电聚合物固体电解质钽电容器
共8个品种：品种1：额定电压：6.3V，额定容量：1500uF。品种2：额定电压：10.0V，额定容量：1000uF。品种3：额定电压：16.0V，额定容量：680uF。品种4：额定电压：25.0V，额定容量：470uF。品种5：额定电压：40.0V，额定容量：330uF。品种6：额定电压：50.0V，额定容量：220uF。品种7：额定电压：63.0V，额定容量：100uF。品种8：额定电压：75.0V，额定容量：75uF。
片式有机导电聚合物固体电解质铝电容器
共8个品种：品种1：额定电压：2.0V，额定容量：470uF。品种2：额定电压：2.5V，额定容量：330uF。品种3：额定电压：4.0V，额定容量：220uF。品种4：额定电压：6.3V，额定容量：180uF。品种5：额定电压：10.0V，额定容量：150uF。品种6：额定电压：12.5V，额定容量：100uF。品种7：额定电压：16.0V，额定容量：100uF。品种8：额定电压：20.0V，额定容量：68uF。
飞行器用低漏感高可靠脉冲变压器
共4个品种：品种1：输入电压：10～18V；输出功率：30W；工作频率：50kHz。品种2：输入电压：20～30V；输出功率：350W；工作频率：40kHz。品种3：输入电压：24～30V；输出功率：500W；工作频率：50kHz。品种4：输入电压：80～100V；输出功率：1700W；工作频率：50kHz。
6英寸半绝缘砷化镓衬底材料
1个品种：直径：150±0.4mm；电阻率：≥1×108Ωocm；径向电阻率不均匀性：≤30%；迁移率：≥4500cm2/Vos；表面质量：双面抛光。
4英寸磷化铟单晶片
1个品种：直径：100±0.3mm；电阻率：≥1E7Ωocm；迁移率：≥2E3cm2/Vos；位错密度：≤5E3/cm2；表面质量：双面抛光，表面无划痕、崩边、沾污和雾等缺陷。
表层增益和平面波导高能YAG激光板条
共2个品种：品种1：板条尺寸（mm3）：（2±0.02）×（28±0.5）×（121±0.5）；掺杂浓度（at%）：1.5±0.15；波前畸变@633nm≤0.1λ/英寸；消光比≥30dB。品种2：板条尺寸（mm3）：（5.0±0.02）×（20±0.5）×（75±0.5）；掺杂浓度（at%）：5±0.5；波前畸变@633nm≤0.1λ/英寸；消光比≥30dB。
120mm CdZnTe晶体材料
1个品种：晶体直径：120±2mm；衬底尺寸：70mm×70mm；衬底厚度：950±50μm；平均位错腐蚀坑密度（EPD）：≤5×104cm-2；红外透过率（cm-1）：≥60%；表面粗糙度（Ra）：≤1nm。
锂氟化碳电池正极材料
1个品种：比能量：＞2000Wh/kg（金属锂负极，截止电压1.5V，0.05C）；比能量：＞1500Wh/kg（金属锂负极，截止电压1.5V，1C）；具备年产300公斤氟化碳材料能力，提供的合格氟化碳材料累计不低于100公斤。
射频MEMS用区熔硅单晶材料
1个品种：直径：150±0.3mm；电阻率：≥10000Ωocm；型号:P型；厚度：625±10μm；TTV：≤3μm；Warp：≤15μm。
6英寸SiC电力电子器件用外延材料
1个品种：外延厚度范围5～100 μm稳定可控；实现N型掺杂浓度1E14～2E19 cm-3稳定可控；外延片片内掺杂浓度偏差&5%,厚度偏差2%；批次间掺杂浓度偏差&5%,批次间外延厚度偏差&5%。
高阻Ga2O3单晶材料
1个品种：晶体尺寸：≥2英寸；XRD FWHM：≤50arcsec；电阻率：≥108Ω·cm；位错密度：≤105cm-2；表面粗糙度：≤0.5nm。
3英寸YLF系列激光晶体
共2个品种：产品1：晶坯直径≥φ75mm×100mm；掺钕浓度：（0.18±0.05）at%；元件尺寸：（40～50）×（60～70）×（1～4）mm3；消光比≥35dB。产品2：晶坯直径≥φ75mm×100mm；晶向：a轴（&100&方向）；掺钬浓度：（1.0±0.1）at%；元件尺寸：（30～40）×（70～80）×（2～4）mm3；消光比≥35dB。
稀土离子铒镱共掺双折射光导材料
1个品种：工作波长:nm；纤芯直径:12±1.5um；包层直径:130±2.0um；涂覆层直径:215±5.0um；包层衰减@1095nm: ≤30dB/km；纤芯数值孔径:0.20±0.02；内包层数值孔径:≥0.46。
3英寸II类超晶格红外焦平面探测器外延材料
1个品种：尺寸：76.2mm±0.5mm；零级峰与衬底的晶格失配≤1×10-3，一级卫星峰半峰宽≤30sec；径向厚度偏差：≤±2%；连续生长4片厚度涨落：≤±2%；量子效率：≥40%；响应截止波长：≥12.5μm；峰值探测率：D*λ≥6×1010cmHz1/2/W。
共3个品种：品种1：粒度D50： 10～20 um；比表面积：≤4m2/g；比容量：≥400 mAh/g( 0.1C，0.01～2V,vs.Li+/Li)。品种2：粒度D50： 10～20 um；比表面积：≤8m2/g；比容量：≥450 mAh/g( 0.1C，0.01～2V,vs.Li+/Li)。品种3：粒度D50： 10～20 um；比表面积：≤12m2/g；比容量：≥500 mAh/g( 0.1C，0.01～2V,vs.Li+/Li)。
钽酸锂晶片
1个品种：直径：Φ100.0±0.20mm；厚度：0.25±0.05mm；居里温度：605±3℃； 黑化后指标：体积电阻率（Ω·cm）：0.99E+10～9.9E+10；光透过率：＜65%（@365nm）。
抗辐照稀土永磁材料系列
共3个品种：产品1：温度系数α（%/℃）：-0.02～+0.02（-55℃～+155℃）；剩磁Br（T）：≥0.8；矫顽力HcB(kA/m)：≥520；最大磁能积（BH）max(kJ/m3):130±16。产品2：温度系数α（%/℃）：0～-0.025（-55℃～+155℃）；剩磁Br（T）：≥0.93；矫顽力HcB(kA/m)：≥640；最大磁能积（BH）max(kJ/m3):183±16。产品3：温度系数α（%/℃）：0～-0.035（-55℃～+155℃）；剩磁Br（T）：≥1.05；矫顽力HcB(kA/m）≥720；最大磁能积（BH）max(kJ/m3):223±16。
抗强电磁脉冲/雷达吸波轻质复合材料
共2个品种：产品1：窄带高功率微波电磁脉冲屏蔽效能：≥60dB；厚度：≤5mm；密度：≤2.0g/cm3；拉伸强度：≥450MPa；弯曲强度：≥350MPa。产品2：窄带高功率微波电磁脉冲屏蔽效能：≥60dB；厚度：≤50mm；密度：≤0.7g/cm?3;；材料承受下列静载荷，无塑性变形或损坏：均布载荷：3kN/m2，集中载荷：面积500mm×500mm载荷10kN。
铝合金一体化封装金属外壳
共2个品种：材料：壳体采用铝合金6061，盖板采用激光焊适配的铝合金；壳体导热率：≥125 W/( moK)；其他指标符合GJB《混合集成电路外壳通用规范》。
电源电路用大电流CLGA外壳
共2个品种：材料：适合布线导体≤7mΩ/□的高温共烧氧化铝陶瓷；最大承载电流：单通道≥8A，双通道≥10A；低电阻端导通电阻：≤20mΩ；导体方阻：≤7mΩ/□；其他指标符合GJB 1420B 《半导体集成电路外壳通用规范》。
高隔离电压CSOP外壳
共2个品种：材料：Al2O3,4J42；隔离电压：CSOP16-1.27≥3500Vrms；CSOP16-0.635≥1500Vrms；其他指标符合GJB 1420B 《半导体集成电路外壳通用规范》。
高隔离电压CDFN陶瓷外壳
共3个品种：材料：氧化铝陶瓷,封接环和盖板用4J42铁镍合金；耐压（KV）≥3.5（CDFN4-1.27)；耐压（KV）≥2（CDFN6-1.27、CDFN8-1.27)；恒定加速度：30000g；平面度：≤0.05㎜；其它指标符合GJB 1420B 《半导体集成电路外壳通用规范》。
0.8mm节距高速FC-CLGA外壳
共2个品种：主要材料：氧化铝陶瓷瓷件、可伐封口环；节距：0.8mm；最高应用采样速度：5GSPS；模拟端信号最高频率：24GHz；插入损耗S21：≤1dB(24GHz)；电压驻波比：VSWR：≤1.5(24GHz)；导体方阻：≤15mΩ；高速信号路数：≥4；其他指标符合GJB 1420B 《半导体集成电路外壳通用规范》。
SMD阵列陶瓷外壳系列
共2个品种：材料：氧化铝陶瓷，热沉乌铜、钼铜，封口环4J29或4J42。单元个数：≥2个；密封区平面度：≤50μm；输入/输出端电阻：≤20mΩ；热阻θjc：≤2℃/W；其它指标符合GJB 《半导体集成电路外壳通用规范》。
钼铜衬底LTCC一体化封装外壳
共2个品种：引出端数：22、25，其中射频引出端数：7、5；材料：底板钼铜、环框可伐、LTCC基板；结构：腔体式结构、平行缝焊结构；高频性能（Ka、Ku波段）：驻波比≤1.3dB；插损≤0.3dB；其他指标符合GJB 《混合集成电路外壳通用规范》。
U波段平面传输型陶瓷外壳
共2个品种：材料：可伐墙体；钼铜/钨铜基板；氧化铝陶瓷绝缘子；封装形式：带法兰陶瓷绝缘子金属外壳形式；应用频率：40～60GHz；传输线端子回波损耗：≤-10dB（@40～60GHz）；传输线端子插损：≤3dB（@40～60GHz）；射频隔离度：≥30dB（@40～60GHz）；其他指标符合GJB923《半导体分立器件外壳通用规范》
抗高过载带圆形光窗金属外壳
共3个品种：品种1：产品外形尺寸：φ6mm；通光孔直径: ≥φ2.5mm；透过率: ≥99%(λ=905nm)；最大抗过载能力: ≥30000g。产品2：产品外形尺寸：φ9mm；通光孔直径: ≥φ3mm；透过率: ≥99%(λ=905nm)； 最大抗过载能力: ≥30000g。产品3：产品外形尺寸：φ15mm；通光孔直径: ≥φ5mm；透过率: ≥99%(λ=905nm)；最大抗过载能力: 轴向≥16000g，径向25000g。其他指标符合GJB 5438 《光电器件金属外壳通用规范》
100Gbps光电调制解调器金属外壳
共3个品种：基体材料：不锈钢；结构：腔体式平行缝焊结构；高频传输端子（自制）电压驻波比：≤1.25（Freq≤26.5GHz），≤1.35（Freq≤40GHz），≤1.5（Freq≤65GHz）；其它指标符合GJB 《混合集成电路外壳通用规范》。
带硒化锌光窗金属外壳
共2个品种：材料：光窗：硒化锌，绝缘子：氧化铝陶瓷，底板：钨铜，边框：铁镍合金，引线：4J29。产品结构：采用陶瓷-金属封装；关键指标：光透率99%以上，工作波段3～12μm；其它指标符合GJB半导体光电子器件外壳通用规范。
宇航级混合集成电路金属外壳气密性技术攻关
共4个品种：基体材料：可伐、冷轧钢作为基体材料；封盖形式：平行缝焊（2个品种）和储能焊（2个品种）；绝缘子：玻璃绝缘子和陶瓷绝缘子；气密性、PIND指标按GJB548相关标准执行；引线数：10～30。
金属外壳铝丝（100μm～500μm）键合脱键问题技术攻关
共2个品种：分立器件用外壳：300℃24h稳定性烘焙、按GJB548中方法1010试验条件F循环500次、125℃1000h寿命试验或按产品详细规范试验后，键合强度试验符合标准且不脱键；至少两种外壳：包含SMD外壳和TO外壳；引线包含100μm、200μm、380μm3种直径铝丝；提供金属外壳粗铝丝键合失效模式分析报告、失效机理分析报告、粗铝丝键合金属外壳在线和出厂的键合检验规范或标准（推荐）、粗铝丝键合的金属外壳使用手册。
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