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　　Boost功率电路的PFC连续工作模式的基本关系
　　临界连续Boost电感设计
　　通常Boost功率电路的PFC有三种工作模式：连续、临界连续和断续模式。控制方式是输入电流跟踪输入电压。连续模式有峰值电流控制，平均电流控制和滞环控制等。本文介绍Boost功率电路的PFC连续工作模式的基本关系及临界连续Boost电感设计。
　　连续模式的基本关系
　　1. 确定输出电压Uo
　　输入电网电压一般都有一定的变化范围(Uin&&D%)，为了输入电流很好地跟踪输入电压，Boost级的输出电压应当高于输入最高电压的峰值，但因为功率耐压由输出电压决定，输出电压一般是输入最高峰值电压的1.05~1.1倍。例如，输入电压220V，50Hz交流电，变化范围是额定值的20%(&D=20)，最高峰值电压是220&1.2&1.414=373.45V。输出电压可以选择390~410V。
　　2. 决定最大输入电流
　　电感应当在最大电流时避免饱和。最大交流输入电流发生在输入电压最低，同时输出功率最大时
　　其中： Uimin -最低输入电压;&-Boost级效率，通常在95%以上。
　　3. 决定工作频率
　　由功率器件，效率和功率等级等因素决定。例如输出功率1.5kW，功率管为MOSFET，开关频率70~100kHz。
　　4. 决定最低输入电压峰值时最大占空度
　　因为连续模式Boost变换器输出Uo与输入Uin关系为 ，所以
　　从上式可见，如果Uo选取较低，在最高输入电压峰值时对应的占空度非常小，由于功率开关的开关时间限制(否则降低开关频率)，可能输入电流不能跟踪输入电压，造成输入电流的THD加大。
　　5. 求需要的电感量
　　为保证电流连续，Boost电感应当大于
　　其中：，k=0.15~0.2。
　　6. 利用AP法选择磁芯尺寸
　　根据电磁感应定律，磁芯有效截面积
　　如果电感是线性的，有
　　因为Boost电感直流分量很大，磁芯损耗小于铜损耗，饱和磁通密度限制最大值。为保证在最大输入电流时磁芯不饱和，应当有
　　因此，面积乘积
　　其中kw=0.3~0.5窗口填充系数，也称为窗口利用系数。B《B/(1+k)。由此选择磁芯。
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　　输出功率在1kW以上，一般采用气隙磁芯。因环形磁粉芯价格高，且加工困难，成本高。但是气隙磁芯在气隙附近边缘磁通穿过线圈，造成附加损耗，这在工艺上应当注意的。
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( 发表人：叶子 )
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aihaozhe离线LV6高级工程师积分：1204|主题：119|帖子：297积分:1204LV6高级工程师 23:45:02
假定在某一个固定开关频率下的PFC，用了两个电感，一个300UH，一个400UH，同样的磁芯，和同样的线材圈数绕制，不同的是气息不同。发现在额定输入电压下这两个电感都可以正常工作，撇开那一个是最佳的电感不说，只从这两个电感的铁损角度出发，那一个会更大一些？
|ht_离线LV10总工程师积分：17041|主题：131|帖子：8070积分:17041LV10总工程师 23:49:39&LI=NBS，电感大的B要大些 铁损要大一些 ||aihaozhe离线LV6高级工程师积分：1204|主题：119|帖子：297积分:1204LV6高级工程师 23:55:54&同样磁芯和圈数的情况下300UH的电感气息比400UH的肯定要大一些，这样会不会导致更加剧烈的边缘磁通效应，从而使得发热严重。 ||
ht_离线LV10总工程师积分：17041|主题：131|帖子：8070积分:17041LV10总工程师 00:02:18&边缘部分确实会存在你所说的那种情况，其实PFC的电感可以用铁粉或者铁硅铝的环来绕制，气息已经均匀的分布在其内部了，很多UPS上都是这样的磁环 ||
maileyang离线LV8副总工程师积分：2488|主题：18|帖子：686积分:2488LV8副总工程师 15:32:12倒数10& 想请教大师一个问题，我发现我很纠结这个PFC磁芯选择的。
先是采用铁硅铝磁芯，另外是铁氧体磁芯。
分别对应在CRM和CCM模式，如果在较低的功率比如300瓦。采用CRM模式的PFC，是否采用铁氧体好一些？铁粉类磁芯，气隙均匀分散，应付CCM模式中的大量的直流磁通，可能有更好的效果。而CRM则全部都是交流磁通，铁粉类磁芯的优势是什么？是因为气隙带来的边沿磁通导致的发热和杂散磁场发射吗？
铁氧体磁芯在CRM模式中，全部都是交流分量。比如dB为0.3T，100KHZ。CRM模式中直接把磁通量顶到0.3T。耗损如下图：
耗损接近：Core loss Pcv(kW/m^3) *1000 。
作为对比也是在CRM中的dB=0.3T,100KHZ.暂时不考虑温度。
资料来至于美磁公式的铁硅铝磁导率60的磁环，达到10000mW/cm^3
铁氧体的耗损：1000KW/m^3
铁硅铝的耗损：10000mW/cm^3
虽然两个的单位不对，但是我捣鼓了一下，铁硅铝的耗损是要比铁氧体的大一些。当然这些分析只是在CRM模式中的同样温度，同意工作状态分析。
那么我的问题就是，在CRM模式下，采用铁氧体是否会好一些？在CCM模式，因为大量的直流分量，大家肯定会选择铁硅铝了。 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 11:21:17&N是一样的么？ ||
daxia4540827离线LV10总工程师积分：12365|主题：190|帖子：5821积分:12365LV10总工程师 09:46:34&这个还真不好说哪一个的铁损大，首先电感大的DELTA B会大，从这个方面来说电感大的铁损会大，哪一方面，两个电感的气息又不一样，气息大的可能损耗也更大，你实测一下电感的温度应该能比较出来。 ||nc965在线LV7版主积分：32811|主题：108|帖子：11012积分:32811版主 14:33:24&300uH的磁损大一点,400uH的更优一点，或许500uH的最优 ||ht_离线LV10总工程师积分：17041|主题：131|帖子：8070积分:17041LV10总工程师 15:58:39&请教一下李工，在楼主给定的条件下为什么是电感越小铁损越大呢？ ||
nc965在线LV7版主积分：32811|主题：108|帖子：11012积分:32811版主 19:00:24&其他情况相同，电感越小，ΔB越大，磁损越大。
楼主的举例隐含一个典型意义：BOOST电感在相当大范围内可正常应用，但是何为最优？
既然300和400uH都能够用，那么400那个气隙的磁芯减少匝数可以到300uH，这样铜损明显降低，而300的磁损要高点，如何权衡？个人观点，磁损铜损应在同一数量级且铜损&磁损为宜。
就楼主的情况，说不定还可以用更小的磁芯。300和400都可能不是最优 ||aihaozhe离线LV6高级工程师积分：1204|主题：119|帖子：297积分:1204LV6高级工程师 21:56:16&李工，你说的“在其他情况相同的情况下，电感越小，DETAL B越大”，为什么说电感越小，DETAL& B反而越大呢？在其它情况相同的情况下，电感越小，只能是气息变大，应该是DETAL B越大呀？不知道是不是我了解错了，请指点 ||
greendot在线LV10总工程师积分：18548|主题：0|帖子：5559积分:18548LV10总工程师 22:49:30&觉得你俩都不对，不管电感大小，因为Ae和N没变，B也是没变的。 ||ht_离线LV10总工程师积分：17041|主题：131|帖子：8070积分:17041LV10总工程师 23:04:42&B=LI/NAe，I,N,Ae都相同，不是L越大，B越大吗？理解的有问题？ ||
daxia4540827离线LV10总工程师积分：12365|主题：190|帖子：5821积分:12365LV10总工程师 23:05:54&是啊，B应该越大！ ||
Bodoni离线LV10总工程师积分：10759|主题：226|帖子：4925积分:10759LV10总工程师 23:09:22&Fsw 给定,L变,I变.. Vin*Ton不变..Lp*delta Ipk不变 ||
daxia4540827离线LV10总工程师积分：12365|主题：190|帖子：5821积分:12365LV10总工程师 23:12:16&原来f是固定的！ ||
Bodoni离线LV10总工程师积分：10759|主题：226|帖子：4925积分:10759LV10总工程师 23:13:25&看11楼的回复,楼主的是CCM,
而CCM PFC一般是定频的.. ||Bodoni离线LV10总工程师积分：10759|主题：226|帖子：4925积分:10759LV10总工程师 23:12:23&既然讨论的是损耗,
我们应该去讨论 Bac,
而不是去Bmax ||
daxia4540827离线LV10总工程师积分：12365|主题：190|帖子：5821积分:12365LV10总工程师 23:14:06&对，应该说变化量。 ||
greendot在线LV10总工程师积分：18548|主题：0|帖子：5559积分:18548LV10总工程师 23:23:04&12楼说的B，就是ΔB哦。 ||
ht_离线LV10总工程师积分：17041|主题：131|帖子：8070积分:17041LV10总工程师 23:28:22&U=N*deltaB*Ae/delta T？ ||ht_离线LV10总工程师积分：17041|主题：131|帖子：8070积分:17041LV10总工程师 23:20:48&大师是从电压的角度理解的？ ||
greendot在线LV10总工程师积分：18548|主题：0|帖子：5559积分:18548LV10总工程师 23:25:08&伏秒积=N*ΔB*Ae ||ht_离线LV10总工程师积分：17041|主题：131|帖子：8070积分:17041LV10总工程师 23:30:24&，明白了，多谢大师，这里从电流的角度不好理解。 ||
daxia4540827离线LV10总工程师积分：12365|主题：190|帖子：5821积分:12365LV10总工程师 17:40:33&那是因为L变了，电流也变了＠！ ||
aihaozhe离线LV6高级工程师积分：1204|主题：119|帖子：297积分:1204LV6高级工程师 17:12:02&请问大师，然后呢？俺学识浅薄，还是了解不了，呵呵！
DELTA B那个会大些？ ||
ht_离线LV10总工程师积分：17041|主题：131|帖子：8070积分:17041LV10总工程师 17:18:35&大师的意思我猜的应该是U=N*deltaB*Ae/delta T 其中 U N Ae delta T都一样，所以两者的 deltaB相同 ||
greendot在线LV10总工程师积分：18548|主题：0|帖子：5559积分:18548LV10总工程师 20:30:38&是的，考虑馒头波内，任意时间点t1时的一个MOS开关周期，
输入电压是Vin(t1)=Vpk*sin(ω*t1)，
MOS的导通时间Ton=[Vo-Vin(t1)]/(Vo*fs) ，Vo=PFC输出电压，fs=开关频率
可见这时电感上的伏秒积（即电压乘时间）=V*ΔT，是与电感量的大小无关的，
根据Farady's Law， V*ΔT = N*ΔB*Ae ，
所以只改变气隙，N，Ae不变时，ΔB便不变了，虽然电感量是变了，
电感变了，ΔI是变的，因为ΔI=V*ΔT/L，
不要以为ΔB和ΔI，一定是同步的，一定是同增同降的，得看情形。 ||ht_离线LV10总工程师积分：17041|主题：131|帖子：8070积分:17041LV10总工程师 20:40:08&大师，这个问题从电流的角度是否可以去分析理解？ ||
greendot在线LV10总工程师积分：18548|主题：0|帖子：5559积分:18548LV10总工程师 21:24:56&怎么说呢，L*ΔI = V*ΔT = N*ΔB*Ae ，&L*ΔI一样也是不变的。 ||
yuguang离线LV7版主积分：2979|主题：40|帖子：1512积分:2979版主 11:59:02& ||
liuyanghe240离线LV2本网技师积分：151|主题：2|帖子：16积分:151LV2本网技师最新回复 17:38:02倒数1&
nc965在线LV7版主积分：32811|主题：108|帖子：11012积分:32811版主 18:04:26&这个问题还有疑问？
电感是什么？是一种和电容对应的储能元件。
其他条件相同，是指拓扑、频率、占空、出力相同。
电感储能，和什么有关？与磁材、气隙等没有什么关系吧？只与电感量和电流有关。
电容储能，和什么有关？与介质、个头等没有什么关系吧？只与电容量和电压有关。
电感储能过程与电容储能过程类似，电容是对应于dv/dt，电感是对应于di/dt。
di/dt是指电流变化率，dv/dt是指电压变化率，与什么有关？电感量越小di/dt就越大，电容量越小dv/dt就越大，
因为频率相同，即dt不变，那么电感量越小电流的变化幅度（斜率）就越大，电容量越小电压的变化幅度（斜率）就越大
电流的变化幅度（斜率）越大对应磁场变化率ΔB越大
磁场变化率ΔB越大，对应磁损越大（如果有磁芯的话）
这些都是些基础得不能再基础的概念了，还经常犯糊涂？
又见有人抬出那个公式：B=LI/NAe，不全面理解，直接搬公式，害人不浅啊
不是这公式有什么问题，而是片面的、孤立地理解公式引发的问题
看公式：貌似B与L成正比，但是这是有条件的，条件是：I、N、Ae都不变，你怎么肯定当L变小时 I 没有变大？ ||ht_离线LV10总工程师积分：17041|主题：131|帖子：8070积分:17041LV10总工程师 20:42:23&“di/dt是指电流变化率，dv/dt是指电压变化率，与什么有关？电感量越小di/dt就越大，电容量越小dv/dt就越大，
因为频率相同，即dt不变，那么电感量越小电流的变化幅度（斜率）就越大，电容量越小电压的变化幅度（斜率）就越大
电流的变化幅度（斜率）越大对应磁场变化率ΔB越大
磁场变化率ΔB越大，对应磁损越大（如果有磁芯的话）”
李工的意思是300uh的磁损要大吗？ ||
nc965在线LV7版主积分：32811|主题：108|帖子：11012积分:32811版主 21:31:10&是的，有磁芯的话是这样 ||yuguang离线LV7版主积分：2979|主题：40|帖子：1512积分:2979版主 21:21:28&&电流的变化幅度（斜率）越大对应磁场变化率ΔB越大&
这句话一定的成立的条件，是气息也没有改变的情况下；
而搂主的定义的条件，理论上磁场变化率ΔB应该没有变化，
个人感觉... ||
nc965在线LV7版主积分：32811|主题：108|帖子：11012积分:32811版主 21:37:17&这句话与气息没有任何关系，空心线圈也是如此。
楼主定义的条件是同样的电路，即拓扑不变，出力不变，仅电感量在变。这样的情况，最明显的变化是电感电流的波形差异，即300的波形斜率大、幅度大，400的小 ||yuguang离线LV7版主积分：2979|主题：40|帖子：1512积分:2979版主 21:50:10&能进一步解释一下：
1.气息对磁滞回线的改变带来的ΔB没有影响的问题；
2.V*t=BNAe 的错在哪里吗？
我还是没有很清晰... ||
yuguang离线LV7版主积分：2979|主题：40|帖子：1512积分:2979版主 22:03:57&我理解了，问题在ΔB上... ||yuguang离线LV7版主积分：2979|主题：40|帖子：1512积分:2979版主 21:53:34& ||
yuguang离线LV7版主积分：2979|主题：40|帖子：1512积分:2979版主 21:55:28&我受此影响：
上图做些变相思考；
1.有气息和无气息的影响，可以类推到气息小和气息大的情况；
2.我们把加入气息的电流减少到和原电流均值一样，来看ΔB的情况；
3.得出的，只是气息变化时，有可能：ΔI增大，ΔB不变；
因：VT=ΔBAeN ||
小法离线LV8副总工程师积分：2765|主题：31|帖子：1497积分:2765LV8副总工程师 23:31:41&TO 43 楼，斑竹，你43楼出自哪份资料的图，能否上传下~~~谢谢！ ||ht_离线LV10总工程师积分：17041|主题：131|帖子：8070积分:17041LV10总工程师 23:51:09&
ht_离线LV10总工程师积分：17041|主题：131|帖子：8070积分:17041LV10总工程师 23:51:32&上面这本书的325页 ||
yuguang离线LV7版主积分：2979|主题：40|帖子：1512积分:2979版主 12:13:36&谢谢你，否则我还一时真说不出来准确出处的 ||
ht_离线LV10总工程师积分：17041|主题：131|帖子：8070积分:17041LV10总工程师 12:17:50&，客气了！ ||
小法离线LV8副总工程师积分：2765|主题：31|帖子：1497积分:2765LV8副总工程师 00:20:06&谢谢兄弟上传~~~ ||
ht_离线LV10总工程师积分：17041|主题：131|帖子：8070积分:17041LV10总工程师 08:41:15&客气了 ||
yuguang离线LV7版主积分：2979|主题：40|帖子：1512积分:2979版主 12:20:22&参见开关电源手册-168页，也有相似的图片 ||
yuguang离线LV7版主积分：2979|主题：40|帖子：1512积分:2979版主 05:33:42&1.电流波形的差异，我深知；
a.电感越大，连续程度加深：电流变化斜率变小，在定频定占空比即定时，ΔI变小；
同时也许能推出电流直流平台变高，可以讲连续程度加深。
b.电感越小，连续程度减弱：
2.空心线圈，我完全同意您讲的，的确这样的；
但似乎还不能很好的解释这个问题，因空心线圈，楼主的条件未必成立。 ||yuguang离线LV7版主积分：2979|主题：40|帖子：1512积分:2979版主 21:26:10&如果楼主是通过改变N来调节感量的话，我完全完全同意李工的阐述！
阐述的非常非常好！！
但是个人感觉因气息的改变，实际I和B的比例关系已经发生了变化...
不知道是否可以这样理解... ||
nc965在线LV7版主积分：32811|主题：108|帖子：11012积分:32811版主 21:40:08&通过改变N来调节感量的话，情况就不一定是这样了，N的减少意味着铜损的减少，增加了一个因素。 ||
yuguang离线LV7版主积分：2979|主题：40|帖子：1512积分:2979版主 21:47:45&我感觉楼主的情况,铁损没有变,但是铜损变化了;
1.虽然ΔI 变大了，ΔB不一定变大；只改变气息，我理解好像ΔB没有变；
2.ΔI 变大了，有可能电流平台和有效值变化了，铜损有可能不同； ||aihaozhe离线LV6高级工程师积分：1204|主题：119|帖子：297积分:1204LV6高级工程师 22:19:14&李工说得很到位，受教了！
在所有外部条件相同的情况下，电感量300UH的气息比400UH的要大，故400UH的Bmax更大更容易饱和（就饱和程度而言）。但是这个Bmax与DELTA B是不同的， DELTA B反应的是磁场变化率，即变化的幅度（即包围的面积），与电流变化率是正比的。
是这样了解的吧？ ||nc965在线LV7版主积分：32811|主题：108|帖子：11012积分:32811版主 22:51:34&理解正确
什么导致磁心发热？是ΔB而不是B，B是静态的，即使B很大，哪怕进入了饱和，只要没有ΔB，磁心就不会发热。发热是因为ΔB在磁心内部折腾，和磁心材质有关。 ||
ht_离线LV10总工程师积分：17041|主题：131|帖子：8070积分:17041LV10总工程师 23:05:26&V*ΔT = N*ΔB*Ae？这个公式不对吗？这里面不就是 ΔB？ ||
yuguang离线LV7版主积分：2979|主题：40|帖子：1512积分:2979版主 05:43:52&我从此图的思考的到不是气息与饱和的问题，疑惑的地方是：
气息是否改变了ΔB/ΔI；成正比我知道，我疑惑是正比的斜率是否一直不变；
这也许才是我理解误区的根源所在； ||
yuguang离线LV7版主积分：2979|主题：40|帖子：1512积分:2979版主 05:50:16&一开始我从:
1.Vt=ΔBAS推出ΔB不变；
2.从上图进一步理解，为什么ΔI变化，而ΔB可能不变。 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 11:36:05&磁损对应的是B变化的大小，而不是B变化的快慢。 ||
sala离线LV2本网技师积分：123|主题：0|帖子：23积分:123LV2本网技师 16:35:36倒数9&能否说说为什么铜损&铁损为宜么，这个最适的比例大概是6:4左右，我可以理解成内部发热量要小于外部的热量，利于散热么？ ||
nc965在线LV7版主积分：32811|主题：108|帖子：11012积分:32811版主 19:50:30倒数8&对，还有就是铜容易传热，也没有居里点 ||
sala离线LV2本网技师积分：123|主题：0|帖子：23积分:123LV2本网技师 20:17:26倒数7&理解，那如果这个比例是8:2甚至更高，但是总体损耗是可以接受的，那会怎么样呢？ ||
daxia4540827离线LV10总工程师积分：12365|主题：190|帖子：5821积分:12365LV10总工程师 17:32:56&？ ||Bodoni离线LV10总工程师积分：10759|主题：226|帖子：4925积分:10759LV10总工程师 21:22:30&磁芯是什么core?
工作模式是CCM? ||
aihaozhe离线LV6高级工程师积分：1204|主题：119|帖子：297积分:1204LV6高级工程师 21:56:42&磁芯是EE42铁氧体，工作在CCM模式。 ||yuguang离线LV7版主积分：2979|主题：40|帖子：1512积分:2979版主 20:18:29&呵呵,还有这样的问题,不过这个问题还真是挺好的;
我个人理解:
1.在理论上应该是一样的；
2.但因是靠气息改变的,所以实际上不好判定。 ||ht_离线LV10总工程师积分：17041|主题：131|帖子：8070积分:17041LV10总工程师 20:48:01&yuguang版，Q你了 ||
yuguang离线LV7版主积分：2979|主题：40|帖子：1512积分:2979版主 21:10:01&才忙其它的事,没有在电脑前,还在吗? ||
yuguang离线LV7版主积分：2979|主题：40|帖子：1512积分:2979版主 12:07:45&L变了，ΔI变了，ΔB/ΔI也变了，但ΔB变了？
这是关键... ||
yuguang离线LV7版主积分：2979|主题：40|帖子：1512积分:2979版主 18:34:47&楼主还有一个前提条件:
两者都是处在CCM模式,只是连续的深度不同而已. ||
ht_离线LV10总工程师积分：17041|主题：131|帖子：8070积分:17041LV10总工程师 21:01:45&没有人讨论了 貌似大家对这个问题不感兴趣 ||yuguang离线LV7版主积分：2979|主题：40|帖子：1512积分:2979版主 22:07:36&真是个好问题，呵呵； ||
andy0831离线LV6高级工程师积分：1077|主题：26|帖子：155积分:1077LV6高级工程师 00:07:49&实际测试温度好了 ||
yuguang离线LV7版主积分：2979|主题：40|帖子：1512积分:2979版主 11:53:23&您实际测试过？有什么好的方法吗？
对于铁损的计算分析准确性，一直是困扰我的一个难题，如果能方便测试出就好了：
1.通过温升或者通过直接测量损耗，似乎还有办法；
2.但测试铁损感觉有难度，
比如本列，即使在铁损不变的情况下，
铜损似乎已经改变了，
因电流的波形改变了，有效值似乎也会有变化，
通过整体损耗难以说明铁损的情况；
3.并且似乎铁损不仅对磁场变化率敏感，对温度也有些敏感。
所以在我做损耗理论上计算的时候，相对于铜损的计算；
我更怀疑铁损计算的准确性；
4.不妨介绍一下测试方法... ||Coming.Lu离线LV7版主积分：39142|主题：37|帖子：13462积分:39142版主 07:49:50&估计是 电感量大的，铁损大。 ||ht_离线LV10总工程师积分：17041|主题：131|帖子：8070积分:17041LV10总工程师 08:42:39&不要估计，要依据。。。 ||
Coming.Lu离线LV7版主积分：39142|主题：37|帖子：13462积分:39142版主 18:00:22&没依据 ||
ht_离线LV10总工程师积分：17041|主题：131|帖子：8070积分:17041LV10总工程师 23:43:42& ||
yuguang离线LV7版主积分：2979|主题：40|帖子：1512积分:2979版主 18:33:40&DCM有可能; ||Bodoni离线LV10总工程师积分：10759|主题：226|帖子：4925积分:10759LV10总工程师 10:09:33&这个问题放在CCM PFC电感设计过程中去考虑吧。
只看部分步骤，大家容易被迷糊。 ||
ht_离线LV10总工程师积分：17041|主题：131|帖子：8070积分:17041LV10总工程师 10:11:15&怎么讲？你的观点是？ ||
einfen离线LV6高级工程师积分：1106|主题：20|帖子：407积分:1106LV6高级工程师 08:50:03&磁场变化率ΔB
不是吧？？公式里的ΔB是 磁感应强度的变化范围。和率关系不大吧？
我认为ΔB是不变的，电感小的更不容易饱和，电感量大的铁损大，手上正做一个PFC,我实测后看看吧。。 ||
ht_离线LV10总工程师积分：17041|主题：131|帖子：8070积分:17041LV10总工程师 09:04:43&等待你的实验结果 注意楼主的条件哈 ||
einfen离线LV6高级工程师积分：1106|主题：20|帖子：407积分:1106LV6高级工程师 14:07:53&测试了一下，
110Vac输入,输出360V,179W.
L=260uH时, PF=0.988， Pin=187.4W
L=475uH时，PF=0.984，Pin=188.2W
电感量小的效率要高0.8Watt
电感电流峰值DELTA I
前者为960mA,后者为580mA.(这里没有考虑低频分量，因为没有电流探头) ||blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 07:59:54&铁损不变 ！ ||
ht_离线LV10总工程师积分：17041|主题：131|帖子：8070积分:17041LV10总工程师 08:59:38&,从哪种角度理解的呢？ ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 13:19:17&法拉第定律呀 ~
已经有人说了 ~ ||
ht_离线LV10总工程师积分：17041|主题：131|帖子：8070积分:17041LV10总工程师 14:27:37&，以为你从另外一个角度理解的呢 ||yuguang离线LV7版主积分：2979|主题：40|帖子：1512积分:2979版主 19:10:11&我再次谈一下对这个问题的我个人的一点肤浅的不确定的理解：
首先从PFC的工作模式来谈（Ton是否不变）：
楼主讲工作控制方式为定频，且工作在CCM模式下，即两种情况下都工作CCM模式;
2）因只有定频且工作在CCM，并且都要工作在CCM模式，我们才能说两者相比Ton没有改变；
但是电感变小，电流的变化量增大了，电流的连续深度减弱了。
再从电感的改变来谈core loss，首先看看条件：
楼主定义的条件是，仅通过气息来改变电感量；
2）Core的损耗：
包含两部分滞损和涡损，两者都对频率和B的变化量敏感还有温度；
所以我们才来谈论B的变化量的问题；
所以问题归结为B的变化量有没有变，是变大还是变小了？
A观点：I变B一定跟着变；
B观点：I变B未变；
C观点：到底B变了还是没变？…
我前两天：
已经从VT=BNS这样的式子来判定B没有变（注：B和I指变化量）
从磁滞曲线来解释，为什么I变了，而B可以不变；
5）我今天换一个角度来谈：
a.HcoreLc+HairLair=NI推出：
(Bcore/(u0*ur))(Lc+urLair)=NI推出：
Bore=NI*(u0*ur)/(Lc+urLair)
b.从电感定义:
L=u0urN*N*Ae/(Lc+urlair)
c.结合a和b得：
Bcore=N*I*L/(N*N*Ae)=LI/(N*Ae)=VTon/(N*Ae)
以上其实还是Faraday’s L
只是中间加入了I的变化，来进一步解释为什么I变了而B可以可以不变;
因I变了，但同时L也变了，所以B可以不变。
6）只是不知道我的理解是否有隐藏我没有注意的错误；
附：气息虽没有影响Core loss ；但对整体loss是有影响的，像提到的因边缘效
应，对Winding Loss的影响。 ||greendot在线LV10总工程师积分：18548|主题：0|帖子：5559积分:18548LV10总工程师 20:07:16&气隙对磁芯损耗还是有影响的。 ||
Bodoni离线LV10总工程师积分：10759|主题：226|帖子：4925积分:10759LV10总工程师 20:33:08&貌似气息越大，损耗越大？对不？
有没有理论依据？ ||
yuguang离线LV7版主积分：2979|主题：40|帖子：1512积分:2979版主 21:07:22&兄台请详细讲讲;
这也是我我在29楼的最初讲在理论上从B来考量好像损耗不变;
但工程上是否一定不变那?
我也深刻怀疑,但以我的水平和理解又讲不出来... ||
yuguang离线LV7版主积分：2979|主题：40|帖子：1512积分:2979版主 21:09:22&我知道气息产生的边缘效应对Winding loss有影响；
所以对于大气息，我们在绕制时要对气息处进行考虑... ||
greendot在线LV10总工程师积分：18548|主题：0|帖子：5559积分:18548LV10总工程师 23:59:13&yu版谦虚了。
ΔB确实是不变，但B场的分布变了，气隙处的磁力线(边缘磁通)溢出多少，直接影响磁芯在气隙处的涡流损耗，当然对线组损耗的影响，已是耳熟能详了。 ||
yuguang离线LV7版主积分：2979|主题：40|帖子：1512积分:2979版主 12:01:51&受教，学习了！ ||ht_离线LV10总工程师积分：17041|主题：131|帖子：8070积分:17041LV10总工程师 21:01:50&，学习了 ||
小法离线LV8副总工程师积分：2765|主题：31|帖子：1497积分:2765LV8副总工程师 21:47:39&关注ing~ ||
yuguang离线LV7版主积分：2979|主题：40|帖子：1512积分:2979版主 21:55:18& ||
yuguang离线LV7版主积分：2979|主题：40|帖子：1512积分:2979版主 12:10:43&1.因对B及ff和T敏感，现在我了解一般的方法通过此来拟合损耗，
这同时也说明对core loss的理论计算我们还远没有吃透；
而我对此的认识和理解，更是连幼儿园大班都没有达到...
2.所以，现在讨论的问题也仅仅基于讨论B的变化量，来讨论损耗的；
其实是有些片面的...
3.而实际上损耗影响，还需要进一步探讨或者大师的深入研究才能明朗；
这也是我想进一步学习的方面...
4.在实际设计时，总感到磁性元件的算耗很难估计准确，猜想更多的是铁损的不准确...
5.希望大家继续探讨... ||
greendot在线LV10总工程师积分：18548|主题：0|帖子：5559积分:18548LV10总工程师 13:11:42&根据datasheet 的Core loss 曲线来估算磁损，有时误差可达30%或更大。 ||
ht_离线LV10总工程师积分：17041|主题：131|帖子：8070积分:17041LV10总工程师 13:15:35&大师是否有好的方法呢？ ||
greendot在线LV10总工程师积分：18548|主题：0|帖子：5559积分:18548LV10总工程师 17:50:13&首先，原始的datasheet 数据有多可靠？
它是用正弦波双极性激励下，测量某一个形状某一个尺寸的磁芯的损耗，而得出的typical 值，
能不能保证，不是正弦波的单极性激励，其他形状尺寸的磁芯，得出的损耗就是同一个值？ ||
ht_离线LV10总工程师积分：17041|主题：131|帖子：8070积分:17041LV10总工程师 23:14:18& ||
bill620769离线LV3助理工程师积分：291|主题：7|帖子：174积分:291LV3助理工程师 09:40:54& ||
kyo离线LV8副总工程师积分：3083|主题：52|帖子：1843积分:3083LV8副总工程师 01:58:58倒数6&学习了~ ||
lis_ben离线LV2本网技师积分：111|主题：1|帖子：9积分:111LV2本网技师 15:36:26倒数5&学习下 ||
wolfdeer离线LV6高级工程师积分：453|主题：1|帖子：107积分:453LV6高级工程师 18:00:44倒数4&这个问题很难，ＰＦＣ电感的Ｂ值显然有两个分量，一个工频的倍频，一个高频。高频的ｄｅｌｔａＢ不会有大的变化，但低频的Bm会明显减小。这样需要考虑，在不同偏磁条件下，磁材相同deltaB相同频率的损耗是否一样？至于高频电流引起的线损或者气隙处的损耗肯定是电感量小的偏大。如果实验验证还需要考虑开关管的电路设计偏向开关损耗还是导通损耗，开关时开通大还是关断大，否则光看整机效率恐怕说明不清楚问题。
期待早有结论。
ruoshui136离线LV8副总工程师积分：8351|主题：255|帖子：3330积分:8351LV8副总工程师 18:42:33倒数3&表示深切关注 ||
luck_离线LV8副总工程师积分：3161|主题：130|帖子：744积分:3161LV8副总工程师 20:04:44倒数2&应该是300UH的 ||
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