我不知道这3个电阻并联是怎样连在一起的

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server is ok共基放大电路为什么化为交流通路后是右边的图,主要是不明白第一幅图上面第一个电阻RB1为什么没有了,我知道C1,C2,C3
共基放大电路为什么化为交流通路后是右边的图,主要是不明白第一幅图上面第一个电阻RB1为什么没有了,我知道C1,C2,C3,VCC都看作短路但是还是不懂.
从等效电路看,等效之后,RB1和RC并联后接地.由于RB1是偏置电阻,阻值会远远大于Rc,所以并联后的电阻值接近于Rc,所以用Rc代替,这样你看起来好像RB1就消失了. 再问: 我懂了,可以再帮我答回答一题吗,谢谢http://zhidao.baidu.com/question/?quesup2&oldq=1。
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与《共基放大电路为什么化为交流通路后是右边的图,主要是不明白第一幅图上面第一个电阻RB1为什么没有了,我知道C1,C2,C3》相关的作业问题
理想电压源的端电压是恒定不变的,而Vcc是直流电压,分析时视为理想源提供.既然电压恒定,交流信号不会在Vcc与地之间产生电压变化,即直流电源两端的交流电压为零,故交流分析时将直流电源短路.完整的说法是:电路进行交流分析时,令直流电源为零,即电压源短路,电流源开路.
通俗地讲在交流通路中,电源可以看做虚短的地.好理解的,就是凡是电源都接有大的滤波电容,这个电容的容抗(可以看成电阻)极小,为了方便分析电路,把它看成短路.
只需要看那个端子为公共端.交流通路就是将电源电容短路,电感开路得到的电路.图中第一第二级射极经电容到地,所以是共射. 再问: 明白了,谢谢哈
没错,能量都是电源提供的,VCC中不变的部分提供给直流,变化的部分就是给供给了交流.
c,c,a,c,电压负反馈,电流负反馈,交流负反馈,直流负反馈,电压负反馈,交流负反馈;6、虚断7、正向导电性,导通电压,反向电流8、为零,虚短9、 (3)正向,反10、0.5,0.7;0.2,0.3
1、共基放大电路频带宽可以从其电压放大倍数计算公式Aus≈R'L/rs来解释,电压放大倍数与β基本无关,故即使高频时β变低了,对电压放大倍数影响也不大,所以频带就宽了;2、频带跟输入电阻没有什么必然关系例如,射随器输入电阻很大,但是其频带也是比较宽的3、信号源电流İs=Ės/(rs+ri),输入电阻
你学过“叠加原理”吗?在那里,当一个电路中有几个电源的情况下,分析电路时,让其中的一个电源起作用,而将其余的电源作如下处理:将电压源短路(但保留内阻),将电流源开路(但保留内阻).在放大电路中,就是又有直流电源,又有交流电源.这样,当我们计算直流时(就是求静态工作点),就将交流电压源短路,就是将输入端短路(因为输入端有
放大电路中,直流电的话,看三极管的类型,NPN型的是C极和B极都流向E极.要是PNP型的流向就相反. 一般交流电不是直接接入,而是要先用直流电压提供一个直流电流,直流电流和交流电流叠加后,仍然是和上面说的直流电流想一致,不过通过电容后将直流电过滤.因此,一般的交流、直流放大电路中电流在3极管内的流向是一样的. 对于推挽
不等.计算直流放大倍数时要画出电路的直流通路,交流放大倍数要画出交流通路.另外,放大电路放大的是交流信号,不是直流信号.
基极在三极管中处于中部位置,将基极和地线交流连接,等于将发射级、集电极进行了静电屏蔽,这样影响三极管截止频率的最大因素Ccb被设计掉了.共基电路在三极管三种放大器状态中拥有最高的频率响应
先提醒一下,这是动态小信号模型,动态又叫交流,小信号又叫微分信号,是指交流电的电流比较小,不至于失真(即放大倍数不变).上面的模型分析的是纯交流电的流通路径和影响方式,记得不是直流哦也就是不是静态分析.交流电没有直流电这么听话,它在三极管的输入口和输出口都流动且相互影响,只要流经的电阻都要算上.上面的输出电阻是交流电的
所谓交流通道就是指交流信号所能通过的路线,电路中耦合电容和旁路电容在交流通道中视为短路,直流通道中视为短路,三极管转化为交流微变等效模型,之后再讨论电路.希望采纳
负反馈在电子放大电路中有着广阔的应用,在减少放大倍数的同时,能改善放大电路的以下性能指标:1、稳定放大电路的放大倍数.2、改变放大电路的输入输出电阻、阻抗.3、减小放大电路的非线性失真.4、展宽放大电路的通频带
频率特性好,电流增益小于1,一般用于中频、高频电压放大场合
再问问别人吧,全忘了
你说的是三极管吧!
这个三级放大电路正像你说的一样特点,第二级输入电阻很低使第一级的电压放大倍数受限制,第三级没有电压放大倍数只有电流放大倍数.所以三级加一起也没有多大的放大倍数.这种组合方式不是正常的搭配,可能是一种特殊用途的电路.如果要制作一个音频小信号放大器,不能用这个电路,可以采用普通的三级共发射极电路,总的电压放大倍数可以做到1
应该是减小放大器的非线性失真
放大电路中,除了电路中较大的串接在支路中的隔直耦合电容和旁路电容外;还有电容量较小的,并联在支路中的极间电容和零碎电容.他们都是影响放大电路频率特性的主要因素.所以,把频率范围,分为高中低三个频区.共基极电路频带最宽,没有米勒电容,所以,共基极放大电路具有比较好的频率响应特性,所以适应于宽频带信号.导线越长,电阻越大。几个电阻串联起来,相当于增加了导体的长度,所以总电阻比任何一个分电阻都 。精英家教网
& 题目详情
5.导线越长,电阻越大。几个电阻串联起来,相当于增加了导体的长度,所以总电阻比任何一个分电阻都______。
题目来源:单片机中上拉,下拉,开漏三者的区别在哪?作用?原理?
1.驱动能力
& & & &关于驱动能力的基本问题我一直都不明白驱动是什么.一般的说驱动一个负载,我想只要你的电压达到了一个阈值,那么就可以驱动这个负载啊,为什么有时候又说驱动能力不够了?为什么说一个没有输出缓冲的op是驱动不了小电阻和大电容负载的了?我直接在这个op后面接个大电容或者一个小电阻负载有什么影响了?当我用运放驱动一个大的mos管的时候为什么要级连几个反向器了,我直接把运放的输出接在这个大mos管上面不行吗?
& & & &楼主这个问题提得好,我以我自己的理解来试图做个解答。
首先,所谓的驱动能力,指的是输出电流的能力。比方说,某型单片机通用IO口在高电平时的最大输出电流是20mA,这个20mA的指标,就表征了该IO口的驱动能力。 其次,如果负载过大(就像楼主所说的小电阻),则负载电流有可能超过其最大输出电流,这时我们说驱动能力不足。
再次,出现驱动能力不足,直接后果是输出电压下降,对逻辑电路来说,就是无法保持其高电平,以致出现逻辑混乱,不能实现预期的效果。这种现象一般是不允许出现的。 ————————————
因为mos管是有内阻的,每个mos管可以提供的最大电流是有限的. 小的mos管提供小电流,大mos管可以提供大电流.
楼主问题中说”我想只要你的电压达到了一个阈值,那么就可以驱动这个负载啊”,
关键是当负载太大(即电阻太小,电容太大),超出了输出管的驱动能力时,输出的电压就会被拉下来,
达不到gnd-vdd的变化范围.
极限情况:r无限小,c无限大(gnd),那输出就没有信号变化了!
————————————
关于51单片机P0口的驱动能力
P0是个漏极开路接口,让它工作在灌电流状态下驱动LED是没有问题的.即:VCC&限流电阻&LED&P0.
灌电流:IO口为低电平的时候,电流从IO口外面”灌”进单片机相反的就是 “拉电流” IO口为高电平的时候,电流从单片机流出去给负载供电。
P0口有两种工作方式:总线式和io口式。简单的说就是:把p0用来作地址数据复用线(movx movc之类的指令)就是总线,这时p0口是推挽式输出,就是pmos,nmos都来驱动输出,所以这个时候不论输1(高电平)还是输0(低电平),驱动都比较强的(内阻小,输出电流大),你们没人见过51访问外ram的硬件中P0口接上拉电阻的吧!
第二种就是io方式,就是将它当作普通的io来用,这时它与其他的三个不同的是,它内部没有上拉电阻(也就是其他的三个口内部都有上拉),属于开漏输出(od),所以它的输出是低电平(0)和高阻态(z)两种状态,你只需从此管脚接个发光管和限流电阻到电源就可以了,此时管脚就相当于一个开关,闭合到地或断开,这应该算最简单,而且功耗低的一种接法了.
当然,你也可以利用高电平来驱动,就是外面接个上拉电阻了,接法楼上的也已经说了,这种方法不好,功耗大,自己想一下就知道原因了。尤其是接的负载比较重,同时驱动几个发光管,必须要减小上拉电阻以提供足够的驱动电流,但是,小的上拉电阻导致负载不工作时 的电流大,甚至关不断负载(发光管不能熄灭)。
其它口内部接了上拉电阻,是伪双向口的需要。
2.基本名词解释
& & & &开漏:也就是MOS管的漏极开路,通俗的讲单片机的输出的IO口是通过寄存器控制一个MOS管来实现的,这个MOS管怎么接的呢,就是控制器连接MOS管的栅极,而源极是接电源的负极的,那漏极就什么都没有接是连接到IO口上的,这就叫漏极开路,
& & & &上拉,就是开漏基础上在漏极和电源之间接一个电阻,这个电阻被称为上拉电阻
& & & &顾名思义,下拉就这个电阻不接电源了,改接电源负极了
上拉和下拉电阻的作用就是:1、使IO口的电平稳定在高或低电平,2、为了增加IO口拉流的能力
3.为什么能增加驱动能力
& & & &“如果是输出低电平,那么经过上拉电阻的电流也会流入单片机端口,那么单片机的吸收电流比不接时不是反而更小”,这句话我认为是正确的。  
& & & &首先明确一下两个名词:拉电流、吸收电流。拉电流:高电平时从单片机里流向负载的最大电流。暂且称之为高电平驱动能力。吸收电流:低电平时从负载流向单片机的最大电流。暂且称之为低电平驱动能力。  单片机提供拉电流的大小主要取决于I/O口的晶体管导通电阻的大小和晶体所能承受的最大功率,这两样都是不变的,增加上拉电阻能增加拉电流(把电阻也看作单片机的一部分),也就是增加了驱动能力。驱动能力能增加多少取决于上拉电阻的大小和上拉电阻所接的电压大小。但上拉电阻不但不能增加吸收电流,反而会减小灌电流,原因跟你写的一致。不过单片机的拉电流要比吸收电流大的多,增加上拉电阻对吸收电流影响不是很大,除非电阻阻值非常小。  所以,准确的说法是:上拉电阻能增加高电平时的驱动能力,但会减小低电平时的驱动能力。
& & & &1,如果电平用OC(集电极开路,TTL)或OD(漏极开路,COMS)输出,那么不用上拉电阻是不能工作的, 这个很容易理解,管子没有电源就不能输出高电平了。
& & & &2,如果输出电流比较大,输出的电平就会降低(电路中已经有了一个上拉电阻,但是电阻太大,压降太高),就可以用上拉电阻提供电流分量, 把电平“拉高”。(就是并一个电阻在IC内部的上拉电阻上, 让它的压降小一点)。当然管子按需要该工作在线性范围的上拉电阻不能太小。当然也会用这个方式来实现门电路电平的匹配。
& & & &需要注意的是,上拉电阻太大会引起输出电平的延迟。(RC延时)
& & & &一般CMOS门电路输出不能给它悬空,都是接上拉电阻设定成高电平。
& & & &下拉电阻:和上拉电阻的原理差不多, 只是拉到GND去而已。 那样电平就会被拉低。 下拉电阻一般用于设定低电平或者是阻抗匹配(抗回波干扰)。
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