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与开关电源相同，为几十到几百KHz。
& && &另外，SWITCH一般选用双极性晶体管或者MOSFET，不管是哪种，在其导通和截止的时候，都会有一个上升时间和下降时间。这时候在电路中就会出现一个与SWITCH上升下降时间的频率相同或者奇数倍频的噪声，一般为几十MHz。同样二极管D在反向恢复瞬间，其等效电路为电阻电容和电感的串联，会引起谐振，产生的噪声...
应用至少使用四层PCB，铜厚度大于2盎司。因此，通过电源模块节省PCB尺寸可大大节省PCB成本。
具有低寄生效应的清洁MOSFET开关图2所示为功率级PCB设计中由元件引线和非优化布局引起的寄生电感和电容。这些PCB寄生效应会导致电压振铃，从而导致MOSFET上的电压应力。
图2：功率级半桥中的寄生电感和电容。
振铃的原因之一是二极管反向恢复。由快速开关引起的高电流变化率可能导致高二...
、大功率晶体管、IGBT 各占38.5%、30%、12.6%、5.1%。HEMT GaN 是在硅的衬底上面长出GaN，电流是横向流，与传统的MOS 管流动不一样。创新的结构设计让HEMT GaN功率器件可以在极高的dv/dt 条件下进行开关，同时具有低振铃和小反向恢复的优点，大大提高了功率器件在高频应用中的效率。公司在6 英寸0.15μ mpHEMT 及0.35μ mBiHEMT 芯片的研究显示了公司...
。 逐周期电流检测和前沿消隐CR5254/CR5255/CR5256 集成逐周期电流检测 PWM控制器，通过 CS 电阻检测功率管电流。每次功率 管开启的时候，检测电阻上会产生一个大的尖峰电压。这个尖峰是由初级电容和次级整流反向恢复产生的。为了避免由这个尖峰电压引起的错误的峰值电流检测导致功率管提前关断， CR5254/CR5255/CR5256内部设置了前沿消隐电路。在前沿消隐的时间段里（典型值...
非常小的结电容，存储电荷很少，因此这种结具有非常快的开关速度，可以用于高速嵌位。肖特基二极管特长是：开关速度非常快，反向恢复时间特别短。
因此，能制作开关二极管低压大电流整流二极管。
上图是降压稳压器BUCK电路中肖特基二极管的使用
下图是开关A和B已分别使用内部NFET和外部肖特基二极管，从而形成异步升压调节器。对于需要负载隔离和低关断电流的低功耗应用，可添加外部FET...
快恢复体二极管的管子
分析：由于同步管的体二极管的反向恢复时间太长，导致很大的反向恢复电流。从而引起剧烈电压尖峰
项目：IR1150 PFC
现象：高温测试的时候，MOSFET的壳温才80度，就炸鸡了。先前几台，MOS的壳温到达110度，都安然无事。
解决办法：弄出来查原因，是驱动电阻焊错了，本来10R,结果焊成100R.
分析：驱动电阻太大导致MOS损耗很大，同样的结到壳热阻，大的功耗...
看到书上讲推完变换器的原理，说道当MOS管开通，由于变压器次级在整流二极管反向恢复时间内造成的短路，漏极电流将出现尖峰在MOS管关断时，高频变压器的漏磁通下降，漏感依然将释放储能，变压器绕组上，相应地在MOS管的漏-源稳态截止电压上，出现电压尖峰。
我的问题如下【1】MOS管的漏极就是相当于三极管的集电极，为什么要说成漏极，漏这个说法我一直不明白？【2】经常可以看到说变压的漏磁，漏磁通...
。**时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于**高灵敏度的变容二极管。9、肖特基二极管基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间trr特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。二、根据用途分类1、检波...
Boost升压拓扑, 根据Boost拓扑在不同工作模式(DCM\BCM\CCM)下的特性不同, 控制方法可以分为3种. BCM和CCM采用的较多, BCM为变频控制, 可以实现零电压开启(降低开通损耗), 但是较高的开关管有效电流限制了它只能在中小功率的场合, 大功率场合是CCM的天下.
对于CCM的PFC, 主要问题是二极管的反向恢复问题, 在反向恢复期间产生的大反向电流会产生额外的损耗还有潜在...
找一下MR80QZ09N 数据手册
京瓷Kyocera肖特基二极管模块MR80QZ09N：
反向耐压最高可达90V 导通电流最大为80A
反向恢复电流典型值仅30uA
正向导通压降仅0.78V
工作温度可达-40~+150℃
这电流吓人呀！得多粗的线呀
耐压要看负载类型，考虑极限峰值再留取至少20%余量即可。电流参数类似，需考虑峰值再留余量，并没有什么*3、*6-8一说...
设计成高压电源，而高压电源变压器一般工作在断续模式，本人理解为由于高压电源输出需要采用高耐压的整 流二极管。由于制造工艺特点，高反压二极管，反向恢复时间长，速度低，在电流连续状态，二极管是在有正向偏压时恢复，反向恢复时的能量损耗非常大，不利于 变换器性能的提高，轻则降低转换效率，整流管严重发热，重则甚至烧毁整流管。由于在断续模式下，二极管是在零偏压情况下反向偏置，损耗可以降到一个比较低 的水平...
传导过程中的导通功率损耗。同时，电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定；特点与优势：低FOM， 高雪崩耐量，低反向恢复电荷，低反向恢复峰值电流，抗静电能力ESD，海飞乐技术封装替换以下型号:
IXFN100N10S1
IXFN100N10S3
IXFN100N10S2
IXFN44N50U2
IXFN44N50U3
IXFN48N50U3
IXFN48N50U2...
; （3）整流二极管
& & 整流二极管的EMI来源集中体现在反向恢复特性上，反向恢复电流的断续点会在电感（引线电感、杂散电感等）产生高 dv/dt，从而导致强电磁干扰。
& & （4）PCB
& & 准确的说，PCB是上述干扰源的耦合通道，PCB的优劣，直接对应着对上 述EMI源抑制的好坏。
& & 2.开关电源...
海飞乐技术 内绝缘快恢复二极管 600V用于高频整流的二极管，在PFC有很好的应用，主要瞄准一些高效率的应用。
这颗二极管可以提升PFC的效率，最终提升整个电源的效率。内绝缘二极管目前应用于CCM的模式，因为它的特点是反向恢复时间超快，比普通的二极管会快很多，效果接近目前最好的碳化硅产品。Efficiency越来越关键，应用二极管可以提高整体的效率，可以让你轻轻松松达到很高...
) , 对反向恢复电流进行抑制, 从而抑制这个"毛剌"
问题15中, 专家说: [color=blue]开关管, 开关变压器的损耗与频率成正比.[/color]
实际上, 开关变压器的损耗是随频率的提升而降低的.
[quote][size=2][url=forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=2120442&ptid=512744][color...
的截止。在承受反压得时候，会有些微小的电流从阴极漏到阳极。这个电流通常很小，而且反压越高，漏电流越大，温度越高，漏电流越大。大的漏电流会带来较大的损耗，特别在高压应用场合。
　　6.&&什么是二极管的反向恢复时间和反向恢复电流？
　　这个是二极管的重要指标，所谓的快恢复，慢恢复二极管就是以此为标准。二极管 在从正偏转换到反偏的时候，会出现较大的反向恢复电流从阴极流向...
相比变低　　●工作结温范围宽达-40°C到 175°C　　●价格比碳化硅二极管低至少30%　　●采用TO-220AC绝缘散热柱型封装新的二极管产品降低了反向恢复电荷（QRR,reverse-recovery charge），从而能够最大限度降低开关损耗，能效优势高于标准超高速二极管。QRR 参数变低还有助于加快电路设计的微调速度，缩短设备厂商的新产品上市时间。新产品性能可与碳化硅二极管相媲美，但价格比...
海飞乐技术（HighSemi）新的600V快恢复二极管Qlong™内绝缘串联二极管---HFD0860PQ，具有极快的反向恢复时间、低正向电压降和低封装热阻，可减少在高效的连续电流模式(CCM)功率因数校正(PFC)应用中的损耗。
HFD0860PQ 针对用于桌面PC、服务器和通信电源、UPS系统、宽屏等离子显示器和LCD电源、工业电源和太阳能逆变器做了优化，性能与碳化硅二极管...
海飞乐技术（HighSemi）Qlong&#V用于高频整流的二极管，该产品，在PFC有很好的应用，主要瞄准一些高效率的应用。
大家知道PFC电路有电感、二极管、MOS管，达到电流波形会跟随电压波形的效果。这颗二极管可以提升PFC的效率，最终提升整个电源的效率。该二极管目前应用于CCM的模式，因为它的特点是反向恢复时间超快，比普通的二极管会快很多，效果接近目前最好的碳化硅...
(内绝缘TO220)
Qlong™系列内绝缘串联二极管特点：
低热阻& &内绝缘封装&&反向恢复时间快&&降低开关损耗&&更低反向恢复电荷
Qlong™系列内绝缘串联二极管应用于：
Continuous Current Mode CCM电路
Power Factor...
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MOSFET体二极管反向恢复过程分析
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