mos管加上RC吸收后，会影响其开关频率吗？ R、C的值怎么选取_百度知道
mos管加上RC吸收后，会影响其开关频率吗？ R、C的值怎么选取
想把mos管用于高频逆变电路里，逆变频率为100khz，不加RC吸收，mos管漏源极两端震荡和尖峰比较大，现在想加上RC吸收，但是R和C的值要怎么选取呢？加上RC吸收会不会导致mos管开关频率上不去？
全桥逆变电路变压器原边电压波形如图所示
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不会的，RC电路只会吸收能量。RC电路是按指数e的规律上升或下降的电容端电压上升或下降通式
（-t/RC）U±Ae
A为常数，公式计算是列常微分方程求解得出，以上是通式。
（-t/RC）上升关键就是+Ae
，下降关键就是-AeRC就是时间常数，当t取1RC，2RC，3RC，4RC，刚好是e的整数次冥。理论上讲，当t趋向于无穷大时候，充电或放电过程结束，工程计算上一般取t=（3RC—5RC）就认为充电或放电过程结束，因为此时误差很小（0.7%—5%）
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mos管加上RC吸收后，会影响其开关频率吗？&R、C的值怎么选取
提问时间： 12:45:27
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这个问题不见得是激光头或是驱动电源问题， 也有可能是可调电阻的问题。功率与电流是成正比的，你要调大电阻电流表才有反应，那就是电阻本身调的太小了，对照原来的管的电流参数，调的差不多就行，不要太大，否则光头会老化！
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单相全桥逆变电路解析.ppt 70页
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单相全桥逆变电路讲解 首先介绍学习硬件电路的重要性和必要性 重要性：找工作面试、考研面试和在以后工作中都是很好的基础，起到良好的作用。 以此为基点，展开，引用李泽元老师的话：“现在知识面很宽很大，不可能面面具到，且搞的人很多，要找一个自已感兴趣的点，深入研究，动手实践做实验，在实验中发现问题和解决问题，然后再扩展。”
首先介绍学习硬件电路的重要性和必要性 必要性：这个电路的选取有代表性，由于桥式逆变电源在选择功率开关器件耐压要求可以稍低，并有较高的功率输出，现通常采用全桥式逆变电路来实现较大功率输出。单相三相全桥逆变电路应用范围广（各种开关电源如电源车载电源、航空电源、电信电源等；各种电机调速如空调、电焊机等；变频器；牵引传动等领域）。 整体安排 一、基础知识讲解（计划两至三个半天） 开关管（MOSFET和IGBT）知识、电阻
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基础知识介绍 （晶闸管） 晶闸管:只能控制开，不能控制关 基础知识介绍 （晶闸管） 基础知识介绍 （MOSFET） MOSFET:可控开，可控关 什么是MOSFET　　“MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安)，用于功率输出级的器件。
基础知识介绍 （MOSFET） MOSFET的结构
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基础知识介绍 （MOSFET） 为什么MOSFET G-S之间往往并联一个电阻,这个电阻选择依据什么?
这个电阻的主要作用是防止静电损坏MOS，静电损伤是因为GS之间结电容太小导致(U=Q/C)也就是即使有很小的静电电荷就有可能产生很大的电压, 使的MOSFET损坏，这个电阻提供寄生电容电荷泻放通道 ，这个电阻是需要的，并且很重要 。
一般情况，取个10k或5.1K已能适应大部分情况
基础知识介绍 （IGBT） IGBT:可控开，可控关 基础知识介绍 （IGBT） IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，（输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管 ） GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大; MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，即：驱动功率小和开关速度快,且饱和压降低和容量大的优点 。
基础知识介绍 （IGBT） IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同 IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显高于GTR。 非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件
基础知识介绍 （电阻） 电阻：导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R 表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、kΩ、MΩ表示。 电阻器的分类
一种分类:固定电阻器（R）、电位器（W）、敏感电阻器、贴片电阻器 基础知识介绍 （电阻） 另一种分类如下： 1、线绕电阻器：
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