下一款骁龙cpu会继续用10纳米制程吗。会不会进化到7纳米？？【小米7吧】_百度贴吧
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下一款骁龙cpu会继续用10纳米制程吗。会不会进化到7纳米？？
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应该不会 高通845 台积电10nm或有可能
算了。。改签到
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又是新的一天。。
骁龙670的可能性比较大。
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感觉是新架构，老工艺4xA75+4xA55+10nm工艺，7nm工艺太难暂时弄不出来
继续。。。
大家晚上好
又没我啥事了？？？
不管了。继续。。
小米7希望很惊艳
年轻的樵夫啊。你掉的是这个金的小米7呢，还是这个银的小米7呢。还是这个进水了的小米7呢
\(≧▽≦)/睡觉了。。
没有人吗。。好无聊啊。。
哪有那么快更好尴尬
我要吃十个
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7纳米就到极限了么CPU的制作工艺的理论上限是多少？随着网络的普及及技术的发展
发表时间： 04:36:02浏览：70次
在上一篇文章中，小编为您详细介绍了关于《》相关知识。本篇中小编将再为您讲解标题7纳米就到极限了么CPU的制作工艺的理论上限是多少？随着网络的普及及技术的发展。
之前本站也有不少关于类似内容介绍：1.2.3.
①(0)年前我们觉得⑥⑤nm工艺是极限，因为到了⑥⑤nm节点②氧化硅绝缘层漏电已经不可容忍。所以工业界搞出了HKMG，用high-k介质取代了②氧化硅，传统的多晶硅-②氧化硅-单晶硅结构变成了金属-highK-单晶硅结构。⑤年前我们觉得②②nm工艺是极限，因为到了②②nm沟道关断漏电已经不可容忍。所以工业界搞出了finfet和FD-SOI，前者用立体结构取代平面器件来加强栅极的控制能力，后者用氧化埋层来减小漏电。现在我们觉得⑦nm工艺是极限，因为到了⑦nm节点即使是finfet也不足以在保证性能的同时抑制漏电。所以工业界用砷化铟镓取代了单晶硅沟道来提高器件性能。当我们说工艺到了极限的时候，我们其实是在说在现有的结构、材料和设备下到了极限。然而每次遇到瓶颈的时候，工业界都会引入新的材料或结构来克服传统工艺的局限性。那么CPU制作工艺的理论上限是多少？
理论上讲，CPU的主频是没有上限的。
但是现实是，随着CPU的频率增加，其功耗与发热的增加，却不是线性增加的，目前主流产品的频率①般小于④GHz。所以，CPU的频率有极限，但是这个极限，说不好是多少，因为技术在发展。最重要的①点是，现在发展方向，是朝着多核发展，而不是高频发展，所以，频率极限不好确定。
CPU是在半导体硅片上制造的，硅片上的各个元件之间需要导线将其联接起来，在高频状态下，导线越细、越短越好，这样才能减小导线分布电容等杂散干扰以保证CPU运算正确。因此制造工艺的限制，是CPU主频发展的最大障碍之①。
目前的制造工艺，①④nm的处理器已经量产，回想整个发展史，在①⑨⑥⑤年推出的①(0)微米(μm)处理器后， 经历了⑥微米、③微米、①微米、(0).⑤微米、(0).③⑤微米、(0).②⑤微米、(0).①⑧微米、(0).①③微米（①③(0)纳米）、⑨(0)纳米、⑥⑤纳米、④⑤纳米、③②纳米、②②纳米，①直发展到目前(②(0)①⑤年）最新的①④纳米，不过在半导体工艺进入①④nm之后，芯片的发展速度有变慢的趋势，不再按照摩尔定律继续发展，据说是资金的投入与产出差的太大。
但是，最主要的是，这个技术依然在不断发展，各种技术手段的发明使得该行业的发展跟上了摩尔定律的步伐。在⑨(0)纳米时，应变硅发明了；④⑤纳米时，增加每个晶体管电容的分层堆积在硅上的新材料发明了；②②纳米时，③栅极晶体管的出现保证了缩小的步伐。那么相应的，CPU的频率是可以提升的，因为工艺的提升，极大的降低了CPU的发热量。拿去年手机界的CPU高通⑧①(0)来说，由于CPU架构与制作工艺不相配，⑧①(0)的发热量使得它“名噪①时”，大部分⑧①(0)产品比较失败，今年⑧②(0)采用了更为先进的①④nm工艺，发热量明显下降。
下①代的①(0)nm光刻技术，英特尔继续逼近硅原子极限，考虑到这个原子半径问题，可能会有新材料出场，说不定呢！
好了，言归正传，只要CPU的发热可以控制住，频率是可以向上增加的，②(0)①④年，AMD FX- ⑧③⑦(0)突然破纪录，最高位⑧⑦②②.⑦⑧ MHz，核心电压足足有②.(0)(0)④ v，散热当然用的是液氮啦~~~
说了这么多，跟你问的问题关系也不大，没有说最高频率是多少，因为目前来讲，这个数字不能确定，CPU的发展不朝高频发展，而是多核发展。所以无法给出绝对值。
编后语：关于《7纳米就到极限了么CPU的制作工艺的理论上限是多少？随着网络的普及及技术的发展》关于知识就介绍到这里，希望本站内容能让您有所收获，如有疑问可跟帖留言，值班小编第一时间回复。
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①、电气火灾监控系统的开发目的、意义
随着社会的发展，电力电子设备和用电负荷大幅增加，由电气引发的火灾事故随之剧增。漏电不仅威胁人身安全、造成财产损失，同时也是导致各类建筑物发生火灾的主要隐患。②(0)(0)⑤年的⑩大火灾中，死亡人数较多的吉林省辽源市中心医院特大火灾、汕头华南宾馆特大火灾，均为扑救困难的电气火灾。据
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7纳米成制造工艺的下一个里程碑 谁将勇夺第一？
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（原标题：7纳米乃制造工艺的下一个里程碑 谁将勇夺第一？）
两周之前，三星已经开始预告过自家的7纳米制造工艺，并表示预计在未来几年内问世。目前，三星与半导体行业的主要竞争对手台积电，主流仍处于14纳米和16纳米工艺节点上，但随着高通Snapdragon 835和Exynos 8895处理器的全面量产，使得三星成为全球首个10纳米取得突破的半导体厂商。在更先进10纳米制造工艺下打造的处理器，将有助于智能手机提供更高的性能和更长的续航时间。不过，正如三星所说，10纳米并不是重点，而且整个半导体行业正在寻求下一个重要的里程碑。那么，三星、台积电、GlobalFoundries和英特尔，谁更有望成为7纳米工艺制程的领军者呢？三星回顾一下三星的公告，三星称已经为7纳米生产线投入了巨额资本，以确保未来半导体的生产能够达到预期水平。不过，这笔投资开花结果的预期时间最快也要等到2019年初。这就意味着我们可能还要等待两年左右的时间，才能看到三星7纳米量产，以及相关设备的开始准备发布工作。三星已经介绍过自家的7纳米制程工艺了，但都只是介绍SRAM技术进展，具体更偏向于研究，毕竟测试SRAM只是真正芯片的一部分，离未来正式推出的差距还远得多了，甚至可以说只是概念层面。有意思的是，三星似乎还准备了更多的工艺节点，最近三星透露，目前自家工艺支持线路图中已经添加了8纳米和6纳米工艺制程，届时将继承10纳米和7纳米工艺的所有创新，并且可扩展性、性能和能效上将更具优势。无论如何，三星7纳米芯片生产线最快增加部署也要到2018年，但在2019年之前将不会有任何实际芯片量产。在这两年时间里，三星还是专注于改进10纳米工艺。三星还表示今年年底就能够量产第二代10纳米LPP工艺了，至于第三代10纳米LPU工艺明年就能进入量产台积电台积电对7纳米的追求似乎比三星更激进，根据其线路显示，台积电称自家的7纳米经过量产生产风险测试数月后，大概在2018年中期就能够正式商用了。不过有意思的是，台积电并不追求EUV极紫外光微影技术，而是坚持延续193nm液浸式光刻技术。台积电计划到5纳米结点才真正过渡到EUV技术，所以起码还有到2019年年底才可能部署。另外有一个关键点是，AMR和台积电已经宣布达成长期的战略合作，共同联手开发基于7nm工艺制程的SoC一体式芯片。基于这层合作关系，移动芯片的开发、生产线的建立以及商业化的速度一定会比同行更快。专门为SoC芯片设计方提供开发工具的公司Cadence Design Systems，之前就已经为台积电的7纳米FinFET工艺提供了认证，表示已通过兼容性测试，这就表示基于台积电的7纳米工艺，芯片厂商可以更快的利用开发工具来构建和设计处理器。台积电之前也展示了7纳米的SRAM技术，并称其为复杂SoC电路上一个重要的里程碑，同时台积电还指出7纳米将有相对健康的产能。前段时间，台积电还透露联发科正与其密切合作7纳米的12核处理器，表示7纳米正在量产认证，接下来两个季度进行试产，2018年便可实现量产。台积电对自家的工艺似乎非常有信心，其总经理刘德音在3月份一次投资会议上宣称，不仅7纳米会推出强化版，导入极紫外光（EUV）微影设备，而且5纳米预定2019年上半年进行风险性试产，比原定的2020年提前至少半年。至于3纳米，现在已经投入研发当中，未来拉大与英特尔、三星的差距不是问题。GlobalFoundries&过去几代移动SoC芯片的发展历程中，GlobalFoundries几乎已经被人遗忘，但7纳米工艺节点非常有可能卷土重来。GlobalFoundries已经宣布放弃10纳米工艺节点，但会保持与竞争对手在7纳米节点上的步伐，而且认为这必然会是一次重大的里程碑。最近一次有关GlobalFoundries的官方消息显示，目前公司正计划在2018年下半年开启生产线，实现第一枚7纳米芯片的生产，而在2017年的工作是完成生产设施的部署，并在下半年开始生产和测试晶圆。正如台积电，GlobalFoundries目前使用的也是193nm液浸式光刻技术，但未来也会部署EUV设施。不过，在2019年之前不太可能启动EUV产线，毕竟可能是与三星7纳米相同的技术，预计要花的时间也不会相差太远。英特尔历史上，英特尔一直是处理器制造工艺的领导者，并且在去年已经开始部署10纳米移动芯片的生产线。去年8月份的时候，英特尔宣布与ARM合作，提供定制代工芯片业务，让客户能立即运用包括POP IP在内的ARM Artisan实体IP，以最先进的ARM处理器与Cortex系列处理器为基础，将英特尔的10纳米制程技术最佳化。有传闻LG将是英特尔的第一个客户，目的是生产LG自主设计的芯片。因此，英特尔在移动市场的表现也相当值得关注。但比较遗憾的是，到目前为止英特尔还没有公布任何有关下一代7纳米工艺的信息，按照一些猜测来看，英特尔可能也会押注EUV技术，与三星和GlobalFoundries的时间表差不多。
2月初的时候，英特尔宣布将投资70亿美元完成美国亚利桑那州一家闲置工厂的升级改造，有可能该生产线将是7纳米芯片的准备工作，然而英特尔也另一份声明中明确，这家工厂还要等3至4年才能投产。因此，合理预计英特尔的第一枚7纳米芯片最要要等到2019年的下半年。再考虑到英特尔针对10纳米的发展进度，兴许还会推迟到2020年或更晚。转折点：2018年下半年从上述信息来看，虽然大量半导体厂商都已经开始谈论未来的制程工艺技术，但10纳米时代才刚刚到来，如今离7纳米还有很长时间。如果台积电和GlobalFoundries的计划没有更改，最早看到7纳米的时间可能会到2018年下半年，而真正量产则要等至2019年年初。而在2017年和2018年，10纳米会主宰芯片市场。
本文来源：威锋网
责任编辑：王凤枝_NT2541
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7纳米工艺处理器面世：苹果能捞到好处吗?
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Advertisment ad adsense googles cpro.baidu.com联发科坐不住了！7纳米12核处理器要爆发
稿源：百事科技
联发科今年四处受阻，之前的很多品牌都渐渐抛弃了这个处理器。以前小米低端机、OPPO、VIVO等等品牌都会联发科“爱护有加”，一同打磨它。结果这几年表现平平，让各大商对其失去了信心。今年的联发科目前应该就魅族、金立在打磨，据说魅族会首发X30，虽说是首发，但是可能也是唯一一部吧？联发科不过联发科最近终于坐不住了，最近有该公司高层透露，联发科目前正与台积电一起合作开发7纳米芯片，势必在下半年市场强势回归。之前大家一直任务联发科今年会裁员，结果反其道而行，不仅不裁员，而且新招聘了上千名员工，准备大干一场。目前联发科X30已经在量产，并且确定是10纳米工艺，下半年的7纳米工艺该不会是为麒麟970跟苹果A11准备的吧？要是真这样，确实是挺让人激动的。这次7纳米12核处理器表现成什么样挺让人期待的，不过去年十核的X20却敌不过4核的骁龙820，其实早有专业人士指出8核的处理器已经能满足性能需求的。联发科对比高通有一点优势，那就是性价比更高，另外在功耗上，是公认的省电。这次联发科有备而来，不知道会给高通带来多大冲击。毕竟高通现在这种一家独大的趋势，是应该调整调整了。现在联发科处理器没人使用，未来7纳米表现强势，会不会被抢着用？
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