可控硅BTA41 600B控制扭矩电机故障问题，请各位高手们给看看吧==www.ic37.com
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可控硅BTA41 600B控制扭矩电机故障问题，请各位高手们给看看吧
用户名：wwzff
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可控硅BTA41 600B控制扭矩电机故障问题，请各位高手们给看看吧
　　可控硅使用过BTA12& 600B&& 、BTA26& 600B、BTA41&& 600B.
　　1.能否分析一下原始图中为什么可控硅经常导通故障，有什么大的缺陷吗。
　　2.现有最终试验电路还有什么缺陷、不足或问题吗？还需要怎么修正。
　　3.根据处理过程能够确定是什么问题，和如何改正吗？
　　4.在堵转中，由于使用IN欧姆电阻，相当于220交流电半波导通供电，可控硅在使其通过自己是有无影响？
用户名：123jj
注册时间： 17:14:00
写的很详细，先赞一个。
帮你反复看了几遍，印象如下：
1. 电路无大问题，你反复修改的地方充许弹性很大，基本对电路性能起不了很大的改变或改善。
2. 作为一个产品，综合性考虑很重要，由于没有给出全部电路，只能根据经验推断了，不一定正确，仅供参考。
3. 本电路中，由于用了三个可控硅，既有串联又有分流，这样用法对可控硅的控制要求特别高，原因是由于可控硅的固有特性，和三极管、MOS管不同，你想让他导通时，他不一定听话，马上就导通（视两端电压情况而定），更要命的是，你想让他截止关断时，他更不听话，不但要看其两端电压，更要由可控硅内部流过的电流状态来决定，决定他是否听你命令，实行关断截止。因此，在本电路中，看不出你用什么方法什么手段来保证其在2号可靠关断截止后，再让3号导通，否则，瞬间短路产生的高压环流等，极易让可控硅过载击穿。
4. 按照你的描述，可控硅用到BTA41, 这么给力的管子，哪怕你的小扭矩电机不转咬死也不会损坏，但还是击穿损坏，小声的问一下，你散热器装了吗？如装，装了多大面积？
用户名：123jj
注册时间： 17:25:00
先给三点意见，供参考：
1. 正、反转切换时，先加个软件延时试一试，建议加个50-100ms的延时等待，再实行切换。
2. 如电路设计的不尽合理，加个合适的散热器，有助于你减少可控硅击穿的故障。
3. 在硬件上，最好带硬锁，即由硬件保证2号，3号可控硅在任何时间，只能有一个导通，用软件控制不一定很可靠。
用户名：wwzff
注册时间： 9:08:00
首先谢谢老师的帮助，将楼上两位的一些提出可能性进行以下说明：
1、 作为一个产品，综合性考虑很重要，由于没有给出全部电路，剩余电路使用中没有出现问题，剩余电路就是用单片机控制moc脚导通截止，来控制moc脚导通截止来分别控制三个可控硅。
2、关于可控硅散热问题（也说了本身负载功率就不大），电路工作的各种环境、温度、时间下都检查过温度，一点都不烫，没有问题，同时对三个可控硅外部连接统一接地了。
3、正、反转切换时，看不出你用什么方法什么手段来保证其在2号可靠关断截止后，再让3号导通，否则，瞬间短路产生的高压环流等，极易让可控硅过载击穿。在硬件上，最好带硬锁，即由硬件保证2号，3号可控硅在任何时间，只能有一个导通，用软件控制不一定很可靠。
关于正反转时，由于程序控制，确实切换比较快，我倒是可以修改程序试试；另请问一下，如何增加元器件来防止瞬间短路产生的高压环流呢？也就是实现硬锁呢？
小弟也是慢慢开始研究电子电路的，都是皮毛，还请多指教！
用户名：123jj
注册时间： 11:13:00
如何增加元器件来防止瞬间短路产生的高压环流呢？也就是实现硬锁呢？
答：这是两个问题，在经典可控硅控制电路中，过流可检测（通过串小阻值取样电阻），但不能即时关断（由可控硅特性决定），只能在下一周期关断，但最好的方法是预防，即动态检测2号可控硅的电流，等2号可控硅彻底断流关断后，再触发3号可控硅导通，但电路要复杂多了。
还有个方法是插入延时等待，在关断2号可控硅时，等待N个触发周期（由于是非同步的，这个周期并不准备，只能取偏大，以保证2号可控硅能彻底关断），再触发3号可控硅导通。
什么是硬锁呢？
答：硬锁是指硬件保证，即控制2号，3号可控硅的控制触发信号，经过一个硬件单元，再输出控制可控硅触发，这个硬件单元主要有如下功能：
1. 当2号，3号控制信号同时有效时，输出关断，保护2号，3号可控硅不同时导通。
2. 当其中一路控制信号无效时，需延时N毫秒，另一路控制信号才充许有效，这样，保证等一路可控硅彻底关断后，才可开启另一路可控硅，保证二路可控硅不同时瞬间导通短路产生的高压环流。
3. 当然上述功能软件也能模拟，但可靠性稳定性特别是抗强干扰性没有纯硬件的高！
用户名：123jj
注册时间： 11:20:00
如有些型号的IR系列MOS驱动器，就是典型的带硬锁的硬件MOS驱动电路，用来保护上下桥2个MOS不能同一时间导通！一个MOS管关断后，需延时N毫秒后，另一个MOS管才充许打开，以确保上一个MOS管彻底电关断！
当然，由于可控硅的特殊性，这个延时N毫秒数值，比关断MOS管的延时时间远远要大好多倍！
用户名：wwzff
注册时间： 13:05:00
有没有简单方式可以增加元器件来防止瞬间短路产生的高压环流呢？因为通过分析等等也没有更多可能造成可控硅击穿导通了，现在出现的概率也不是很高了。
用户名：123jj
注册时间： 13:13:00
最简单有效的方法是插入延时等待，在关断2号可控硅时，等待N个触发周期（由于是非同步的，这个周期并不准备，只能取偏大，以保证2号可控硅能彻底关断），再触发3号可控硅导通。
用户名：123jj
注册时间： 13:18:00
另外，由于你目前可控硅为单片机输出直接控制（即用软件模拟控制），有时一个强脉冲干扰，迭加上就会出现电路失误，击穿可控硅！
用户名：datouyuan
注册时间： 14:24:00
对堵转的原理不怎么了解。
可以先不考虑堵转。去除IN欧姆电阻，试试还会不会出现问题。
控制时 2号和3号可控硅要按“123jj”所说，切换时要有几个周期的间隔。
用户名：123jj
注册时间： 14:40:00
对堵转的原理不怎么了解。
可以先不考虑堵转。去除IN欧姆电阻，试试还会不会出现问题。
控制时 2号和3号可控硅要按“123jj”所说，切换时要有几个周期的间隔。 ...
datouyuan 发表于
用户名：datouyuan
注册时间： 17:44:00
本帖最后由 datouyuan 于
17:48 编辑
LZ的可控硅损坏应该是高压环流造成的，应该和电流大小没关系。
所以不能确定“由于是单向导通间断性直流电，更不容易让可控硅击穿。”
假如堵转是属于直流制动，我想直流的方向应该对堵转效果没有影响吧。
可不可以2号3号可控硅直接接220V电源端，用1号可控硅串联IN欧姆电阻来起到直流制动的效果，这样就没有可控硅之间的串联了，控制时只要确保任何时候保证不大于一个可控硅导通，再加上切换延时就问题不大了。
用户名：123jj
注册时间： 8:27:00
同意LS的前半句观点，LZ的可控硅损坏应该是高压环流造成的，反半句不认同，应该和电流大小没关系。高压环流造成瞬间大电流能量极大，如不能有效控制，一瞬间就让可控硅超流超载报废。
1号可控硅在电路中起开关作用，在适当时候短路制动回路（IN欧姆电阻串联），从电路特点上来看，应该是最安全最保险的可控硅应用，任何正常工作状态下都不应该损坏，在本案例中，是由于下面的2号可控硅击穿，电路失控，才造成了1号可控硅跟着击穿。
用户名：computer00
注册时间： 8:32:00
要有足够的功率才会烧坏管子的
用户名：wwzff
注册时间： 11:46:00
谢谢大家对这个问题的分析，有几个方面再问一下：
1、可控硅损坏应该是高压环流具体是什么情况？高压到多少，我控制的电机是220伏的，加上其启动电容，及电路中的电容的各种作用，电压也超不过500伏吧？
2、由于是单向导通间断性直流电，更不容易让可控硅击穿：问题是更容易击穿还不不容易击穿呀？不过堵转是属于直流制动（应该是220伏半波工作），我想直流的方向应该对堵转效果没有影响吧（方向对堵转效果确实没有影响）。
3、具体三个可控硅工作过程如下：
& & 正转：可控硅1导通，同时硅2导通，硅3截止，两个同时导通500ms，相当于220伏电机正转500ms；然后硅1截止硅2导通，硅3截止，in5408和电阻工作，相当于220伏半波堵转工作，到指定90度角度；然后硅1截止，硅2截止，硅3导通，反转10ms刹车；再然后然后硅3截止，硅2导通，硅1截止，保持220伏半波堵转工作，维持90度角度。
& & 反转：可控硅1导通，同时硅3导通，硅2截止，相当于220伏电机反转到指定90度角度；然后硅1截止，硅3导通，硅2截止，in5408和电阻工作，相当于220伏半波堵转工作，维持90度角度。
& & 具体硅2,3切换导通截止是否有保护延迟时间还不太清楚。
用户名：123jj
注册时间： 13:27:00
1、可控硅损坏应该是高压环流具体是什么情况？高压到多少，我控制的电机是220伏的，加上其启动电容，及电路中的电容的各种作用，电压也超不过500伏吧？
答: 高压环流是在可控硅2号和可控硅3号同时导通时产生的，由于电机线圈电感的存在及外接运转电容的储能作用，瞬间产生的高压可高达上千伏，环流可高达上百安，足以让可控硅击穿。
2、由于是单向导通间断性直流电，更不容易让可控硅击穿：问题是更容易击穿还不不容易击穿呀？不过堵转是属于直流制动（应该是220伏半波工作），我想直流的方向应该对堵转效果没有影响吧（方向对堵转效果确实没有影响）。
答: 可控硅1号的击穿，是由于下面的2号可控硅击穿，电路失控，才造成了1号可控硅跟着击穿。
3、具体三个可控硅工作过程如下：
& & 正转：可控硅1导通，同时硅2导通，硅3截止，两个同时导通500ms，相当于220伏电机正转500ms；然后硅1截止硅2导通，硅3截止，in5408和电阻工作，相当于220伏半波堵转工作，到指定90度角度；然后硅1截止，硅2截止，硅3导通，反转10ms刹车；再然后然后硅3截止，硅2导通，硅1截止，保持220伏半波堵转工作，维持90度角度。
& & 反转：可控硅1导通，同时硅3导通，硅2截止，相当于220伏电机反转到指定90度角度；然后硅1截止，硅3导通，硅2截止，in5408和电阻工作，相当于220伏半波堵转工作，维持90度角度。
& & 具体硅2,3切换导通截止是否有保护延迟时间还不太清楚。
答: 可控硅2号、3号切换导通截止必须要有保护延迟，等待其中一个彻底关断后，再开启另一个，由于你这个电路没有同步信号（有同步信号时，延迟一个半波时间即10ms足够），那么这个延迟时间必须2倍于最小延迟时间，即最起码延迟20ms,&&如有条件，可延迟50-100ms,&&让电机线圈电感和起动电容上储存的能量消弱，减少不利因素。
另外，在正转时，当中插入了10ms反转，事实上，在没有同步机制时，这个半波时间可以控制，但真正控制可控硅只导通10ms，去很难做到，增加这一步，难道是为了消除机械间隙而特意加的？
用户名：123jj
注册时间： 13:30:00
说实话，交流电机用于超短时间内，频繁正反转，并不合适，如有条件，建议改成步进电机。
用户名：wwzff
注册时间： 14:03:00
看来大家定位主要在高压环流了，是在可控硅2号和可控硅3号同时导通时产生的，由于电机线圈电感的存在及外接运转电容的储能作用，瞬间产生的高压可高达上千伏，环流可高达上百安，足以让可控硅击穿。
那关键问题是怎么解决，解决方法是程序改进也不太牢靠，而且因为程序修改不太熟悉，修改也不太好办，除去反转倒是没问题。
有无改进电路可以解决的，比如修改硅2，硅3并联电路，加上保护措施？
原来硅2，硅3都并联一个10d821k压敏电阻，我感觉因为可控硅一般是bta12&&600b都是承受在600伏左右，如果用10d821k，其实压敏电阻没启动作用；因此更换为14d620k（前期也试过10d560k，在电路上短期试用，功能正常，现场使用一个倒是没发现问题，因为只试了一个，也没有详细记录，不知道是不是解决了），如果这是个方法，那将每个硅两面增加14d620k或10d560k，在将220电源部分增加文件中说的电路（该电路也有压敏电阻保护），不知道是不是能解决（至少从原理上，因为毕竟现在可控硅击穿也是偶尔现象，也许这样能改善大多的情况）？
用户名：123jj
注册时间： 17:26:00
在可控硅上并压敏电阻，并无什么大效果，该击穿时也照样击穿。
改硬件，倒是一个好方法，如用TTL/CMOS电路搭，要用到好几个元件，主要是门电路及单稳态触发器，其中门电路管时序，单稳态触发器管延时，原理见5楼硬锁。
用户名：123jj
注册时间： 17:31:00
比较简单实用的方案是：
1. 在正转运行时去掉其中的10ms反转。
2. 在正转运行和反转运行两个状态中，强制加入50ms的延时等待，令其不能一下子反状态。
用户名：wwzff
注册时间： 17:36:00
谢谢，我先试试目前电路的情况，将具体情况记录一下，然后试试去反转看看。
用户名：wwzff
注册时间： 22:14:00
再顶一下，看看谁还有可控硅使用、保护、操控电机等方面的经验或技术，作为交流吧，我这些也算是作为参考，都是实践经验和参考得来的具体东西，作为一个抛砖引玉吧！
用户名：wwzff
注册时间： 14:34:00
再拱拱：现在综合其他哥们求助贴的的一些情况，汇总一个观点，不知道是不是问题所在：
两个可控硅由于控制频繁正反转或者意外干扰，同时误导通，启动电容等于通过可控硅短路，由于运行时电容内存有400伏左右电压，导致可控硅被击穿。因此时放电电流相当的大。
同时考虑（参考其他两个做的经验，都加入加入扼流圈电阻，这个比较明显能看到，具体程序难确定是否有延迟，但是至少人家的可控硅不坏，不过我的也是有半年才坏，而且我计算在10%的概率吧）
解决办法：1、简化正反转控制。已完成
& && && && && &2、在正转运行和反转运行两个状态中，强制加入50ms的延时等待。未完成
& && && && && &3、串入扼流圈电阻，大大降低此电流。已完成
改完了，只能等待时间来证明了
用户名：wwzff
注册时间： 11:05:00
再顶一下，还在学习。总结经验。
用户名：king5555
注册时间： 23:21:00
⒍缛4uF到(2)(3)可控单元分e再串联电感共两个,接地的2n2电容h去,才能有效防止チ_簟
(2)(3)可控硅的G-T1再并联电容以吸收突波以加防`触发。T1-T2容阻电路之20ohm应加大。
这里回复了。那x不定。本}以前好像过了。建h改用继电器来做。
用户名：king5555
注册时间： 0:34:00
转向间隔时间最好零点几秒,等待于机械T性丶⒍缛莸某浞诺(阻尼振U)丶所有弹跳F象。
用户名：xy-mcu
注册时间： 7:12:00
不错的经验，谢谢各位，我也学习了。
是否继电器产生的问题就会小很多？
或者继电器使用时又有哪些注意事项？
用户名：wwzff
注册时间： 20:58:00
关于这个再说一下，毕竟帖子半年多了，还是想将结果说一下的：
1、增加了电感（并没有去掉2n2）好像稳定不少，但是也发现原来焊接中没有注意到的细节问题等，因此现在看结果较好是因为串入电感、焊接工艺提升、元气件质量综合提升的结果，但是看增加电感还是有效果的。
2、在这个过程中，参考国外的（商用成熟的（当然很稳定）），来看整个可控硅及外围电路都跟现有最终是一样的（不一样的光耦国外是moc3083,自己使用moc3061；国外可控硅bta12-700&&，自己使用bta41-600（原来也用过bta12-700）），因此说整体电路应该没什么问题，而且是有2n2接地的，但是国外的在2、3角的启动4μf电容中还串了0.47欧姆2瓦的电阻，这个电阻的作用后来学习其实与串入的电感作用差不多。
3、在参考国内一些案例，发现使用moc3062，bta12-700，也是有2n2接地，没有在启动电容串0.47欧姆2瓦的电阻，但是国内外的bta12-700都有大的散热片，后来学习中发现bta的散热也非常关键，如果工作温度高于70度，故障及软性故障就会增多。
4、还有一个关键点，国外没有在T1\T2间并压敏电阻，但是国内的都并了压敏电阻，原来大多使用10D621k、10D821k，参考国内的使用了2个串联1.5KE400CA（查了一下参数一个1.5KE400CA可以将电压控制在（360~440v），我感觉2个串联相当于一个14D821k 可以将电压控制在《738~902v》？不知道对不对），我将自己的由原来的10D621k可以将电压控制在《558~682v》、10D821k可以将电压控制在《738~902v》改为14D431K，实验上看功能没问题（至少连续工作20天），我感觉这个是不是也很关键，因为14D431K可以将电压控制在（387~473v），可以远远保护bta41-600.
5、总之吧，在通过实践，以及在网上不断地寻找资料，以及相同的问题，以及部分热心人士的解答基础上，还是让我了解了一些可控硅的知识和使用注意事项，不能说是掌握，只能说是了解。看来自己还得继续坚持，只有坚持才能进步，才能向成功更近一步
算是一点贡献吧，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，
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区要求不一样，因此在设计之前，先要弄清楚产品针对的市场。
以上两种情况是针对人体在接触到电子产品时，因人体带电或其他原因引起电子产品不能工作而进行的基本测试。下图是一些地区在一年中不同月份的空气湿度统计。从图中可以看出Lasvegas全年的湿度最少，该地区的电子产品要特别注意ESD的保护。
全球各地的湿度情况不一样，但是同时在一个地区，若空气湿度不一样，产生的静电也不相同。下表是搜集...
众所周知，小米的智能套装包含的4件套，人体传感器、门窗传感器、无线开关与多功能网关采用的是基于NXP的一颗工业级ZigBee射频芯片--JN5168进行组网通讯。而多功能网关是通过Wi-Fi技术接入到小米云和其它智能设备。
　　在上图中，我们可以看到小米的多功能网关将ZigBee芯片JN5168和Wi-Fi模块集成到一个小小的电路板上。这个ZigBee方案和广州致远电子推出的ZM5168...
，用表笔接在电阻两端金属部位，测量中可以用手接触电阻，但 不要把手同时接触电阻两端，这样会影响测量精确度的－－人体是电阻很大但是有限大的导体。读数时，要保持表笔和电阻有良好的接触；注意单位：在“200” 档时单位是“Ω”，在“2K”到“200K“档时单位为 “KΩ ”，“2M”以上的单位是“MΩ”。
四、二极管的测量
数字万用表可以测量发光二极管，整流二极管……测量时，表笔位置与电压测量一样...
，若测得的阻值与标称值相差甚远，表明电阻变值，也不宜再使用。在维修实践中发现，也有少数熔断电阻器在电路中被击穿短路的现象，检测时也应予以注意。4、电位器的检测检查电位器时，首先要转动旋柄，看看旋柄转动是否平滑，开关是否灵活，开关通、断时“喀哒”声是否清脆，并听一听电位器内部接触点和电阻体摩擦的声音，如有“沙沙”声，说明质量不好。用万用表测试时，先根据被测电位器阻值的大小，选择好万用表的合适电阻挡位...
人体电路视频
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