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Intel良率也不行,为何三大晶圆厂都困在10nm?
来源:网络整理 作者:日 09:50
[导读] 根据Barrons.com 报导,英特尔10 纳米制程也遇良率不佳问题,原本预期今年下半年可望进入量产,时程恐再往后延2-3 个月,影响今年出货动能。
  根据Barrons.com 报导,英特尔10 纳米制程也遇良率不佳问题,原本预期今年下半年可望进入量产,时程恐再往后延2-3 个月,影响今年出货动能。
  我们之前报道也指出,台积电、三星两家的10nm工艺良率都不如预期,量产面临尴尬境地,甚至影响到了未来新工艺的研发。为什么三大晶圆厂都困在10nm?
  10nm引起全行业恐慌
  台积电、三星的10nm工艺量产已经进入倒计时阶段,苹果A11/A10X、华为麒麟970、高通骁龙835、联发科Helio X30等一众新旗舰芯片也都在翘首以盼。
  根据规划,苹果新一代iPad处理器A10X将由台积电在2017年3月率先量产,第二季度则会继续量产iPhone 8的处理器A11,其他几款也都安排在明年上半年。
  但据台湾媒体最新消息,台积电、三星两家的10nm工艺良率都不如预期,量产面临尴尬境地,甚至影响到了未来新工艺的研发。
  最近五个工艺世代,台积电一直是资深研发总监吴显扬(16/7nm)和曹敏(20/10nm)轮流领军,但未来的5nm交给了今年3月才加入台积电研发部门的前高通资深工艺总监Geoffrey Yeap。
  台积电计划2020年量产5nm,而届时Intel也有望上马7nm,为了胜过对手台积电将上马很多新技术,包括光学/紫外线光刻、锗/三五族材料代替硅等等。
  三星方面,据称其10nm良率甚至还不如台积电,导致和高通的关系十分紧张。
  高通之前因为不满台积电的进度而投奔三星,14nm上合作还算愉快,于是在10nm上继续,预计7nm才会回到台积电,结果三星10nm也不顺,导致高通明年的多颗芯片都不得不返回14nm,比如骁龙660。
  为什么10nm举步维艰?
  首先简单解释下为何10nm良率会很麻烦。
  目前的光刻是193nm沉浸式技术,当你要处理28nm以下尺度的图形时,你会发现在衍射作用下,图形已经不是你想象的图形了。方的变成圆的,拐角变形严重,短直线变成椭圆。这时的解决办法是二重曝光,把版图中同一层次较复杂的图形分解成两个层次较简单图形的组合,用两层光罩分两次完成。随着工艺的进一步进化,二重曝光也不够用了,需要三重,四重曝光,intel甚至用到6重。一个正常的65nm工艺,需要20多层层光罩很正常,但是到了14nm,由于要使用多重曝光,光罩数可能要增加到80。这样繁琐的做法,带来巨大的良率问题也毫不为奇。
  总之,新工艺总会有良率问题,更不要说这么尖端的工艺了。正常情况是刚上线的尖端工艺良率只有60%左右,如果低于这个,就有仓促上线的嫌疑了。这次台积电是否很赶,一定要比三星快?
  但是从现状看,相信193nm的光刻技术已经走到尽头了,靠多重曝光技术苟延残喘,良率出问题不可避免。解决的希望在于EUV光刻(不过EUV又能坚持多久呢,两个节点,7nm和5nm,行不行?再后面呢)。
  苹果也是狡猾啊,年初用A10X打头阵,这两年年IPAD市场地位下降,初期备货有限,即使年初良率低导致产能出问题,影响也能承受。倒是三星,note7出问题后,肯定在憋S8的大招。台积电出的问题他家多半也逃不脱,也会有产能问题。到明年4月份要备2000万台S8的货,可以想象三星半导体员工的爆肝惨状了。
  同样受影响还会有高通的骁龙835,也许会比计划慢一个季度。
  华为要等到明年三季度中才会量产计划中的麒麟970,到时问题估计会缓解。
  那么总结起来,不要相信台积电和三星的先进工艺roadmap。
  苹果可以等新工艺上线半年后再量产iphone用的SOC(2014年12月台积电的16nm FinFET上线,2015年1月三星14nm FinFET上线,苹果等到2015年六月台积电16nmFinFET+上线才分别用16nm FinFET+和14nm FinFET量产A9,等了6个月,14nm的表现还不理想),华为这种谈判能力有限的要等三个季度以上比较合适。像高通和三星手机这样把量产节点定在新工艺上线3个月的,就要赌命了。
  猜想2:台积电的roadmap是否不老实,16nm就出现了第一代工艺出问题,六个月后出二代才算过关的情况,是否是看三星进度超前了,所以先扔出来占位置,然后逐渐夯实?那他家的roadmap还有何意义?
  猜想3:如果三星这次10nm没有出同样问题,是否说明三星技术上更胜一筹?在14/16nm节点上,三星和台积电同时量产,后来证明三星的14nm 1.0版能用但是效能不佳(不如台积电的16nm2.0),台积电的16nm1.0版(效能太差以至于)不能用。台积电实际上已经输了一阵,只是靠上驷(16nm2.0)对中驷(14nm1.0)才搞赢A9的大战,三星半导体看似输了A9(双版本)的大战,但是2015年4月的Exynos7420那一战他已经帮助自家兄弟三星手机赢了。
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电信与信息服务业务经营许可证:粤B2-&&  几天之前我们曾报道称,英特尔的&10&纳米工艺可能将再一次跳票至&2018&年。因为英特尔官网一份有关上月&21&日&“资本分析(Capital&Analyst)”会议的内容显示,位于以色列迦特镇的 Fab&28&晶圆厂将在“大约两年内投产&10&纳米”,并且该预案经常将作为量产最新&10&纳米工艺的龙头工厂。因此不免让人认为,英特尔&10&纳米工艺还可以等至&2018&年&1&月份才开始量产。  有意思的是,在有关“英特尔&10&纳米量产推迟的至&2018&年”的消息越来越多的时候,英特尔的公关坐不住了,澄清此消息的报道是“错误”的,并于两天时间内删除了这份在官网上的内容。不仅如此,英特尔还进一步阐明称,其“第一款基于&10&纳米工艺的产品计划于&2017&年下半年”推出。  必须是好事!  尽管英特尔在&PC&处理器领域拥有领先优势,但每年发布创新的产品是持续不可或缺的事情,而且每年的新处理器往往会提供更好的性能、更优秀的能效水平,以及引人注目的新功能。与此同时,PC&市场目前正处于持续萎靡的状态,因为英特尔更需要尽一切可能去发布更具吸引力的新处理器产品。  对于英特尔而言,需努力要弥补近几年犯下的错误,因为其桌面处理器“Tick-Tock”策略已经被打破了。早在&2013&年,英特尔声称&2014&年上半年可以铺货的&14nm&处理器,但原计划秋季发布的第五代酷睿&Broadwell&桌面平台无情被忽略了,英特尔为了节省研发支出将其推迟到了&2015&年的中期,而在此之后两个月时间里马不停蹄地发布了&Skylake&架构的第六代桌面酷睿处理器。  英特尔显然意识到了问题的严重性,但似乎不得不面对一些无法改变的事实。如果原线路图不变的话,英特尔&10&纳米工艺的&Cannonlake(Skylake&的下一代&)架构本应该于&2017&年初期发布,然而英特尔却选择了&14nm&的&Kaby&Lake&架构进行过渡。  鉴于去年年底&PC&市场出货量下滑达&10&个百分点,PC&处理器的推迟对消费领域的影响已经不那么大,但却对英特尔最大的摇钱树数据中心产生不可估量的影响。越新的技术越早引入到数据中心的好处显而易见,越先进的工艺可以帮助英特尔在芯片基础架构内塞进更多的和核心数量,还包括额外元件的集成,诸多专用的和高速缓存等。  由于在数据中心业务增长的关键因素在于总成本,大大改善的每瓦性能将有助于吸引客户更快过渡到下一代处理器,特别是主流的云服务领域。  消费领域估计还是要等  2017&年下半年就有首款&10&纳米新品?话虽这么说,但不要指望英特尔在&2017&年发布&10&纳米的服务器处理器,消费领域同样要继续等待。预计&2017&年中期英特尔依然还只会发布第二代&14nm&的服务器芯片,直到 2018&年上半年&10&纳米产品才有望实现更大规模的量产。  对于消费领域,简单来说&2017&年下半年的情况会与&2015&年的下半年相似,尽管很多制造商的产品都已经过度到了最新工艺制程的技术,但仍需等至隔年才能顺利投入市场,而处理器必然只有旗舰款式可选。英特尔也指出,工艺越先进的半导体制造技术会越复杂,每推出一个新的生产工艺都极具挑战性。&&&&&&中关村在线消息:作为半导体行业巨头,Intel迟迟不推出10nm工艺显然是说不通的。同样作为半导体行业领军者的三星、台积电已经相继量产了10nm工艺产品,老对头AMD也即将全面采用GlobalFoundries&7nm,Intel的压力可想而知。不过,好消息是在今天的CES上,Intel客户端计算事业部高级副总裁终于为我们带来了有关于10nm工艺的消息。Intel客户端计算事业部高级副总裁发言&&&&&&在今天的CES大会上,Intel为我们透露了有关于10nm工艺的相关问题:预计会在今年为相关用户提供10nm工艺处理器,如果想要得到量产需要等到2019年。&&&&&&虽然相关的产品暂时没有透露,但是根据之前外媒给出的相关信息显示,Intel的第一款10nm工艺处理器将会取名为Cannon&Lake,之后是Ice&Lake,再往后还有第三代10nm工艺的(代号可能是Tiger&Lake),具体的消息也就这么多了,更进一步的消息我们则还需要等待。&&&&想看CES&2018全部资讯就&本文属于原创文章,如若转载,请注明来源:http://4g.zol.com.cn/674/6741091.html
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Intel迟到的10nm工艺终于要来了,并展望物理极限3nm
Intel迟到的10nm工艺终于要来了,并展望物理极限3nm
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Intel今天在北京举行了精尖制造日大会,会议上Intel正式向我们宣布了10nm制程一些技术细节,并且在全球范围内首次展出10nm的晶圆。Intel表示自家的10nm工艺有信心完全胜过台积电、三星,另外还可能提供更加优秀的制程性能提升,而7nm工艺技术研发已经完成,并展望3nm极限工艺。
本文约712字,需1分钟阅读
Intel今天在北京举行了精尖制造日大会,会议上Intel正式向我们宣布了10nm制程一些技术细节,并且在全球范围内首次展出10nm的晶圆。Intel表示自家的10nm工艺有信心完全胜过台积电、三星,另外还可能提供更加优秀的制程性能提升,而7nm工艺技术研发已经完成,并展望3nm极限工艺。图文无关虽然Intel的10nm工艺来得晚,台积电、三星两家均已经进入了量产阶段,并且也有实际产品在市面流通,例如高通骁龙835
SoC。不过我们都知道台积电和三星在工艺制程命名上耍小聪明,也就是“数字”压制,在一些关键技术参数上都是落后于Intel技术指标的,之前的14nmm就出现过。而这次Intel主动公布出三家10nm工艺相关技术参数指标,我们看到Intel在这些关键性技术指标上都是吊打其余两家,例如由于intel
10nm光刻技术制造出来的鳍片、栅极间隔更小,因此在晶体管密度上几乎是台积电、三星的两倍,达到了每平方毫米1亿个晶体管,同时保持了逻辑单元高度低的优良传统,在3D堆叠上更有优势。Intel即将发布的桌面级第八代酷睿代号为Coffee
Lake依然是使用14nm工艺制造,14nm在Intel上已经整整用了三代之久,看来Intel在研发10nm工艺上花费了大力气才搞出来,以至于推出时间一拖再拖。10nm工艺最早应该会用在低功耗移动平台上,代号为Cannon
Lake的处理器上,桌面版的代号应该就是Ice Lake无疑。此外Intel在现场全球首秀了10nm晶圆,还介绍了Intel在工艺上的技术路线图,在路线图中显示10nm、7nm技术已经完成了研发,但是尚未投产。而Intel已经对于硅基半导体极限工艺5nm、3nm进行前沿探索中,其中包括了一些比较先进、前沿具有探索性质的技术,包括了纳米线晶体管、III-V族晶体管,3D堆叠、密集内存、密集互联、EUV团成形、神经元计算以及自旋电子学。这些项目有可能将会成为研发5/7nm工艺的关键性技术。
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