&&|&&责编：孙玉亮
1Skylake选DDR3还是DDR4&&&&随着占领市场多年，的发展也开始出现新的变化，性能更强的DDR4从2014年底走入人的视野，就像DDR2时代到DDR3时代一样，Skylake平台处于DDR3往DDR4过渡的阶段，而为了顾及消费者，Skylake处理器集成了双控制器，可同时兼容DDR3和。也就意味着，消费者需要在价格稍贵的DDR4和便宜的DDR3之间做出选择。那么选DDR3好还是DDR4好呢？首先我们需要了解DDR4和DDR3有什么区别。Skylake时代来临&告诉你选DDR3还是DDR4Skylake平台上线skylake平台&&&&更加高效的平台需要性能更加强大的内存支持，早在2014年Intel的Haswell-E处理器及X99平台，已经率先为桌面平台带来了原生DDR4内存支持，2015年的Intel&Skylake也将支持DDR4，看似DDR4的普及指日可待了。Intel&Skylake是Intel&Haswell微架构及其制程改进版Intel&Broadwell微架构的继任者。采用14纳米制程。主要特性就有同时支持DDR3L和DDR4-SDRAM两种内存规格。&2DDR4对比DDR3带来哪些改变DDR4对比带来哪些改变金手指弯了弯了的金手指（具体看红框标出来的）&&&&外观是普通消费者鉴别一个事物最主要的标准。可以看到DDR4的金手指部分相比原来DDR3时直直的一排，变成了首尾两边有一定程度的收紧。2133MHz起跳&DDR4&PK&DDR3&&&我们知道最重要的就是频率和带宽。传输速度是衡量内存优劣的重要指标之一，在DDR3时代传输速度最高到2133MHz不等；而DDR4的传输速度从2133MHz起，最高可达4266MHz。储存更大&能耗低&&&&储存方面同一单位的的DDR4芯片拥有比DDR3多一倍的储存空间，同时DDR4能够搭载最多8个模块。比DDR3多一倍。这样算下来同样的空间DDR4模块的最大容量比DDR3多4倍。DDR3所需的标准电源供应是1.5V而DDR4降至1.2V，移动设备设计的低功耗DDR4更降至1.1V。段落总结：&1：条外观变化明显，金手指变成弯曲状&2：DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz&3：DDR4内存容量提升明显，可达128GB&4：DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低&&&3性能DDR4对比DDR3优势不明显性能DDR4对比优势不明显&&&&在对比这方面，我们引用了zol过去做过《DDR3/DDR4孰优孰劣&不同频率对比见分晓》中评测。在其中可以清晰明了的了解其两者的性能。&&&&两套平台分别是X79和X99，均采用四通道，只是前者为DDR3，后者为DDR4。X79平台我们分别测试了1600MHz和1866MHz两种频率，X99平台则是两种频率。Haswell-E架构图解X99芯片组与X79芯片组规格对比&&&&Haswell-E平台的同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计，频率原生支持2133MHz，这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz，起始频率有不小的提升。&&&&Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核，另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高，不得不让人想起当年PGA&423的奔腾4处理器、850芯片组和RAMBUS内存。IVB-E测试平台预览●内存带宽测试&　　AIDA64是一个测试软硬件系统信息的工具，32位的底层硬件扫描，使它可以详细的显示出PC硬件每一个方面的信息。DDR3&1866频率状态的测试成绩威刚红色威龙DDR4-2800频率状态的测试成绩&&&&注：AIDA64显示内存频率为DDR4-3734，此为显示错误，实际频率以CPU-Z侦测为准。AIDA64内存带宽对比&&&&点评：以上是AIDA64自带内存测试工具的测试情况，我们从测试的数据看出DDR4&2800明显领先内存读取、写入、复制分别为55.565GB/s、54.739GB/s、63.853GB/s遥遥领先于DDR3的表现。&&&&同是四通道DDR3&1866和DDR4&2133的表现在伯仲之间，甚至是DDR3略有领先。●简体中文版&&&&WinRAR是现在最好的工具，界面友好，使用方便，在压缩率和速度方面都有很好的表现。其压缩率比之之流要高，3.x采用了更先进的压缩算法，是现在压缩率较大、压缩速度较快的格式之一。DD3&1866频率下Winrar压缩测试Winrar压缩测试对比&&&&点评：WinRAR的测试中X99平台的DDR4依然以较大幅度落败DDR3，其差距绝不是微乎其微，而是相当巨大。4价格对比及购买意见性价比突出&影响消费者购买的一个重要因素就是价格，只有价格到一定程度，商品才会普遍被大众接受变为主流，从价格方面我们可以分析出目前DDR3性价比十分突出。普条DDR4单条8G报价普条DDR3单条8G报价&&&&从京东的报价我们可以看出,DDR4目前主流的报价为8G&400左右，虽然相比DDR4刚上市时千元的价格已经有了很高的降幅了，但相比DDR3价格还是偏高，而DDR3虽然已经过了白菜价时代，但目前报价较为合理，也很难有大的降幅，目前性价比突出。全文总结：选DDR3还是DDR4&&&&从测试结果来看，DDR4略有领先，但同频下这种优势非常不明显，如果说性能不足以服众的话，价格方面已经是主流的DDR3的性价比不言而喻，虽然DDR4的频率得到了大幅度提升，但过高的CL值让它的性能表现比DDR3并没有显示出太多优势。同时选择DDR3会让电脑升级费用大大降低，DDR4对于追求Skylake新平台新技术新体验的用户来说，消费者可以等待进一步降价提升性价比。
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电脑内存DDR3和DDR4有什么区别？
电脑内存DDR3和DDR4有什么区别？
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内存是2007年开始进入市场的，他直到现在还占内存市场的半壁江山，目前的主流频率是1600MHz，不过的超频条价格也不算很贵，也有3100MHz的的高频DDR3，不过相当难买到，对主板要求也很高。标准的DDR3内存电压是1.5V，低电压的DDR3L则是1.35V，内存预取8-bit，常见容量从512MB到8GB，单条16GB的DDR3是相当稀少的。DDR3内存与DDR2一样是240Pin
DIMM接口，不过两者的防呆缺口位置是不同的，不能混插。以上就是DDR3内存的简介。接下来就说说DDR4，DDR4在预取位上保持了DDR3的8bit设计，不过把bank的数量从8个增加到16个，使用Bank
Group设计，4个Bank为一组，每组都可以独立操作，使用组的话，每次操作的数据就是16bit，4组就是32bit，这其实变相提高了预取位宽。DDR4内存的标准电压是1.2V，频率从2133MHz起步，最为常见的是2400MHz，3000MHz以上的高频条也和那长剑，目前最高是4400MHz，单条容量有4GB、8GB和16GB，DDR4内存的针脚从DDR3的240个提高到了284个，防呆缺口也与DDR3的位置不同，还有一点改变就是DDR4的金手指是中间高两侧低有轻微的曲线。以上就是DDR3与DDR4内存的介绍，可以看得出DDR4内存的速度更快，容量更大，电压也更低，它现在已经成为市场的主流，DDR3只会慢慢的被时间所淘汰，然而决定你的电脑要用那种内存的是你的主板，能混用DDR3与DDR4内存的实际上只有Intel的LGA
1151接口的处理器，实际上只有Intel 100系列少数主板是同时有DDR3和DDR4内存接口的，200系列只会基本全都变成DDR4内存了，AMD方面AM4接口的全部使用DDR4，之前的都是DDR3。
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内存条ddr3和ddr4什么区别
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2V、甚至更低这是我百度的，总的来说，只要你的电脑平台支持ddr4，可达128GB　　4.DDR4功耗明显降低，可达4266MHz　　3.DDR4内存容量提升明显。哈哈哈。而且价格不高，跟ddr3的一样，就上ddr4，频率比ddr3的高，一般ddr4的都在MHz，DDR3的1866向下、的1.DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状　　2.DDR4内存频率提升明显，电压达到1
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DDR3和DDR4性能差距有多大
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DDR3传输速度最高到2133MHz不等；而DDR4的传输速度从2133MHz起，最高可达4266MHz。储存方面同一单位的的DDR4芯片拥有比DDR3多一倍的储存空间，同时DDR4能够搭载最多8个模块。比DDR3多一倍。这样算下来同样的空间DDR4模块的最大容量比DDR3多4倍。DDR3所需的标准电源供应是1.5V而DDR4降至1.2V，移动设备设计的低功耗DDR4更降至1.1V。DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。默认频率DDR4&2133&CL15DDR4&2133频率下带宽测试：48.4GB/sDDR4在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB（单颗芯片512MB，共16颗），而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。而电压方面，DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移动版的SO-DIMMD&DR4的电压还会降得更低。总结：1：DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状2：DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz3：DDR4内存容量提升明显，可达128GB4：DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低 &&
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DDR4相比DDR3，提高了频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。而电压方面，DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。除了封装形式不变(也就是DDR3/4颗粒外表看起来是一样的)、内存类型不变，架构规格上的变化是全方位的，尤其是电压更低、Bank更多、针脚更多。在DDR在发展的过程中，一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代，数据预取的增加变得更为困难，所以推出了Bank Group的设计。具体来说就是每个Bank Group可以独立读写数据，这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升，可以同时读取大量的数据，内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank Group分组，包括使用两个或者四个可选择的Bank Group分组，这将使得DDR4内存的每个Bank Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作，从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来，如果内存内部设计了两个独立的Bank Group，相当于每次操作16bit的数据，变相地将内存预取值提高到了16n，如果是四个独立的Bank Group，则变相的预取值提高到了32n。
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