cmos反相器版图设计,求助

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CMOS反相器工作原理的疑问
这几天回头温习《数字电路》,发现曾经在大学里根本没有认真、仔细的学好这门课,看到门电路一章时有些迷糊了:
& && &&&1. 当输入电压Vi=0时,为何有 |Vgs1|=Vdd
& && &&&2. 当输入电压Vi=Vdd时,为何有 |Vgs2|=Vdd
虽然工作这么多年,早已知道这个电路的输入与输出的关系,但竟然不知道这些细节的推理过程,还请坛友们说一下。
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你知道 g 和s代表哪两个端口
哦 知道了,我把G和S端看错了!
阿莫电子论坛, 原"中国电子开发网"
, 原www.ourdev.cn, 原www.ouravr.com反相器的CMOS反相器_百度知道
反相器的CMOS反相器
我有更好的答案
其数值范围在2~5V之间。为了使电路能正常工作,而此时|UGS2|&|UTP|,所以V2导通.com/zhidao/pic/item/d000baa1cdbc1cffcc3cec2fd2c63.jpg" target="_blank" title="点击查看大图" class="ikqb_img_alink"><img class="ikqb_img" src="http。<a href="http://f.hiphotos。只有在BC段,V1和V2均导通时才有电流iD流过V1和V2,且导通内阻很低,V2为PMOS管,称负载管,并且在UI=1/2UDD附近,iD最大.baidu,CMOS反相器实现了逻辑非的功能.CMOS反相器的主要特性.(2)当UI=UIH=UDD时,因此V2截止。此时UO=UOL≈0。 在CD段V2截止,其适用范围较宽,即输出为低电平,所以流过V1和V2的漏电流几乎为0,所以UO=UOH≈UDD, 即输出为高电平.7-2所示.hiphotos.baidu.com/zhidao/wh%3D450%2C600/sign=7ec8fddbaa1cdbc1cffcc3cec2fd2c63.hiphotos.baidu.com/zhidao/wh%3D600%2C800/sign=8dae2d0baa1cdbc1cffcc3cec2fd2c63,V1导通,而UGS2=0&lt?CMOS反相器的电压传输特性如图2;|UTP|。 可见。 NMOS管的栅源开启电压UTN为正值://f,因此V1管截止,UGS1=UDD&gt,PMOS管的栅源开启电压是负值,阻抗很高,所以流过V1和V2的漏电流也几乎为0,要求电源电压UDD&(UTN+|UTP|)。UDD可在3~18V之间工作,其中V1为NMOS管,称驱动管.jpg" esrc="http://f;UTN。工作原理(1)当UI=UIL=0V时,UGS1=0.7-2 CMOS反相器的电压传输特性在AB段由于V1截止,阻抗很高。CMOS 反相器的电流传输特性2.7-3图 2电路结构CMOS反相器电路如图2.7-1(a) (b)所示它由两个增强型MOS场效应管组成
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CMOS反相器电路设计
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这个需要很难吗
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顶下!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
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不错 不错 不错
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一般情况下,为了使得噪声容限达到1/2VDD可选择pmos的宽长比为nmos的两倍!具体设多少则根据要求定了,宽长比大的话寄生电容就大,速度就会慢!
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不是一个PMOS和一个NMOS串联吗,我也是初学。
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原帖由 sunnyqgs 于
19:55 发表
一般情况下,为了使得噪声容限达到1/2VDD可选择pmos的宽长比为nmos的两倍!具体设多少则根据要求定了,宽长比大的话寄生电容就大,速度就会慢!
这个更专业哦!
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EETOP物联网生态发展论坛(深圳站)正式开始报名数字电路里面的反相器是什么?还有CMOS反相器???_百度知道
数字电路里面的反相器是什么?还有CMOS反相器???
我有更好的答案
1个输出。根据芯片的结构不同,反相器分为TTL反相器,CMOS反相器.,或者把低电平变成高电平的门电路。反相器只有1个输入反相器就是把高电平变成低电平
TTL反相器和CMOS反相器是什么?
TTL和CMOS反相器功能是一样的,电路结构和工艺不同。
采纳率:74%
来自团队:
就是非门电路,能把高电平1变成低电平0,或把低电平0变成高电平1。CMOS指场效应管制成的。
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