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> 测试MLC还是TLC真的可以用HD TUNE波形图看出来吗
下载歌曲前先把你的手机内存卡或是MP3，MP4，U盘，移动硬盘用数...
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测试MLC还是TLC真的可以用HD TUNE波形图看出来吗
　　经常看到有人说可以用HD TUNE读写速度的波形图稳定性来判断内存卡是MLC还是TLC闪存，究竟是不是准确呢，下面就用已知闪存来测试一下。
这次为了确定内存卡的闪存类型，分别使用了3种eMMC制作成SD内存卡, 然后用usb2.0 读卡器接入PC测试。
1: samsung 8G 的eMCP 芯片& eMMC v5.0做成的内存卡
HD TUNE测试结果：
写入接近理论速度, 读是读卡器的上限!&&内存是TLC的
2: samsung 的16G , eMMC v5.0 做成的内存卡
测试图如下：
& 写入速度掉成渣, 读是读卡器的上限!&&内存是MLC
3: kingston 的eMMC 16G&&eMMC v4.41做成的内存卡
测试图结果：
& 写入速度因为是4bit, 所以没有达到理论速度, 读是读卡器的上限!&&内存是MLC
从测试来看,写入都是锯齿状, 如果按之前的说法这种波形是典型的TLC, 但是实际上有2款是MLC,
可见写入起伏, 应该是和主控有关!
4：samsung 16G eMMC v4.41做成的内存卡测试。
测试图如下：
看上图感觉很稳定,但其实这货是一个TLC的。
　　一共测试了4款eMMC做成的内存卡 , 2款 TLC ,2款 MLC , 其中 v4.41 老芯片 2款 ,v5.0 新芯片 2款从图形看, 不管TLC 还是 MLC v4.41芯片 都比较平坦 , V5.0 起伏较大 , 可能V4.41 更能适应 4bit SD的操作方式 因为缺乏更多样本, 不好定论，但对于内存卡来说根据波形的起伏大小来判断是TLC还是MLC还不够严谨，但波形比较稳定的的确可以表示此卡质量比较好吧。
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17:47:42&&&&
编辑：鲲鹏[])
喜欢DIY的朋友们对三星830 SSD都不会陌生，性能方面与美光M4相差无几，但价格却要比美光M4便宜不少，可以说它的目前最具性价比的SSD了。在830 SSD大卖特卖这么长时间之后，三星终于推出了830 SSD的继任者840系列。和830有所不同的840系列分为840和840 Pro两大系列，其中840面向普通用户，而840 Pro则面向对性能要求更高一些的用户。
三星840 SSD在推出之后便引起了业界的哗然，原因就在于840 SSD使用了TLC闪存，而并不是我们常见的MLC闪存。那么什么是TLC闪存呢？
事实上TLC闪存就是闪存的另一种制造工艺而已，相比SLC闪存每个存储单元只能保存1bit数据，MLC闪存的存储单元可保存2bit，TLC则可保存3bit。因此，在相同存储容量的情况下，TLC闪存的成本显然更加低廉。不过，由于TLC闪存的擦写次数不及MLC、SLC，之前主要引用在U盘、存储卡等产品中，无法用于频繁读写的固态硬盘。读写速度较慢以及可靠性不足成为了TLC闪存发展的瓶颈，虽然它的价格很占优势，但除了三星之外目前还真没有厂商推出基于TLC闪存颗粒的固态硬盘。
那么采用TLC闪存的三星840系列SSD的实际表现究竟怎么样呢？下面就让我们通过实践来检测一下吧。
产品包装盒
包装盒背面
840 SSD共分为120GB、240GB以及500GB三款，其中120GB的最大读写速度分别是530MB/s和130MB/s，而250GB的最大读写速度分别为540MB/s以及250MB/s，500GB型号的最大读写速度则分别是540MB/s和330MB/s。
备份软件光盘
SSD正面，与上一代的830没有什么区别
固态硬盘背面，本次拿到的测试样品容量为250GB
标准的SATA 6Gbps接口
螺丝钉并不是常见的十字口，需要专业的工具才能拆开。
三星840固态硬盘包括底座、PCB板以及顶盖三部分
PCB的布局较为紧凑，左上角是主控芯片以及缓存芯片，下部及右侧是闪存芯片
PCB采用单面设计，背面并没有多余的空焊位，证明三星840固态硬盘的PCB在设计之初就决定采用单面设计。
三星21nm TLC闪存颗粒，单颗容量32GB
三星MDX主控芯片，和840 Pro的主控芯片一模一样
512MB LPDDR2-1066缓存颗粒
PCB的厚度和两个5毛钱硬币的厚度差不多
具体测试平台如下：&
测试平台配置
Intel Core i3-3220
昂达B75U魔固版
金士骇客神条DDR3 1600 2GB& 2
NVIDIA Geforce GT640
三星840 SSD 250GB
酷冷至尊GX 750W
九州风神阿萨辛
Microsoft Windows 7 64bit中文版
ATTODiskMark
HD Tune Pro
CrystalDiskMark
ATTO Disk BenchMark
NVIDIA驱动程序306.97 For Win7 64bit
软硬件安装完成以后，正确的测试方法是：开机进入到桌面上以后，待系统准备就绪后，才开始运行测试（关闭UAC、屏幕保护程序、系统还原、自动更新等对测试得分有干扰的系统任务）。所有测试项目都运行三遍，在测试成绩稳定、可靠的情况下，我们以其中最好的一次成绩为准。
CrystalDiskInfo识别信息
ATTO Disk Benchmark测试
ATTO Disk Benchmark 是一款简单易用的磁盘传输速率检测软件，可以用来检测硬盘、 U盘、存储卡及其它可移动磁盘的读取及写入速率。该软件使用了不同大小的数据测试包，数据包按0.5K、 1.0K、 2.0K直到到8192.0KB进行分别读写测试， 测试完成后数据用柱状图的形式表达出来， 很好的说明了文件大小比例不同对磁盘速度的影响。
ATTO Disk Benchmark测试中，三星840 SSD的最大读取速度达到了560MB/s，最大写入速度则达到了260MB/s，均达到了官方标称的地步。
Crystal Disk Mark测试
CrystalDiskMark是一款简单易用的硬盘性能测试软件，但测试项目非常全面，涵盖连续读写、512K和4KB数据包随机读写性能，以及队列深度（Queue Depth）为32的情况下的4K随机性能。队列深度描述的是硬盘能够同时激活的最大IO值，队列深度越大，实际性能也会越高。
CrystalDiskMark测试中，三星840 SSD的最大读写速度分别达到了532.5MB/s以及258.2MB/s，与官方标称无异。4KB随即读写速度分别达到了29.42MB/s以及82.87MB/s，虽然持续读取速度表现不是很给力，但随机读写方面的表现还算不错。
AS SSD Benchmark测试
AS SSD Benchmark是一个专门为SSD测试而设计的软件。可以测试出固态硬盘的持续读写性能，包括4KB小文件的传输性能等等，成绩显示可以分为两种，一种是MB/S的形式，另一种是IOPS形式，分别测试读写速度。在View选项中可以切换插卡两种形式的测试结果，无需重新测试。
在AS SSD Benchmark测试中，三星840 SSD持续读写速度分别达到了504.11MB/s以及242.89MB/s，比官方标称速度都要略低一些。4KB随机读取速度为26.38,B/s，4KB随机写入速度则达到了58.04MB/s，表现不俗。
HD tune Pro测试
HD Tune是一款小巧易用的硬盘工具软件，其主要功能有硬盘传输速率检测，健康状态检测，温度检测及磁盘表面扫描存取时间、CPU占用率。另外，还能检测出硬盘的固件版本、序列号、容量、缓存大小以及当前的Ultra DMA模式等。
在HD Tune Pro的文件基测试中，三星840 SSD的持续读取速度超过了500MB/s，持续写入速度则达到了250MB/s。读取速度与官方标称有一定差距，但写入速度达到了官方标称的水平。
从测试结果来看，三星840 SSD的最大读写速度分别达到了550MB/s以及250MB/s左右，与官方的标称速度无异。整体来说使用TLC闪存的三星840 SSD给人的感觉就是读取速度超快，但写入速度的表现却比较一般。
做工及外观方面，三星840 SSD保持了与830系列相同的风格，外壳为金属材质，虽然没有采用拉丝工艺，但手感依然不俗。7mm的厚度也是目前固态硬盘的主流厚度，完全兼容于台式机、笔记本以及超极本。
事实上MLC闪存与TLC闪存的差距也仅仅是在速度与寿命上，测试证明三星840 SSD的读写速度虽然不是目前最强的，但相对来说并不慢，足以满足普通用户的需求。一般来说TLC闪存的可擦写次数为1000次左右，250GB版本的总写入寿命大约在270TB左右，如果你每天能写入10GB的数据的话（很少有人能超过这个数字吧？），这块固态硬盘的寿命也能超过20年了。20年后，你还会用到这东西吗？
TLC闪存速度及寿命不及MLC闪存只不过是相对来说的，对于普通用户来说TLC闪存无论是性能还是寿命都完全够用了，否则三星也不会推出这款产品，那不是搬石头砸自己的脚吗？
最后就是由于TLC闪存的单位密度远超MLC，所以在容量及成本方面更加容易控制，所以三星也就干脆取消了60GB型号，主推120GB以上的型号。目前840系列SSD还没有在国内开卖，但官方公布的数据中120GB版本的售价大约是人民币700元左右，未来还将会有很大的降价空间。如果售价能够进一步的降低的话，三星840 SSD无疑会推动大容量SSD的进一步普及。
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& >&如何检测你的iPhone6闪存种类
TLC又惹祸了 如何检测你的iPhone6闪存种类天极网手机频道 18:13
　　对于最近爆出的质量们事件，虽然对此沉默，但从实际情况看，的确存在，如果你担心，现在就给你检测的方法。
iPhone /6 Plus TLC闪存门
　　目前iPhone 6/6 Plus的质量问题主要聚焦在TLC闪存，从用户和韩国媒体报道的综合情况看，128GB的iPhone 6和6 Plus都中招了，而64GB的部分会中招。
　　如果你购买的是16GB版本，那就可以放心了。
　　之前曾介绍了iPhone 6/6 Plus检测TLC的问题，但需要越狱，不过现在又有网友贡献了新的方法，大家无需越狱也能检测，主要查看default-bits-per-cell字段，如果数字显示是TLC，显示就是是MLC。
　　顺便说一下，TLC NAND闪存是固态NAND快闪存储器的一种。它的数据存储量是SLC存储器的三倍，是MLC存储器的1.倍。最重要的是，TLC闪存更实惠。然而，它读取和写入数据的速度比SLC或MLC要慢一些。
　　附方法详情：
　　查看链接：http://www.pgyer.com/IOKitBrowser
　　"default-bits-per-cell"=3代表是TLC
　　"default-bits-per-cell"=2代表是MLC
　　Hynix 海力士
　　Sandisk 闪迪
（图片来自于快科技）
（图片来自于快科技）
据业内人士透露，苹果认为，困扰64GB iPhone6和128GB iPhone6+的功能缺陷缘于TLC NAND闪存控制芯片中的一个问题。这种控制芯片据称是由SSD制造商Anobit制造的，该公司在2011年被苹果收购。
TLC NAND闪存是固态NAND快闪存储器的一种，它的数据存储量是SLC存储器的三倍，是MLC存储器的1.5倍。最重要的是，TLC闪存更实惠。然而，它读取和写入数据的速度比SLC或MLC要慢一些。
在作出这一决定的同时，苹果公司计划未来在64GB iPhone6和128GB中使用MLC NAND闪存技术。苹果还表示，它将在一年内为已经装备了TLC NAND闪存的iPhone提供iOS8.1.1更新。
有趣的是，在不久前的11月3日这一天，也是同一家韩国媒体Business Korea率先曝出了128GB iPhone 6 Plus的TLC NAND闪存问题，并猜测苹果可能会大面积召回这款问题机型。但随后不到一天的时间，美国媒体就援引接近于苹果的人士对此说法予以辟谣，并举例说明在论坛中反应这一问题的只是极少数用户，且他们安装的大多达到了500-款之多。
随着关于iPhone6+功能缺陷的争论高涨，苹果已决定停止使用TLC NAND闪存技术。
　　据业内人士11月6日透露，苹果已经决定停用TLC NAND闪存技术。
　　苹果认为，困扰64GB iPhone6和128GB iPhone6+的功能缺陷缘于TLC NAND闪存控制芯片中的一个问题。这种控制芯片据称是由SSD制造商Anobit制造的，该公司在2011年被苹果收购。
　　TLC NAND闪存是固态NAND快闪存储器的一种。它的数据存储量是SLC存储器的三倍，是MLC存储器的1.5倍。最重要的是，TLC闪存更实惠。然而，它读取和写入数据的速度比SLC或MLC要慢一些。
　　在作出这一决定的同时，苹果公司计划未来在64GB iPhone6和128GB iPhone6+中使用MLC NAND闪存技术。苹果还表示，它将在一年内为已经装备了TLC NAND闪存的iPhone手机提供iOS8.1.1更新。
　　仅在10月31日的发布之日这一天之内，苹果就在韩国销售了10万台iPhone6和iPhone6+。韩国的一些移动运营商已经卖光了64GB和128GB的机型。
　　MLC NAND被16GB的iPhone6、iPhone6+和部分64GB机型采用，但所有128GB机型都采用了TLC NAND。苹果显然是在采用TLC NAND以降低成本。此前，一些iPad 中也采用了TLC NAND。
　　然而，越来越多的韩国消费者正在抱怨，苹果最新智能手机的功能缺陷导致其速度变慢。许多64GB iPhone6的用户在与网上社区中要求苹果公司为他们更换手机。11月3日，一些海外IT媒体纷纷猜测苹果召回iPhone6+的可能性。
（作者：唐浩责任编辑：唐浩）
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