怎么通过单片机来控制220v的电路_百度知道
怎么通过单片机来控制220v的电路
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单片机控制三极管，三极管控制继电器电流够的话也可以控制接触器，不行继电器控制接触器。还可以通过光耦直接控制继电器的
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求教单片机io口控制pmos导通问题
单片机io串电阻后控制pmos的g，可是程序中只要拉低了g去导通管子，单片机就复位，断开电阻，io悬空输出低电平单片机工作正常。这pmos导通干扰有那么大么？
电阻多大？
PMOS后接的是什么东西?电流大概多大?
erpao 发表于
00:58 电阻多大？
100欧和直通都试过
RUANJI 发表于
PMOS后接的是什么东西?电流大概多大?
pmos后接的dcdc 3升压5，电流大概三四百ma
升压电路的导通时瞬间电流很大把电源电压拉低了，导至单片机复位的。用示波器看一下PMOS导通的瞬间就知道了。
<font color="#7433525 发表于
升压电路的导通时瞬间电流很大把电源电压拉低了，导至单片机复位的。用示波器看一下PMOS导通的瞬间就知道了 ...
应该不是，换成pnp三极管则没问题，就是不能用pmos，顺便问下，我把pmos的g拉到地，流过g到地的电流有2毫安，不是说mos管是电压控制器件，怎么还有这么大控制电流
我的问题和这个类似
既然你说用PNP管可以正常工作的话.那估计三四百毫安的电流没有造成什么影响.
你把100欧姆电阻换成2K的.
RUANJI 发表于
既然你说用PNP管可以正常工作的话.那估计三四百毫安的电流没有造成什么影响.
你把100欧姆电阻换成2K的. ...
1.5k试过还是一样，唉，用三极管顶顶
通过一个NPN三级管或者Nmos控制比较好，不然很难完全关断，还是有漏电流
而且，如果你的单片机工作电压比较低的话，dc/dc不工作也能让mcu跑起来，这样就更关不掉，单片机一复位，IO口就不是低电平了
physis 发表于
通过一个NPN三级管或者Nmos控制比较好，不然很难完全关断，还是有漏电流
而且，如果你的单片机工作电压比较 ...
你这个更离谱了...怎么会是用NPN或者NMOS...阈值电压损失咋办...
physis 发表于
通过一个NPN三级管或者Nmos控制比较好，不然很难完全关断，还是有漏电流
而且，如果你的单片机工作电压比较 ...
我到现在还没想明白复位的原因，单片机电源是锂电池，也并了电容虑波，io不接pmos的g程序运行正常，只要接上g，运行到输出低电平就复位
上图会不会，没图说个鸡吧
顶楼上的，没图让别人分析个鸟
请上图& && &
什么也没有，让大家怎么帮你？！这种问题蛋疼的很啊，以后自己搞定！
进来学习了。
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, 原www.ourdev.cn, 原www.ouravr.com求一个用单片机控制晶闸管，在控制一个220v灯的电路图谢谢_百度知道
求一个用单片机控制晶闸管，在控制一个220v灯的电路图谢谢
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思路：单片机输出控制一个光耦，以隔离交流电路，光耦的输出去控制可控硅就是了；而可控硅控制电灯电路，百度上很多的；上面简单一说，控制电灯亮灭无问题，但是想要控制电灯亮度变化，就需要控制可控硅的导通角，这个需要过零点检测电路的辅助；
用单片机的PWM可以控制吗
采用PWM方式当然可以，但是仍然要解决与交流电信号的同步问题
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求一个单片机控制220v电灯电路
23:46:41　　
急需啊& &大神们帮帮忙
07:49:40　　
通过一个继电器，用光耦隔离输出
助理工程师
08:09:29　　
用带光电的双向可控硅做,可以调光.
助理工程师
08:38:46　　
{:1:}{:1:}
21:18:26　　
试试，谢谢
19:11:41　　
用管沟开关做比较好，单片机直接控制光耦就行，寿命长，工作可靠，无噪音
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PMOS开关管的选择与电路图
来源：电源网
编辑：映雪
首先要进行MOSFET的选择，MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。这就是后面介绍电路图中栅极所接电阻至地。如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。
第一步：选用N沟道还是P沟道
为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。
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