& LED晶片和LED芯片有什么区别
LED晶片和LED芯片有什么区别
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&&& 一、简介
1、led晶片为LED的主要原材料,LED主要依靠晶片来发光。　
2、led芯片是一种固态的半导体器件，就是一个P-N结，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。二、组成
1、led晶片的组成：要有砷(AS)铝(AL)镓(Ga)铟(IN)磷(P)氮(N)锶(Ｓi)这几种元素中的若干种组成。　
2、led芯片的组成：由金垫、P极、N极、PN结、背金层构成（双pad芯片无背金层）组成。
1、led晶片
1）按发光亮度分：　　
A.一般亮度:R﹑H﹑G﹑Y﹑E等；B.高亮度:VG﹑VY﹑SR等 ；　C.超高亮度:UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等；　　D.不可见光(红外线):IR﹑SIR﹑VIR﹑HIR ；　E.红外线接收管:PT ；　F.光电管: PD；
2）按组成元素分：
A.二元晶片(磷﹑镓):H﹑G等；　B.三元晶片（磷﹑镓﹑砷）:SR﹑HR﹑UR等 ；　C.四元晶片(磷﹑铝﹑镓﹑铟):SRF﹑HRF﹑URF﹑VY﹑HY﹑UY﹑UYS﹑UE﹑HE、UG
2、led芯片
1）根据用途分：大功率led芯片、小功率led芯片两种； 　
2）根据颜色分：主要分为三种：红色、绿色、蓝色（制作白光的原料）；
3）根据形状分：一般分为方片、圆片两种；
4)根据大小分：小功率的芯片一般分为8mil、9mil、12mil、14mil等
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从&九三阅兵&的天安门广场到朱日和训练基地，从大屏电视机到巨幅户外广告屏，...一文带你看懂LED芯片行业
本文全面讲述LED芯片基础知识、市场规模、产业链分析、LED芯片厂商汇总。
什么是led芯片
LED芯片，英文叫做CHIP，它是制作LED灯具（LED LAMP）、LED屏幕（LED DISPLAY）、LED背光（LED BACKLIGHT）的主要物料，其材料由砷(AS)、铝(AL)、镓(Ga)、铟(IN)、磷(P)、氮(N)、锶(Si)这几种元素中的若干种组成，其内部结构具有单向导电性。
LED芯片发光原理
将电转化为光，这是LED芯片能发光的物理原理。
LED芯片是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“P-N结”。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED芯片发光的原理。
LED芯片能发出各种颜色光的原理
由于光的颜色是由波长决定的，所以芯片的发光颜色取决于波长，芯片的波长是由形成P-N结的材料决定的，这就是LED芯片能发出各种颜色的光的原理。
LED芯片的发光亮度
一般亮度：R(红色GaAsP 655nm)、H ( 高红GaP 697nm )、G ( 绿色GaP 565nm )、Y ( 黄色GaAsP/GaP 585nm )、E(桔色GaAsP/ GaP 635nm )等；
高亮度：VG (较亮绿色GaP 565nm )、VY(较亮黄色 GaAsP/ GaP 585nm )、SR( 较亮红色GaA/AS 660nm )；
超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等；
不可见光(红外线)：IR、SIR、VIR、HIR；
LED芯片分类
根据用途分为大功率LED芯片、小功率LED芯片两种；
大功率LED芯片一般分为38*38mil，40*40mil，45*45mil等。
小功率的芯片一般分为8mil、9mil、12mil、14mil等。
mil是尺寸单位，一个mil是千分之一英寸。40mil差不多是1毫米。38mil，40mil，45mil都是1W大功率芯片的常用尺寸规格。理论上来说，芯片越大，能承受的电流及功率就越大。不过芯片材质及制程也是影响芯片功率大小的主要因素。
按颜色：主要分为三种：红色、绿色、蓝色（制作白光的原料）。
按形状：一般分为方片、圆片两种。
LED芯片价格
一般情况系下方片的价格要高于圆片的价格，大功率led芯片肯定要高于小功率led芯片，进口的要高于国产的，进口的来源价格从日本、美国、台湾依次减低。
LED芯片质量
LED芯片的质量主要从裸晶亮度、衰减度两个主要标准来衡量，在封装过程中主要从led芯片封装的成品率来计算。
LED芯片制造工艺流程
外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2 腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。
LED芯片发展方向
为了避免正装芯片中因电极挤占发光面积从而影响发光效率，芯片研发人员设计了倒装结构，即把正装芯片倒置，使发光层激发出的光直接从电极的另一面发出（衬底最终被剥去，芯片材料是透明的），同时，针对倒装设计出方便LED封装厂焊线的结构，从而,整个芯片称为倒装芯片(Flip Chip)，该结构在大功率芯片较多用到。
倒装芯片不需引线键合，可以达到坚固且最薄的封装，具有低热阻，可实现高电流等特点。利用倒装技术，可以在“芯片级”上实现不同尺寸、颜色、形状、功率的多芯片集成，实现超大功率模组产品，这是任何其它的芯片技术不能达到的优势。
LED芯片产业链分析
LED产业链一般分为上游LED芯片制造，中游LED芯片封装和下游LED芯片应用三个子行业组成。
2015年，全球LED芯片产值规模达到450亿元。位于LED产业链最顶端的LED芯片制造行业准入门槛较高：即需要大规模的资金投入，也需要长期的技术积累。这也使得中国LED芯片制造企业自2011年以来大规模减少，目前中国能够大规模量产LED芯片的企业约为10家左右。
进入2016年，全球LED芯片供需总体平衡，产能过剩局面进一步缓解，照明逐渐成为LED产业最主要的应用，利好中国LED产业链，未来LED芯片厂商最为受益。
LED芯片市场规模
LED芯片厂商
全球LED芯片市场分为三大阵营：以日本、欧美厂商为代表的第一阵营；以韩国和中国台湾厂商为代表的第二阵营；以中国大陆厂商为代表的第三阵营。
目前这种局面正在发生变化，以中国大陆厂商为代表的第三阵营正在不断侵蚀第二阵营的市场。
未来两年，阵营格局将会发生明显变化，第三阵营将会与第二阵营同化并共同侵蚀第一阵营市场。
日本、欧美LED芯片厂商
CREE，惠普（HP），日亚化学（Nichia），丰田合成，大洋日酸，东芝、昭和电工（SDK），Lumileds，旭明（Smileds），Genelite，欧司朗（Osram），GeLcore，首尔半导体，普瑞，Sidus，Dochips等。
著名LED芯片制造商，美国CREE公司，产品以碳化硅（SiC），氮化镓（GaN），硅（Si）及相关的化合物为基础，包括蓝，绿，紫外发光二极管（LED），近紫外激光，射频（RF）及微波器件，功率开关器件及适用于生产及科研的碳化硅（SiC）外延片。
2、OSRAM：
是世界第二大光电半导体制造商，产品有照明，传感器，和影像处理器。公司总部位于德国，研发和制造基地在马来西亚，约有3400名员工，2004年销售额为45.9亿欧元。OSRAM最出名的产品是LED，长度仅几个毫米，有多种颜色，低功耗，寿命长。
3、NICHIA：
日亚化学，著名LED芯片制造商，日本公司，成立于1956年，开发出世界第一颗蓝色LED（1993年），世界第一颗纯绿LED（1995年），在世界各地建有子公司。
4、ToyodaGosei：
丰田合成，总部位于日本爱知，生产汽车部件和LED，LED约占收入10%，丰田合成与东芝所共同开发的白光LED，是采用紫外光LED与萤光体组合的方式，与一般蓝光LED与萤光体组合的方式不同。
5、Agilent：
作为世界领先的LED供应商，其产品为汽车、电子信息板及交通讯号灯、工业设备、蜂窝电话及消费产品等为数众多的产品提供高效、可靠的光源。这些元件的高可靠性通常可保证在设备使用寿命期间不用再更换光源。安捷伦低成本的点阵LED显示器、品种繁多的七段码显示器及安捷伦LED光条系列产品都有多种封装及颜色供选择。
6、TOSHIBA：
东芝半导体是汽车用LED的主要供货商，特别是仪表盘背光，车子电台，导航系统，气候控制等单元。使用的技术是InGaAlP，波长从560nm（puregreen）到630nm（red）。近期，东芝开发了新技术UV+phosphor（紫外+荧光），LED芯片可发出紫外线，激发荧光粉后组合发出各种光，如白光，粉红，青绿等光。
7、LUMILEDS：
LumiledsLighting是全球大功率LED和固体照明的领导厂商，其产品广泛用于照明，电视，交通信号和通用照明，LuxeonPowerLightSources是其专利产品，结合了传统灯具和LED的小尺寸，长寿命的特点。还提供各种LED晶片和LED封装，有红，绿，蓝，琥珀，白等LED.LumiledsLighting总部在美国，工厂位于荷兰，日本，马来西亚，由安捷伦和飞利浦合资组建于1999年，2005年飞利浦完全收购了该公司。
首尔半导体乃韩国最大的LED环保照明技术生产商，并且是全球八大生产商之一（资料来源：StrategiesUnlimited--LED市场研究公司）。首尔半导体的主要业务乃生产全线LED组装及定制模组产品，包括采用交流电驱动的半导体光源产品如：Acriche、侧光LED、顶光LED、切片LED、插件LED及食人鱼（超强光）LED等。产品已广泛应用于一般照明、显示屏照明、移动电话背光源、电视、手提电脑、汽车照明、家居用品及交通讯号等范畴之中。
9、SemiLEDs：
旭明是世界领先的高性能的发光二极管（HPLED），适合于一般照明应用。SemiLEDs的LED芯片是最聪明和最有效的当今市场。利用铜合金基材，SemiLEDs已经成功地开发和商业MvPLED技术（金属垂直光子发光二极管）。随着金属衬底和独特的设备结构，SemiLEDs’HPLEDs有更好的电气和热导率导致较高的亮度，效率和更好的传热。SemiLEDs’HPLEDs适合照明应用，包括显示器，标牌，通信，汽车和一般照明。
昭和电工是日本具有代表性的综合化学会社，从60年代就开始开发液相色谱，已有40多年的生产历史。生产GPC、GFC、糖分析专用柱、离子交换色谱柱、亲和色谱柱、有机酸分析柱、手性分离柱以及离子色谱分析等800多个型号的各种专用柱。昭和电工日后会进行相同发光效率的蓝光LED与绿光LED的开发，计划以2010年为目标，将其LED事业营收自2007年的100亿日元提升至150~200亿日元的规模。
11、Bridgelux：
普瑞是领先的照明技术和解决方案开发商和制造商，其技术和解决方案有助于将价值400亿美元的全球照明行业转化为价值1000亿美元的市场机遇。Bridgelux总部位于加利福尼亚州利弗莫尔，是固态照明领域(SSL)的领先企业，通过降低发光二极管(LED)照明系统成本拓展了LED技术市场。Bridgelux在全球申报或拥有450多项专利应用，是唯一一家针对照明行业专业从事解决方案设计的垂直一体化的LED固态光源制造商和开发商。Bridgelux普瑞的原厂代理是深圳易智佳科技，有需要可询价购买。
12、Sidus：
赛德于2013年成立于美国，总部在美国加利福尼亚州硅谷。 6位具有美国博士学位的专家，专业从事光电子学，特别是LED芯片、封装和照明源技术开发和生产。主要高管具有多年成功的相关行业背景，如HP、安捷伦、Avago、英特美、普瑞；管理过超过 USD的光电产业销售业务。Sidus赛德的原厂代理是深圳易智佳科技，有需要可询价购买。
13、Dochips：
导装光电科技有限公司是一家专注于LED倒装芯片（Flip-Chip）应用技术的中美合资公司，Dochips开发出一种崭新独特的白光芯片工艺流程，彻底解决了白光芯片制备的高成本低良率问题，真正实现了低成本高产出及高度一致性的批量化生产。另外，Dochips的另一项卓越技术是针对高功率大尺寸COB的透镜一体化，提升了10%以上的光效，使得大电流高密度下的倒装芯片COB依旧保持与正装芯片在低电流下一样的高光效。Dochips的芯片原厂代理是深圳易智佳科技，有需要可询价购买。
韩国LED芯片厂商
1、Epivalley：
韩国安萤公司是一家全球知名的韩国LED生产企业，是韩国国内除三星和LG以外，具备独立研发能力，并能规模化生产LED外延片、芯片的少数公司之一，其产能和技术水平在韩国国内前三名。韩国EPIVALLEY公司具备较强技术能力，产业化生产芯片光效在110lm/w以上。
2、Semiconlight：
韩国Semiconlight公司主要经营倒装芯片LED Flip Chip市场 (以Flip Chip为主的销售模式)，2015年06月在韩国股票市场(KOSDAQ)上市。Semiconlight的原厂代理是深圳易智佳科技，有需要可点击此处询价购买。
台湾LED芯片厂商
晶元光电（Epistar），广镓光电（Huga），新世纪（GenesisPhotonics），华上（ArimaOptoelectronics），泰谷光电（Tekcore），奇力，钜新，光宏，晶发，视创，洲磊，联胜（HPO），汉光（HL），光磊（ED），鼎元（Tyntek），曜富洲技TC，灿圆（FormosaEpitaxy），国通，联鼎，全新光电（VPEC）等。
华兴（LedtechElectronics）、东贝（UnityOptoTechnology）、光鼎（ParaLightElectronics）、亿光（EverlightElectronics）、佰鸿（BrightLEDElectronics）、今台（Kingbright）、菱生精密（LingsenPrecisionIndustries）、立基（LigitekElectronics）、光宝（Lite-OnTechnology）、宏齐（HARVATEK）等。
大陆LED芯片厂商
三安光电、上海蓝光、士兰明芯、大连路美、迪源光电、华灿光电、南昌欣磊、上海金桥大晨、河北立德、河北汇能、深圳奥伦德、深圳世纪晶源、广州普光、扬州华夏集成、甘肃新天电公司、东莞福地电子材料、清芯光电、晶能光电、中微光电子、乾照光电、晶达光电、深圳方大，山东华光、上海蓝宝、山东聚芯、江苏晶瑞等。
大陆LED芯片厂商排名
NO.1 三安光电
三安光电股份有限公司成立于2000年，是目前国内成立最早、规模最大的全色系超高亮度发光二极管外延及芯片产业化生产基地，公司LED业务主要产品涵盖蓝宝石、外延芯片、封装器件、照明应用，产业化基地分布在厦门、天津、芜湖、淮南、泉州等多个地区。
2015年前三季度，公司实现营收36亿元，同比增长3.55%，2015年，公司计划新增100台MOCVD设备，上半年，已经到达32台。
NO.2 同方光电
清华同方股份有限公司（600100.SH）成立于1997年，2008年正式进入LED产业，目前初步形成从材料、外延芯片、芯片、封装、光学设计及应用的完整产业链。目前公司已布局北京、江苏、广州、浙江四大生产基地。
上游外延芯片方面，公司依托清华大学的科研实力并结合中科院、部分台湾地区研发团队，成功掌握了芯片的关键技术，并申请国内外专利近百个。公司中小尺寸芯片现已被各大封装厂家认可，目前其芯片产值规模仅次于三安。
同方光电是上市公司同方股份的子公司，资金背景雄厚，主营白光芯片的研发、生产和销售，生产基地主要在江苏南通（2013年，北京基地机台已迁至南通）。目前公司MOCVD数量为59台，排名全国第五。
NO.3 华灿光电
华灿光电股份有限公司（300323.SZ）成立于2005年，是国内领先的LED芯片供应商。公司致力于研发、生产、销售以GaN基蓝、绿光系列产品为主的LED外延材料与芯片。
2015年，公司拟增发6亿元收购云南蓝晶100%股权，若收购成功，公司将与蓝晶科技在业务形态上形成互补，在客户资源上也能整合共享，可以综合利用双方现有客户渠道和业务资源，进行客户渗透和产业链延伸，扩大整体业务规模，从而提高上市公司盈利水平。未来，公司的整体产品、业务体系和市场布局将得到进一步优化，协同效应将逐步显现。
NO.4 德豪润达
广东德豪润达电气股份有限公司（002005.SZ）成立于1996年，2009年通过收购广东健隆达的LED资产进入LED产业。目前公司已完成了全国范围的产业布局，形成了具有上游外延片、芯片，中游封装，下游照明、显示屏、背光等应用的一体化产业格局。
受益于LED芯片和应用业务快速发展，德豪润达LED业务营收占比已达到公司总收入的50%左右。2015年前三季度，公司实现营收33.5亿元，同比增长6.74%，其中LED业务营收约16亿元，预计全年公司LED业务营收超过20亿元。
NO.5 乾照光电
厦门乾照光电股份有限公司（300102.SZ）成立于2006年，主营红、黄、橙四元系LED外延片、芯片以及高性能砷化镓太阳电池，是本土芯片企业中红黄光芯片规模最大的企业。2015年，公司顺利完成产业布局的调整，总体实现由扬州子公司负责红、黄光LED外延片及芯片生产项目，厦门母公司负责蓝、绿光LED外延片及芯片的产业化项目。
2015年前三季度，公司实现营收4.12亿元，同比增长26.36%。
NO.6 圆融光电
圆融光电科技股份有限公司（股票代码：832502）成立于2010年底，注册资金2.4亿人民币，是国内专业从事全色系发光二极管外延片、芯片的研发、生产和销售为一体的高科技产业。
2015年5月，公司在全国中小企业股份转让系统挂牌。
2015年10月，公司拟采用非公开发行股票及支付现金的方式收购青岛杰生电气有限公司85.61%股权。通过收购，圆融科技将进一步完善在深紫外领域的战略布局。
NO.7 聚灿光电
聚灿光电科技股份有限公司成立于2010年，注册资本1.93亿元，公司主要从事超高亮度LED外延片、芯片的研发、生产、销售及服务，公司产品主要用于通用照明、背光源和景观照明等领域。
NO.8 华磊光电
湘能华磊光电股份有限公司成立于2008年6月，由湖南省煤业集团等公司控股，属国有控股公司，注册资本3.88亿元，公司目前主营蓝、绿光外延片和白光芯片，芯片产品以中小功率为主。目前公司已形成了年产GaN基蓝绿光外延120万片，芯片110万片，灯具220万盏的生产能力。
NO.9 浪潮华光
山东浪潮华光光电子股份有限公司成立于1999年，是国内最早引进MOCVD设备的企业之一，由山东浪潮集团控股。目前公司主营蓝光、红黄光芯片和LD芯片，以及激光器产品和LED照明产品，现拥有两个外延芯片生产基地，分别在潍坊和济南。公司是国内最大的激光二极管芯片生产企业，在国内光电子行业处于领先地位。
NO.10 中科半导体
扬州中科半导体照明有限公司成立于2007年，注册资本3.38亿元，由中国中材集团控股，扬州经济技术开发区和中国科学院半导体所共同出资组建。是从事LED高端外延片、芯片和照明产品研发、设计、生产、销售的高科技企业。
大陆具有性价比LED芯片厂商推荐
山东聚芯光电科技有限公司
聚芯光电拥有LED从外延到芯片、封装的全套生产线。公司致力于研发、生产、销售多规格、高品质、特种LED芯片，基于客户的个性化需求持续创新，定制生产。聚芯光电的芯片原厂代理是深圳易智佳科技，有需要可点购买。
江苏晶瑞半导体有限公司
江苏晶瑞半导体有限公司成立于2011年，由拥有丰富研发与产业化经验的留学归国专家与企业管理专才共同创建，是南京高精传动设备制造集团公司（2007年在香港上市，股票名称为中国高速传动，港股代码00658）投资控股的专业从事GaN基LED芯片、LED照明产品的研发、生产和销售的中外合资高科技企业。晶瑞半导体的芯片原厂代理是深圳易智佳科技，有需要可询价购买。
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LED晶粒，LED晶片，LED芯片的关系？
提问者：网友
就是一个东西，只是叫法不同。 LED发光属于受激辐射，发光的就是LED，也就是一个掺杂的PN结，只是在上面加了一些电极什么的东西。 我们就是做LED封装的，你如果需要可以联系我，我给你些图片更形象些。
先说LED晶片吧，形状：很小很小，就像芝麻那么大，工厂操作一般在50倍的放大大镜下看，是一个半导体晶片。做个比喻吧，他的作用就像灯泡上的钨丝。 这种晶片当然不能发光，需要给他的正负极连上线，这就是封装，封装在半导体照明行业属于下游产业。 LED颗粒亮度有限，所以需要LED芯片驱动很多个LED颗粒。 LED谈论群；，加就知道了 说的都是一个东西，是LED发光主要器件生成PN结可以消耗电流发光。 就是一个东西，只是叫法不同。 LED发光属于受激辐射，发光的就是LED，也就是一个掺杂的PN结，只是在上面加了一些电极什么的东西。 我们就是做LED封装的，你如果需要可以联系我，我给你些图片更形象些。
先说LED晶片吧，形状：很小很小，就像芝麻那么大，工厂操作一般在50倍的放大大镜下看，是一个半导体晶片。做个比喻吧，他的作用就像灯泡上的钨丝。 这种晶片当然不能发光，需要给他的正负极连上线，这就是封装，封装在半导体照明行业属于下游产业。 LED颗粒亮度有限，所以需要LED芯片驱动很多个LED颗粒。 LED谈论群；，加就知道了 说的都是一个东西，是LED发光主要器件生成PN结可以消耗电流发光。
回答者：网友
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的制造流程是怎样的？LED芯片制造工序中，哪些工序对其能有较重要的影响？用于的芯片技术的发展主流是什么？什么是&&？它的结构如何？有哪些优点？下面给你详细解答，全面了解LED芯片知识。
1、LED芯片的制造流程是怎样的？
LED芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极，并能满足可接触材料之间最小的压降及提供焊线的压垫，同时尽可能多地出光。渡膜工艺一般用真空蒸镀方法，其主要在1.33&10？4Pa高真空下，用电阻加热或电子束轰击加热方法使材料熔化，并在低气压下变成金属蒸气沉积在半导体材料表面。一般所用的P型接触金属包括AuBe、AuZn等合金，N面的接触金属常采用AuGeNi合金。镀膜后形成的合金层还需要通过光刻工艺将发光区尽可能多地露出来，使留下来的合金层能满足有效可靠的低欧姆接触电极及焊线压垫的要求。光刻工序结束后还要通过合金化过程，合金化通常是在H2或N2的保护下进行。合金化的时间和温度通常是根据半导体材料特性与合金炉形式等因素决定。当然若是蓝绿等芯片电极工艺还要复杂，需增加钝化膜生长、等离子刻蚀工艺等。
2、LED芯片制造工序中，哪些工序对其光电性能有较重要的影响？
一般来说，LED外延生产完成之后她的主要电性能已定型，芯片制造不对其产甞核本性改变，但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的不良。比如说合金化温度偏低或偏高都会造成欧姆接触不良，欧姆接触不良是芯片制造中造成正向压降VF偏高的主要原因。在切割后，如果对芯片边缘进行一些腐蚀工艺，对改善芯片的反向漏电会有较好的帮助。这是因为用金刚石砂轮刀片切割后，芯片边缘会残留较多的碎屑粉末，这些如果粘在LED芯片的PN结处就会造成漏电，甚至会有击穿现象。另外，如果芯片表面光刻胶剥离不干净，将会造成正面焊线难与虚焊等情况。如果是背面也会造成压降偏高。在芯片生产过程中通过表面粗化、划成倒梯形结构等办法可以提高光强。
3、LED芯片为什么要分成诸如8mil、9mil、&，13∽22mil，40mil等不同尺寸？尺寸大小对LED光电性能有哪些影响？
LED芯片大小根据功率可分为小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。根据客户要求可分为单管级、数码级、点阵级以及装饰照明等类别。至于芯片的具体尺寸大小是根据不同芯片生产厂家的实际生产水平而定，没有具体的要求。只要工艺过关，芯片小可提高单位产出并降低成本，光电性能并不会发生根本变化。芯片的使用电流实际上与流过芯片的电流密度有关，芯片小使用电流小，芯片大使用电流大，它们的单位电流密度基本差不多。如果10mil芯片的使用电流是20mA的话，那么40mil芯片理论上使用电流可提高16倍，即320mA。但考虑到散热是大电流下的主要问题，所以它的发光效率比小电流低。另一方面，由于面积增大，芯片的体电阻会降低，所以正向导通电压会有所下降。
4、LED大功率芯片一般指多大面积的芯片？为什么？
用于白光的LED大功率芯片一般在市场上可以看到的都在40mil左右，所谓的大功率芯片的使用功率一般是指电功率在1W以上。由于量子效率一般小于20%大部分电能会转换成热能，所以大功率芯片的散热很重要，要求芯片有较大的面积。
5、制造GaN外延材料的芯片工艺和加工设备与GaP、GaAs、InGaAlP相比有哪些不同的要求？为什么？
普通的LED红黄芯片和高亮四元红黄芯片的基板都采用GaP、GaAs等化合物半导体材料，一般都可以做成N型衬底。采用湿法工艺进行光刻，最后用金刚砂轮刀片切割成芯片。GaN材料的蓝绿芯片是用的蓝宝石衬底，由于蓝宝石衬底是绝缘的，所以不能作为LED的一个极，必须通过干法刻蚀的工艺在外延面上同时制作P/N两个电极并且还要通过一些钝化工艺。由于蓝宝石很硬，用金刚砂轮刀片很难划成芯片。它的工艺过程一般要比GaP、GaAs材料的LED多而复杂。
6、&透明电极&芯片的结构与它的特点是什么？
所谓透明电极一是要能够导电，二是要能够透光。这种材料现在最广泛应用在液晶生产工艺中，其名称叫氧化铟锡，英文缩写ITO，但它不能作为焊垫使用。制作时先要在芯片表面做好欧姆电极，然后在表面覆盖一层ITO再在ITO表面镀一层焊垫。这样从引线上下来的电流通过ITO层均匀分布到各个欧姆接触电极上，同时ITO由于折射率处于空气与外延材料折射率之间，可提高出光角度，光通量也可增加。
7、用于半导体照明的芯片技术的发展主流是什么？
随着半导体LED技术的发展，其在照明领域的应用也越来越多，特别是白光LED的出现，更是成为半导体照明的热点。但是关键的芯片、封装技术还有待提高，在芯片方面要朝大功率、高光效和降低热阻方面发展。提高功率意味着芯片的使用电流加大，最直接的办法是加大芯片尺寸，现在普遍出现的大功率芯片都在1mm&1mm左右，使用电流在350mA.由于使用电流的加大，散热问题成为突出问题，现在通过芯片倒装的方法基本解决了这一文题。随着LED技术的发展，其在照明领域的应用会面临一个前所未有的机遇和挑战。
8、什么是&倒装芯片（Flip Chip）&？它的结构如何？有哪些优点？
蓝光LED通常采用Al2O3衬底，Al2O3衬底硬度很高、热导率和电导率低，如果采用正装结构，一方面会带来防静电问题，另一方面，在大电流情况下散热也会成为最主要的问题。同时由于正面电极朝上，会遮掉一部分光，发光效率会降低。大功率蓝光LED通过芯片倒装技术可以比传统的封装技术得到更多的有效出光。
现在主流的倒装结构做法是：首先制备出具有适合共晶焊接电极的大尺寸蓝光LED芯片，同时制备出比蓝光LED芯片略大的硅衬底，并在上面制作出供共晶焊接的金导电层及引出导线层（超声金丝球焊点）。然后，利用共晶焊接设备将大功率蓝光LED芯片与硅衬底焊接在一起。这种结构的特点是外延层直接与硅衬底接触，硅衬底的热阻又远远低于蓝宝石衬底，所以散热的问题很好地解决了。由于倒装后蓝宝石衬底朝上，成为出光面，蓝宝石是透明的，因此出光问题也得到解决。
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发表于： 10:48:53
5月25日晚间，聚灿光电发布公告称，公司全资子公司聚灿宿迁收到政府补助1．46亿元。
发表于： 14:52:04
据业内人士透露，中国内地两家最大的LED外延片和芯片制造商三安光电和华灿光电，以及中国台湾最大的晶圆代工商晶元光电（Epistar）的库存量都达到惊人的水平。
发表于： 13:48:26
三安的一季报出炉至今过去20天，然而这份意外爆冷的季报还是令人深思，到底这背后发生了什么？三安是不是在策略上做错了什么？还是说有着更深层的经营动机？
发表于： 08:11:00
6月12日，比亚迪官方称其获签英国18MW集装箱储能项目，这是比亚迪今年在英国市场拿下的第三个订单，前两个订单分别为43MW、50MW储能项目。英国已成为继美国之后比亚迪储能业务的又一主要市场。
发表于： 13:15:53
话说回来，某些国家难以实现能源行业的完全可再生化，那么仅仅是温室气体减排的重任，可再生能源能承担吗？
发表于： 09:19:27
有业内专家认为，目前整个国内的充电桩发展现状比较平稳，大功率充电、无线充电将成为行业主要发展方向。
发表于： 09:15:51
中国北京– 2018 年 6 月 15 日 – Analog Devices (ADI) 宣布推出 Power by Linear(TM) LTM8002，该器件是一款降压型 DC/DC uModule(R) (电源模块) 稳压器，具有 40V 额定输入电压 (42V 绝对最大值) 和 2.5A 连续 (3.5A 峰值) 输出电流，采用 6.25m
发表于： 07:12:00
寻找电压增益高、元器件电压应力小的直流变换器已成为了现阶段人们在该领域里研究的热点。目前国内外众多学者已提出了许多用于新能源发电系统中的高增益直流升压变换器[1-11]。文献[2]在交互Boost电路基础上，利用开关电容的充放电达到了使其输出电压倍增的目的。
发表于： 16:56:43
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