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四氯化硅实现循环利用
　　青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司研发的冷氢化技术，实现了对多晶硅生产的副产物四氯化硅进行循环回收利用。此项技术的实施，不仅消除了产品生产对环境的污染，并可降低生产成本、保证产品质量，成功解决了制约我国多晶硅行业发展的四氯化硅转化技术难题，打破了国外对这一工艺的垄断。 中国论文网 /3/view-4827386.htm　　据了解，生产1公斤多晶硅会产生13～16公斤四氯化硅，而废弃的四氯化硅所产生的氯化氢气体会造成严重的环境污染。如何处理这些大量囤积又无用的四氯化硅，成为国内多晶硅企业头疼的问题。 　　新能源分公司科研团队不断攻关，通过对引进的氢化炉硅粉给料系统及流化床反应器进行优化改造，使系统实现了长期、高效、连续、稳定运行。系统将四氯化硅转化成多晶硅生产的中间产品三氯氢硅，解决了四氯化硅大规模无害化处理的技术难题，实现了循环利用。 　　同时，由于这一装置的技术先进，以往在多晶硅生产成本中占较大比重的电力成本也可大幅降低，耗电量从以前的每吨4500千瓦时，降低为每吨800千瓦时，每吨节约成本约3.4万元，有效提高了产品竞争力。 　　一直以来，多晶硅生产的新技术被国外企业垄断。黄河水电新能源分公司自主研发的技术获得国家级专利，设计完成了新型的三氯氢硅纯度评价装置。通过对多晶硅产品的生产过程进行控制，有效提高了电子级多晶硅产量，进一步填补了国家技术空白。去年以来，新能源分公司已成功运用相关技术生产高纯多晶硅2000吨，每年节约生产成本8500万元。
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晶硅刻蚀工艺188&CN.8&多晶硅薄膜的制造方法和用多晶硅薄膜制造的显示器件189&CN.0&包括多晶硅薄膜晶体管的液晶显示器件及其制造方法190&CN.4&用场效应管和双极基极多晶硅层制造多晶硅电容器的方法191&CN.9&多晶硅薄膜制造方法以及使用该多晶硅薄膜的设备192&CN.1&测量多晶硅薄膜热膨胀系数的测量结构及其测量方法193&CN.9&超小粒径多晶硅的结构和方法194&CN.5&三维多晶硅只读存储器及其制造方法195&CN.9&光罩与应用其形成多晶硅层的方法196&CN.6&集成电路多晶硅高阻电阻的制作方法197&CN.1&低温多晶硅薄膜的制造方法198&CN.9&多晶硅膜的形成方法199&CN.3&多晶硅膜的形成方法200&CN.3&制造多晶硅薄膜的方法及用其制造晶体管的方法201&CN.8&多晶硅薄膜晶体管的多晶硅膜的形成方法202&CN&多晶硅衬底和太阳能电池的制备方法203&CN&利用多晶硅的薄膜晶体管制造方法204&CN.9&具复合多晶硅层的半导体结构及其应用的显示面板205&CN.8&半导体元件和在其中形成多晶硅层的制造方法206&CN.6&制造多晶硅薄膜的方法和使用该多晶硅的薄膜晶体管207&CN.1&无粉尘且无微孔的高纯度粒状多晶硅208&CN.0&形成多晶硅锗层的方法209&CN.8&用于制造垂直DRAM中的钨/多晶硅字线结构的方法及由此制造的器件210&CN.1&多晶硅化金属栅极结构及其制造方法211&CN.1&制备具有W/WN/多晶硅分层薄膜的半导体器件的方法212&CN.9&低温多晶硅薄膜电晶体基板及其制作方法213&CN&多晶硅层的制作方法214&CN&由多晶硅装料制备熔化的硅熔体的方法和装置215&CN&采用多晶硅栅和金属栅器件的半导体芯片216&CN&在双金属/多晶硅氧化物氮化物氧化物硅阵列中的联结及选取步骤217&CN&制造具有低温多晶硅的顶栅型薄膜晶体管的方法218&CN&用于动态阈值电压控制的多晶硅背栅SOI&MOSFET219&CN&形成多晶硅层以及制作多晶硅薄膜晶体管的方法220&CN&用于薄膜晶体管的多晶硅薄膜和使用该多晶硅薄膜的器件221&CN&多晶硅的蚀刻方法222&CN&形成多晶硅层的方法以及制造多晶硅薄膜晶体管的方法223&CN&多晶硅薄膜结晶品质的检测装置及其检测与控制方法224&CN&多晶硅层的制作方法225&CN&利用准分子激光退火工艺制作多晶硅薄膜的方法226&CN.X&多晶硅薄膜的晶粒尺寸的控制及其检测方法227&CN&多晶硅自行对准接触插塞与多晶硅共享源极线及制作方法228&CN&一种四氯化硅、多晶硅和石英玻璃的联合制备法229&CN&一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法230&CN.X&多晶硅薄膜晶体管阵列板及其制造方法231&CN.5&多晶硅薄膜、其制法以及用该膜制造的薄膜晶体管232&CN&内嵌单层多晶硅非易失性存储器的集成电路233&CN&低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法234&CN&具多晶硅射极双极性晶体管的制造方法235&CN.X&用于宽编程的双金属/多晶硅氧化物氮化物氧化物硅存储器单元236&CN&玻璃衬底的预多晶硅被覆237&CN&低温多晶硅薄膜的制造方法及低温多晶硅薄膜晶体管238&CN&低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法239&CN&低温多晶硅薄膜的制造方法240&CN&低温多晶硅薄膜晶体管及其多晶硅层的制造方法241&CN.4&制备多晶硅的方法242&CN.2&一种在陶瓷衬底上沉积大晶粒多晶硅薄膜的方法243&CN.5&多晶硅的定向生长方法244&CN.7&陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳能电池245&CN&光及电可编程硅化多晶硅熔丝器件246&CN&将非晶硅转换为多晶硅的方法247&CN&具厚膜多晶硅的静电放电防护元件、电子装置及制造方法248&CN&低温多晶硅薄膜电晶体的结构249&CN&利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法250&CN&利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法251&CN.8&多晶硅薄膜的制造方法252&CN.0&一种多晶硅栅刻蚀终点的检测方法及检测装置253&CN.3&减少在氮离子注入时产生多晶硅化金属空洞的方法254&CN.1&由P+或者N+掺杂多晶硅形成其传输门电路的图像传感器像素255&CN.6&光电二极管上设有多晶硅层的图像传感器及像素256&CN.4&一种用于制备多晶硅绒面的酸腐蚀溶液及其使用方法257&CN.1&多晶硅薄膜晶体管的制作方法258&CN.1&多晶硅薄膜残余应变的在线检测结构及检测方法259&CN.4&低温多晶硅显示装置及其制作方法260&CN.6&一种抑制多晶硅针孔的多晶硅层缓冲局部场氧化硅结构工艺方法261&CN.7&多晶硅液晶显示器件的制造方法262&CN.8&具有多晶硅层的薄膜晶体管、制造方法及平板显示器263&CN.X&具有高性能集成电路多晶硅凝集熔消组件的互补金属氧化物半导体的工艺264&CN.1&以连续式侧向固化法形成多晶硅膜的方法及其光罩图案265&CN.2&电热致动多晶硅柔性铰支承杠杆式微夹钳266&CN.0&多晶硅的生产装置267&CN.7&形成具高电阻值的多晶硅薄膜的方法268&CN.X&利用双镶嵌工艺来制造T型多晶硅栅极的方法269&CN.9&利用双镶嵌工艺来形成T型多晶硅栅极的方法270&CN.2&形成T型多晶硅栅极的方法271&CN.7&一种纳米线宽多晶硅栅刻蚀掩膜图形的形成方法272&CN.1&15-50纳米线宽多晶硅栅的刻蚀方法273&CN.1&应用于高效能薄膜晶体管的多晶硅退火结构及其方法274&CN.X&化学机械抛光用于接合多晶硅插拴制造方法及其结构275&CN.4&形成多晶硅的方法和在硅基材料中的MOSFET器件276&CN.7&具有多晶硅插头的半导体器件的制造方法277&CN.4&制造双层多晶硅存储器元件的方法278&CN&形成多晶硅结构279&CN.0&在半导体装置中形成多晶硅层的方法280&CN.2&制备多晶硅薄膜的方法以及用其制备半导体器件的方法281&CN.7&制造双层多晶硅可改写非挥发性存储器的方法282&CN.3&低温多晶硅薄膜晶体管及其通道层的制造方法283&CN.9&低温多晶硅薄膜晶体管全集成有源选址基板及制备方法284&CN.X&低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法285&CN.8&多晶硅细脉熔丝286&CN.0&一种制备多晶硅的方法287&CN.8&制造内层多晶硅介电层的方法288&CN.7&多晶化方法、制造多晶硅薄膜晶体管的方法及用于该方法的激光辐照装置289&CN.0&形成具有粗糙表面的多晶硅的方法290&CN.8&多晶硅薄膜晶体管制造方法291&CN.7&改善栅极多晶硅层电阻值的方法292&CN.1&多晶硅薄膜晶体管的形成方法293&CN.X&彩色多晶硅微粒及其制备方法294&CN.7&平坦多晶硅薄膜晶体管的制作方法295&CN.X&闪存储器用的多层叠层多晶硅栅的平整方法296&CN.9&激光退火多晶硅薄膜晶体管栅绝缘层的制备方法297&CN.2&具有多晶硅层的显示面板及其制造方法298&CN.1&多晶硅薄膜晶体管离子感测装置与制作方法299&CN.7&用于多晶硅制作的辅助激光结晶的方法300&CN.0&形成多晶硅薄膜的方法，包含多晶硅薄膜的薄膜晶体管及其制造方法301&CN.5&浸沾法金属诱导碟形晶畴多晶硅薄膜材料及制备和应用302&CN.X&多晶硅化学机械研磨法来增进栅极微影能力的方法303&CN.3&带有掺杂多晶硅场发射阴极阵列结构的平板显示器及其制作工艺304&CN.X&溶液法金属诱导晶化大晶粒多晶硅薄膜材料及制备和应用305&CN.3&低温多晶硅薄膜晶体管显示面板及其制造方法306&CN.X&硅薄膜退火方法和由该方法制造的多晶硅薄膜307&CN.0&薄膜晶体管与多晶硅层的制造方法308&CN.8&一种制备太阳能级多晶硅的方法309&CN.2&具有多晶硅浮动隔离层的镜像存储单元晶体管对310&CN.3&激光辐射方法和形成多晶硅薄膜的装置311&CN.1&有机发光二极管显示面板及其多晶硅通道层的形成方法312&CN.4&具有单层多晶硅的镜像非易失性存储器单元晶体管对313&CN.1&单层多晶硅电可擦可编程只读存储器314&CN.3&一种多晶硅生产过程中的副产物的综合利用方法315&CN.2&一种改善线条粗糙度的多晶硅刻蚀方法316&CN.0&一种多晶硅刻蚀工艺中的颗粒控制方法317&CN.X&一种能够消除残气影响的多晶硅刻蚀工艺318&CN.6&一种提高各向异性的多晶硅脉冲刻蚀工艺319&CN.9&一种减少颗粒产生的多晶硅栅极刻蚀工艺320&CN.8&一种能够防止器件等离子体损伤的多晶硅刻蚀工艺321&CN.1&具有平坦表面的多晶硅薄膜及其制造方法322&CN.3&一种多晶硅振动膜硅微电容传声器芯片及其制备方法323&CN.4&精密多晶硅电阻器工艺324&CN.X&用于减小多晶硅高度的SOI底部预掺杂合并e-SiGe325&CN.3&多晶硅-绝缘层-多晶硅电容和高阻多晶硅器件及制作方法326&CN.8&用于沉积多晶硅的CVD装置327&CN.2&一种多晶硅刻蚀中的干法清洗工艺328&CN.6&多晶硅薄膜制造方法和具有其的薄膜晶体管的制造方法329&CN.5&一种去除多晶硅刻蚀工艺中残留聚合物的方法330&CN.0&一种防止多晶硅刻蚀中器件等离子损伤的刻蚀工艺331&CN.X&降低多晶耗尽效应的制作多晶硅栅极晶体管的方法332&CN.X&双胆碱和三胆碱在涂石英多晶硅和其它材料清洁中的用法333&CN.4&一种太阳能电池用高纯多晶硅的制备方法和装置334&CN.3&一种生产多晶硅用的还原炉335&CN.8&限定多晶硅图案的方法336&CN.0&激光薄膜多晶硅退火光学系统337&CN.5&激光薄膜多晶硅退火系统338&CN.5&单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭隔热屏的制备方法339&CN.X&单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭加热器的制备方法340&CN.2&多晶硅的制造方法341&CN.9&多晶硅栅极掺杂方法342&CN.7&多晶硅薄膜晶体管液晶显示面板及其制造方法343&CN.9&用于连续横向固化技术的掩膜及用其形成多晶硅层的方法344&CN.5&具有低掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法345&CN.7&薄膜晶体管的制造方法与修补多晶硅膜层之缺陷的方法346&CN.8&用于在衬底上淀积多晶硅层的装置347&CN.5&用于多晶硅低温结晶化的金属催化剂掺杂装置及通过该装置进行掺杂的方法348&CN.6&高压水气退火的多晶硅薄膜晶体管组件的制作方法349&CN.X&铸模及其形成方法,和采用此铸模的多晶硅基板的制造方法350&CN.7&形成多晶硅薄膜的方法及用该方法制造薄膜晶体管的方法351&CN.4&低温多晶硅液晶显示结构及其制造方法352&CN.2&形成多晶硅薄膜的方法353&CN.9&薄膜晶体管及低温多晶硅薄膜晶体管之多晶硅层的制造方法354&CN.8&P型太阳能电池等级多晶硅制备工艺355&CN.7&一种用稻壳制备太阳能电池用多晶硅的方法356&CN.2&采用无氯烷氧基硅烷制备多晶硅的方法357&CN.7&双掺杂多晶硅及锗化硅的蚀刻358&CN.7&利用双多晶硅的位线注入359&CN.7&一种低温多晶硅薄膜器件及其制造方法与设备360&CN.0&用于应变硅MOS晶体管的多晶硅栅极掺杂方法和结构361&CN.5&一种锌还原法生产多晶硅的工艺362&CN.0&一种太阳能级多晶硅的生产方法363&CN.5&直接沉积多晶硅的方法364&CN.4&高压集成电路中制作高阻值多晶硅电阻的方法365&CN.0&适用于有机发光二极管显示器的多晶硅薄膜象素电极366&CN.8&多晶硅/体硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件367&CN.2&多晶硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件368&CN.X&多晶硅板制备方法369&CN.9&多晶硅薄膜、其制法以及用该膜制造的薄膜晶体管370&CN.4&单层多晶硅非易失性存储器装置的操作方法371&CN.5&择优取向的多晶硅薄膜的制备方法372&CN.5&多晶硅太阳能发电并网装置373&CN.3&具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置374&CN.4&使用固体激光器退火的多晶硅薄膜制备半导体器件的方法375&CN.6&低电压单层多晶硅电可擦编程只读存储器(EEPROM)存储单元376&CN.1&叠层储存电容器结构、低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器377&CN.0&一种在集成电路中使用&多晶硅的方法378&CN.2&用于静电放电保护的改善多晶硅-源区边界电场的结构379&CN.0&一种多晶硅存储元件及其制备方法380&CN.1&多晶硅炉的喷嘴381&CN.6&多晶硅薄膜的制作方法382&CN.2&多晶硅层、制造其的方法和平板显示器383&CN.7&多晶硅层、使用其的平板显示器及其制造方法384&CN.7&多晶硅太阳电池绒面的制备方法385&CN.3&形成多晶硅薄膜的方法386&CN.4&一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟387&CN.0&具有金属和多晶硅栅电极的高性能电路及其制造方法388&CN.2&一种掺杂锗的定向凝固铸造多晶硅389&CN.2&利用浮动和/或偏置多晶硅区域的静电保护系统和方法390&CN.6&表面修饰溶液诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法391&CN.7&多晶硅横向结晶方法以及应用其制造的多晶硅薄膜晶体管392&CN.3&具有发射极多晶硅源/漏区的EEPROM单元的制造393&CN.X&多晶硅层以及薄膜晶体管的制造方法394&CN.0&供高温力学量传感器用的纳米多晶硅-氮化铝隔膜-硅单晶衬底基片395&CN.5&生成低电阻自对准多晶硅化物栅极和台面接触区MOSFET器件的结构和方法396&CN.9&多晶硅膜的制造方法以及薄膜晶体管的制造方法397&CN.2&一种利用多晶硅构建ESD泄放通道的防护电路398&CN.6&形成多晶硅薄膜装置的方法399&CN.6&将非晶硅结晶成多晶硅的方法及使用于此方法之光刻掩膜400&CN.0&一种单一内嵌多晶硅存储结构及其操作方法401&CN.0&利用纵向多晶硅增加静电泄放通道的静电放电防护器件402&CN.7&多晶硅的除硼方法403&CN.4&用于增加多晶硅熔化速率的间歇式加料技术404&CN.X&一种太阳能多晶硅原料提纯制备方法405&CN.0&通过自对准形成多晶硅浮栅结构的方法406&CN.6&蘸取式多晶硅太阳能电池p-n结的制作方法407&CN.2&多晶硅晶棒的制造方法408&CN.2&低温直接沉积多晶硅薄膜晶体管及其制造方法409&CN.X&低温多晶硅薄膜晶体管结构及其制造方法410&CN.6&多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制造方法411&CN.6&用于制造单晶或多晶材料、尤其是多晶硅的装置和方法412&CN.2&用于显示影像的系统及低温多晶硅的激光退火方法413&CN.8&一种单层多晶硅、多位的非易失性存储元件及其制造方法414&CN.6&用单层多晶硅工艺形成高薄层电阻量电阻器和高电容量电容器415&CN.4&在金属和多晶硅化学机械研磨中减少大图案凹陷的方法416&CN.9&多晶硅锭制造装置417&CN.2&尤其在闪存中用于刻蚀多晶硅上钨硅化物的方法418&CN.X&利用多晶硅区的I/O&ESD保护的系统和方法419&CN.6&一种多晶硅的提纯方法及其凝固装置420&CN.0&太阳能级多晶硅大锭的制备方法421&CN.7&高效太阳能电池用微晶多晶硅片无切割制备方法422&CN.9&多晶硅层及其制造方法423&CN.6&制作多晶硅薄膜的方法424&CN.3&低温多晶硅驱动电路425&CN.4&多晶硅铸锭炉的热场结构426&CN.6&用于产生结晶方向受控的多晶硅膜的系统和方法427&CN.4&多晶硅图案形成方法、多层交叉点电阻存储器及制造方法428&CN.4&多晶硅薄膜晶体管及其制造方法429&CN.2&多晶硅刻蚀腔体430&CN.0&单层多晶硅可电除可程序只读存储单元的制造方法431&CN.3&用于使低温多晶硅薄膜面板平面化的多晶硅平面化溶液432&CN.4&多晶硅原料低能耗提纯制备方法433&CN.5&一种太阳能电池用多晶硅制造方法434&CN.0&有源驱动有机电致发光显示屏中多晶硅TFT阵列的制作方法435&CN.9&超厚多晶硅回刻的方法436&CN.3&多晶硅控制的回蚀刻显示器437&CN.4&一种转化四氯化硅制取三氯氢硅和多晶硅的方法438&CN.9&太阳能等级多晶硅的制备方法439&CN.4&在流化床反应器中制备颗粒状多晶硅的方法和装置440&CN.0&以高纯石英砂为原料生产太阳能级多晶硅的方法441&CN.9&多晶硅片水基清洗剂442&CN.1&用于多晶硅铸锭工艺的石墨加热器443&CN.9&具有多晶硅浮置隔片的镜像存储单元晶体管对的制造方法444&CN&制造低温多晶硅晶体管的多晶硅的组合设备工具445&CN.6&多晶硅薄膜晶体管离子注入机446&CN.X&多晶硅氢还原炉447&CN&非晶硅（多晶硅）家用小型太阳能发、用电装置448&CN.8&多晶硅氢还原炉449&CN.8&低温多晶硅薄膜晶体管450&CN.8&低温多晶硅薄膜晶体管451&CN.5&低温多晶硅薄膜晶体管基板452&CN.5&低温多晶硅显示装置453&CN.9&MTV播放器低温多晶硅显示装置454&CN.1&多晶硅太阳能发电并网装置455&CN.0&一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟456&CN.9&多晶硅冶炼用调压变压器457&CN.4&制备多晶硅用铸锭炉458&CN.6&多晶硅定向凝固下拉晶体生长的重心驱动传动机构
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