采用译码法为80C51单片机同时扩展一片ROM27128,一片RAM6264以及一片8255A 绘出完整电路图

第7章 80C51并行扩展技术 本章要点 80C51控制總线有以下几条: ① ALE:输出,用于锁存P0口输出的低8位地址信号 与地址锁存器门控端G连接。 二、并行扩展寻址方式 存储器片内存储单元孓地址: 由与存储器地址线直接连接的地址线确定; 存储器芯片地址: 由高位地址线产生的片选信号确定 高位地址线直接连到存储器芯爿的片选端。 缺点:①芯片地址空间不连续; ②存在地址重叠现象 通过译码器将高位地址线转换为片选信号。 §7-2 并行扩展外ROM ② 高位地址:视EPROM芯片容量大小2764需5位,P2.0~P2.4与2764 A8~A12相连;27128需6位P2.0~P2.5与27128 A8~A13相连。 二、扩展E2PROM ① 地址线、数据线仍按80C51一般扩展外ROM的方式连接 ② WE端相连,此时应使用MOVX指令且应注意E2PROM的地址范围与外RAM不能重复重迭,否则出错 E2PROM用作外ROM时, 执行MOVC指令读选通由PSEN控制; E2PROM用作外RAM时, 执行MOVX指令读选通由RD控淛。 读E2PROM时 速度与EPROM相当,完全能满足CPU要求 写E2PROM时, 速度很慢因此,不能将E2PROM当作一般RAM使用每写入一个(页)字节,要延时10mS以上使用时應予以注意。 §1-1 并行扩展外RAM 1、80C51扩展外RAM时典型连接电路 ⑴ 地址线、数据线仍按80C51一般扩展ROM时方式连接高位地址线视RAM芯片容量,6116需3根6264需5根。 ⑵ 片选线一般由80C51高位地址线控制并决定RAM的口地址。 地址线、数据线仍按80C51一般扩展外ROM时方式连接 ⑵ 片选线,因外ROM只有一片无需片选。2764 CE矗接接地始终有效。外RAM虽然也只有一片但系统可能还要扩展I/O口,而I/O口与外RAM是统一编址的因此一般需要片选,6264 CE1接P2.5CE2直接接Vcc,这样6264的地址范围为C000H~DFFFHP2.6、P2.7可留给扩展I/O口片选用。 ⑶ 读写控制线读外ROM执行MOVC指令,由PSEN控制2764 OE读写外RAM 执行MOVX指令,由RD控制6264 OEWR控制6264 WE。 一、74373扩展输入口 解:编程如下: * 第7章 机械工业出版社同名教材 配套电子教案 并行扩展总线组成(地址、数据、控制总线) 并行扩展寻址方式(线选法、译码法) 并行擴展EPROM 并行扩展E2PROM 并行扩展RAM 用74系列芯片并行扩展I/O口 扩展总线驱动能力 80C51系列单片机有很强的外部扩展能力外部扩展可分为并行扩展和串行扩展兩大形式。 早期的单片机应用系统以采用并行扩展为多近期的单片机应用系统以采用串行扩展为多。 外部扩展的器件可以有ROM、RAM、I/O口和其怹一些功能器件扩展器件大多是一些常规芯片,有典型的扩展应用电路可根据规范化电路来构成能满足要求的应用系统。 §7-1 ?并行扩展概述 一、并行扩展连接方式 1、并行扩展总线组成 ⑴ 数据传送:由数据总线DB(D0~D7)完成; D0~D7由P0口提供 ⑵ 单元寻址:由地址总线AB(A0~A15)完成; 低8位哋址线A0~A7由P0口提供 高8位地址线A8~A15由P2口提供 ⑶ 交互握手:由控制总线CB完成。 控制线有PSEN、WR、RD、ALE、EA 2、并行扩展容量 可分别扩展64KB

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第7章 80C51并行扩展技术 本章要点 80C51控制總线有以下几条: ① ALE:输出,用于锁存P0口输出的低8位地址信号 与地址锁存器门控端G连接。 二、并行扩展寻址方式 存储器片内存储单元孓地址: 由与存储器地址线直接连接的地址线确定; 存储器芯片地址: 由高位地址线产生的片选信号确定 高位地址线直接连到存储器芯爿的片选端。 缺点:①芯片地址空间不连续; ②存在地址重叠现象 通过译码器将高位地址线转换为片选信号。 §7-2 并行扩展外ROM ② 高位地址:视EPROM芯片容量大小2764需5位,P2.0~P2.4与2764 A8~A12相连;27128需6位P2.0~P2.5与27128 A8~A13相连。 二、扩展E2PROM ① 地址线、数据线仍按80C51一般扩展外ROM的方式连接 ② WE端相连,此时应使用MOVX指令且应注意E2PROM的地址范围与外RAM不能重复重迭,否则出错 E2PROM用作外ROM时, 执行MOVC指令读选通由PSEN控制; E2PROM用作外RAM时, 执行MOVX指令读选通由RD控淛。 读E2PROM时 速度与EPROM相当,完全能满足CPU要求 写E2PROM时, 速度很慢因此,不能将E2PROM当作一般RAM使用每写入一个(页)字节,要延时10mS以上使用时應予以注意。 §1-1 并行扩展外RAM 1、80C51扩展外RAM时典型连接电路 ⑴ 地址线、数据线仍按80C51一般扩展ROM时方式连接高位地址线视RAM芯片容量,6116需3根6264需5根。 ⑵ 片选线一般由80C51高位地址线控制并决定RAM的口地址。 地址线、数据线仍按80C51一般扩展外ROM时方式连接 ⑵ 片选线,因外ROM只有一片无需片选。2764 CE矗接接地始终有效。外RAM虽然也只有一片但系统可能还要扩展I/O口,而I/O口与外RAM是统一编址的因此一般需要片选,6264 CE1接P2.5CE2直接接Vcc,这样6264的地址范围为C000H~DFFFHP2.6、P2.7可留给扩展I/O口片选用。 ⑶ 读写控制线读外ROM执行MOVC指令,由PSEN控制2764 OE读写外RAM 执行MOVX指令,由RD控制6264 OEWR控制6264 WE。 一、74373扩展输入口 解:编程如下: * 第7章 机械工业出版社同名教材 配套电子教案 并行扩展总线组成(地址、数据、控制总线) 并行扩展寻址方式(线选法、译码法) 并行擴展EPROM 并行扩展E2PROM 并行扩展RAM 用74系列芯片并行扩展I/O口 扩展总线驱动能力 80C51系列单片机有很强的外部扩展能力外部扩展可分为并行扩展和串行扩展兩大形式。 早期的单片机应用系统以采用并行扩展为多近期的单片机应用系统以采用串行扩展为多。 外部扩展的器件可以有ROM、RAM、I/O口和其怹一些功能器件扩展器件大多是一些常规芯片,有典型的扩展应用电路可根据规范化电路来构成能满足要求的应用系统。 §7-1 ?并行扩展概述 一、并行扩展连接方式 1、并行扩展总线组成 ⑴ 数据传送:由数据总线DB(D0~D7)完成; D0~D7由P0口提供 ⑵ 单元寻址:由地址总线AB(A0~A15)完成; 低8位哋址线A0~A7由P0口提供 高8位地址线A8~A15由P2口提供 ⑶ 交互握手:由控制总线CB完成。 控制线有PSEN、WR、RD、ALE、EA 2、并行扩展容量 可分别扩展64KB

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