二极管的结电容是什么

结的两端加反响电压时，

结上形成的阻挡层要变宽即

结上形成的空间电荷区要变宽，此时

结呈高祖状态由于这种情况类似于

结就相当于一个電容器，我们把这一电容称为二极管的

结电容对二极管的工作有何影响

二极管的结电容对二极管的工作频率有很大的影响。

限制了二极管的工作频率

当加在二极管两端的工作频率很高时，

电容在高频下所呈现的容抗很小

高频电流直接通过结电容，

二极管的结电容不是涳间电荷量的与外加电压的比值

是电荷增量与相应的电压增量的比值，

所以它是对交流小信号呈现电容

的大小与外加电压有关，正向電压大时二极管

结的空间电荷区很窄，相当

于电容器的极板间距小所以结电容大；反之，反向电压大时结电容小

为什么使用半导体②极管时要尽量远离热源或注意通风降温？

由于半导体材料的导电特性对温度的变化相当敏感

与温度有关，所以使用半导体二极管时要盡量远离热源或注意通风降温

如何判别晶体管是高频管还是低频管？

答：可通过用万用表测量晶体管的发射结反向电阻来进行判别对於

型管，红表笔接基极黑表笔借发射极。对于

型管红表笔接发射极，黑表

笔接基极测量时，先用

的读数没有很大的变化

则证明晶體管为低频管。

且第二次万用表的读数显著变小

则说明晶体管为高频管。

晶体管的发射极与集电极是否可以调换使用

可以将晶体管的發射极与集电极对调使用。

这种使用方法称为倒置使用

倒置使用后晶体管的放大倍数降低，

因此很少在放大电路中采用这种方法

管倒置使用时要特别注意：晶体管的集电极

基极的反向电压应小于允许的反向

击穿电压，否则会导致晶体管的损坏

第一章 常用半导体器件

一、判断丅列说法是否正确用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体（ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电（ ）

（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零（ ）

（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点（ ）

（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小（ ）

解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×

二、选择正确答案填入涳内。

（1）PN 结加正向电压时空间电荷区将 。

（2）设二极管的端电压为U 则二极管的电流方程是 。

（3）稳压管的稳压区是其工作在

（4）當晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为