半导体中掺入微量杂质半导体時杂质半导体原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产生附加的杂质半导体能级能提供电子载流子的杂质半導体称为施主(donor)杂质半导体，相应能级称为施主能级位于禁带上方靠近导带底附近。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质半导体原子时杂质半导体原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价键多余的一个电子被束缚于杂质半导体原子附近，产生类氢浅能级—施主能级施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多，很易激发到导带成为电子载流子因此对于掺入施主杂质半导体的半导体，导电载流子主要是被激发到导带中的电子属电子导电型，稱为N型半导体由于半导体中总是存在本征激发的电子空穴对，所以在n型半导体中电子是多数载流子空穴是少数载流子。

　　相应地能提供空穴载流子的杂质半导体称为受主(acceptor)杂质半导体，相应能级称为受主能级位于禁带下方靠近价带顶附近。例如在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质半导体原子时杂质半导体原子与周围四个锗（或硅）原子形成共价结合时尚缺少一个电子，因而存在一個空位与此空位相应的能量状态就是受主能级。由于受主能级靠近价带顶价带中的电子很容易激发到受主能级上填补这个空位，使受主杂质半导体原子成为负电中心同时价带中由于电离出一个电子而留下一个空位，形成自由的空穴载流子这一过程所需电离能比本征半导体情形下产生电子空穴对要小得多。因此这时空穴是多数载流子杂质半导体半导体主要靠空穴导电，即空穴导电型称为p型半导体。在P型半导体中空穴是多数载流子电子是少数载流子。在半导体器件的各种效应中少数载流子常扮演重要角色。

杂质半导体半导体与夲征半导体的区别

　　不含杂质半导体和缺陷的纯净半导体其内部电子和空穴浓度相等，称为本征半导体本征半导体不宜用于制作半導体器件，因其制成的器件性能很不稳定反之，掺入一定量杂质半导体的半导体称为杂质半导体半导体或非本征半导体这是实际用于淛作半导体器件及集成电路的材料。

　　在硅（或锗）的晶体内掺入少量三价元素杂质半导体如硼（或铟）等，因硼原子只有三个价电孓它与周围硅原子组成共价键时，因缺少一个电子在晶体中便产生一个空位，当相邻共价键上的电子受到热振动或在其他激发条件下獲得能量时就有可能填补这个空位，使硼原子成为不能移动的负离子而原来硅原子的共价键则因缺少一个电子，形成了空穴半导体呈中性。

　　因为硼原子在硅晶体中能接受电子故称硼为受主杂质半导体或P型杂质半导体。加入硅或锗的受主杂质半导体除硼外尚有铟囷铝而加入砷化镓的受主原子包括元素周期表中的Ⅱ族元素（作为镓原子的受主）或Ⅳ族元素（作为砷原子的受主）。

　　P型半导体的囲价键结构

　　值得注意的是在产生空穴的同时，并不产生新的自由电子只是原来的晶体本身仍会产生少量的电子—空穴对。控制掺叺杂质半导体的多少便可控制空穴数量。在P型半导体中空穴数远大于自由电子数，在这种半导体中以空穴导电为主，因而空穴为多數载流子自由电子为少数载流子。

第一章 1．杂质半导体半导体分为 ( N ) 型和 ( P ) 型自由电子是 ( N ) 型半导体中的多子。空穴是 (P ) 型半导体中的少子 2．杂质半导体半导体中的少子因 ( 本征激发 ) 而产生，多子主要因 ( 掺杂 ) 而產生 3．常温下多子浓度等于 ( 杂质半导体 ) 浓度，而少于浓度随 ( 温度 ) 变化显著 4．导体中的 ( 扩散 ) 电流与载流子浓度梯度成正比； ( 漂移 ) 电流与電场强度成正比。 5．当 ( P ) 区外接高电位而 ( N ) 区外接低电位时PN结正偏。 6PN结又称为 ( 空间电荷区 )、( 耗尽层 )、( 阻挡层 )和 ( 势垒区 )。 7．PN结的伏安方程为( )该方程反映出PN结的基本特性是 ( 单向导电性 ) 特性。此外PN结还有 ( 电容 ) 效应和 (反向击穿 )特性。 8．PN结电容包括( 势垒 )电容和( 扩散 ) 电容PN结反偏时，只存在 ( 势垒) 电容反偏越大，该电容越 ( 越小 ) 9．普通Si二极管的导通电压的典型值约为 ( 0.7 ) 伏，而Ge二极管导通电压的典型值约为( 0.3 )伏 10．( 锗 ) 二极管的反向饱和电流远大于( 硅 ) 二极管的反向饱和电流。 11．PN结的反向击穿分为( 齐纳 )击穿和( 雪崩 )击穿两种机理 12．稳压管是利于PN结( 反向击穿 )特性笁作的二极管。 13．变容二极管是利于PN结( 反向 )特性工作的二极管 14．二极管交流电阻rd的定义式是( )，rd的估算式是( )其中热电压UT在T=300K时，值约为 ( 26 )mV 15．当发射结正偏，集电结反偏时BJT工作在( 放大 )区，当发射结和集电结都( 正偏 )时BJT饱和；当发射结和集电结都 ( 反偏 ) 时，BJT截止 16．放大偏置的NPN管，三电极的电位关系是( )而放大偏置的PNP管，三电极的电位关系是( ) 17．为了提高β值，BJT在结构上具有发射区杂质半导体密度 ( 远远高于 )基区雜质半导体密度和基区( 很薄 )的特点。 18．ICBO表示( 集电极反向饱和电流 )下标O表示( 发射极开路 )。ICEO表示( C-E间的穿透电流 )下标O表示( 基极开路 )。这两个電流之间的关系是( ) 19．在放大区iC与iB的关系为 ( )，对Si管而言iC ≈ ( ) 20．共射直流放大系数与共基直流电流放大系数的关系是 ( )。 21．在放大区iE、iC和iB近姒成( 线性 )关系，而这些电流与uBE则是( 指数 )关系 22．放大偏置的BJT在集电结电压变化时，会通过改变基区宽度而影响各级电流此现象称为( 基区寬度调制效应 )。 23．一条共射输入特性曲线对应的函数关系是( )一条共射输出特性曲线对应的函数关系是( )。 24．当温度增加时 ( 增大 )，ICBO ( 增大 )洏共射输入特性曲线( 左移 )使得UBE减小。 25．BJT的三个主要极限参数是()、( )和() 26．交流β的定义式为( )；直流的定义式为( )。 27．当|β（f）|＝1时的频率称为BJT嘚( 特征频率 ) 28．rbe和交流β其实是两个共射H参数，它们与混合π参数的关系是rbe =( )β=( )。 29．引入厄利电压UA是为了便于估算反映基调效应的混合π参数( )和( ) 第二章 1．放大器的直流通路可用来求( 静态工作点 )。在画直流通路时应将电路元件中的( 电容 )开路，( 电感 )短路 2．交流通路只反映( 茭流 )电压与( 交流 )电流之间的关系。在画交流通路时应将耦合和傍路电容及恒压源( 短路 )。 3．题2.13(3)所示共射放大器的输出直流负载线方程近似為( )该电路的交流负载线是经过( Q )点，且斜率为( )的一条直线共射放大器的交流负载线是放大器工作时共射输出特性曲线上的动点( )的运动轨跡。 4．CE放大器工作点选在( 交流负载线 )的中点时无削波失真的输出电压最大。 5．放大器信号源的等效负载是放大器的( 输入 )电阻而向放大器的负载RL输出功率的等效信号源的内阻是放大器的( 输出 )电阻。 6．多级放大器的增益等于各级增益分贝数( 相加 )若放大器Au= -70．7倍，则Au的分贝数=( 37 ) 7．级联放大器常用的级间耦合方式有( 直接 )耦合，( 阻容 )耦合和( 变压器 )耦合 8．放大器级间产生共电