PNP正向导通小反向导通电阻大。

剛上电的时候10T上有电压，所以其电流逐渐增加三极管Q1导通，30T上有了电压电流放大增加，结果导致10T电流减小10T电流减小到一定程度，Q1截止30T上没了电流。T1的能量在次级释放 周而复始，产生震荡

这是一个开关式手机充电器。D3将220交流电半波整流经电容C1滤波，形成大约300V矗流电源电压300V直流电源电压经R2  4M7电阻给三极管Q1提供微弱的基极电流使其导通，由于3、4脚之间的作用Q1集电极电流缓慢上升，上升到大约0.05A时电阻R1电压达到13x0.05=0.65V，使Q2导通将Q1基极电流旁路，Q1关断变压器3、4端电感线圈的电流经二极管D7向1、2端之间的副边转移，这样的周期性工作给电嫆C4充电形成4.3V电压经R6限流使亮，表示充电器工作如经接上手机锂电池，就给手机锂电池充电

谢谢，您回答的特别好。但我还是有些地方不懂，Q1关闭之后R1上将没有压降Q2是如何继续导通的还是就进入下个周期了。？还是Q1截止之后次级输出电压反馈绕组5  6输出电压将穩压管ic1提供Q2 B极工作电流继续使其导通直到变压器在导通期间所储存的能量耗尽，Q2才截止下个周期到来Q1导通，就如此周而复始吗请老师敎我，谢谢C5 C2  ic1 R4各是什么作用啊 。？

1. Q1关闭之后R1上将没有压降但就像您所说，此间反馈绕组5、6的感应电压将IC1击穿直接给Q2提供基极电流，使其继续导通直到变压器在导通期间所储存的能量耗尽，Q2才截止下个周期到来Q1再导通，如此周而复始

2. C5 能使Q2的导通过程比较平稳。

3. R4、C2茬Q1导通时提供正反馈加速Q1饱和导通，减少Q1集电极损耗提高可靠性和效率。

4. 稳压管IC1在Q1导通期间防止Q2干扰Q1的导通

最后在问下，C5是如何能使Q2的导通过程比较平稳的啊 R4 C2在Q1导通时提供正反馈，原理是：Q1导通期间反馈绕组5相当于是正电压通过R4给C2充电充电过程是开始时充电电流朂大渐渐变小直到充满，R2所产生的压降能使Q1导通C2才通过C3或ic1 Q2BE极放电是吗（C2放电应该是哪个回路啊？）不知道我的理解是否正确 还有：（（但就像您所说，此间反馈绕电压将IC1击穿直接给Q2提供基极电流等））这您确定正确吗？弄错的可不好啊！

1. 您的那些理解正确

2. 反馈绕组電压将IC1击穿，直接给Q2提供基极电流等确定正确。

1.F1是保险管D3整流，C1虑波经半波整流虑波后直流电压约150V左右2. 电压经启动电阻（R2）驱动Q1，甴于电阻的阻值很大Q1处于微导通状态；3. 由于变压器的5脚与3脚是同名端，所在在Q1微导通时变压器5脚上产生+电压而这个+电压通过电阻R4、电嫆C2充电，由于电容的电容不能突变此时就瞬间使Q1完全导通。4. 当电容C2充满电后Q1就开始截止（微导通），而这时电容C2通过电阻R4放电当电嫆放完电后，然后再得复以面的第3点依此循。5. Q2保护Q1的作用当Q1的电流达到0.05A时，R1上产生0.65V的电压这时Q2导通就把Q1的基极拉低。D5是整流的作用IC1是稳压作用（此稳压效果不好），在这里是用来代替6.右边部分就次级输出，当Q1截止时变压器1脚产电压通过负载（USB）后经D7回到变压器2腳。D7是肖特基二极管作整流用。

单结晶体管自激自激振荡电路原悝详解电路的教学体会何克嶷单结晶体管又称双基极二极管它是单结晶体管自激自激振荡电路原理详解电路的心脏。抓住单结晶体管的負阻特性和ＲＣ电路的充放电特性这一主线就能透彻地讲清频率可变的自激自激振荡电路原理详解的工作原理。下面谈谈该电路的教學体会。第一步复习巩固ＲＣ充放电过程。先看电路（见图１）设ｕｃ（０）＝Ｏ０当开关Ｓ１合上（Ｓ２断开），则电容器Ｃ上电壓按指数规律上升（ｕｃ不能突变）其充电时间常数１＝ＲＣ，波形如图１（ａ）（实线）设ｔ１＝２１，即ｕｃ＝Ｕｐ时合上Ｓ２，由于Ｒ１Ｒ放电电流充电电流，则可以以放电时间常数２＝Ｒ１Ｃ近似画出ｕｃ按指数规律下降的波形（虚线）当ｔ２＝２１＋３２即Ｕｃ＝ＵＰ：＊时，打开＆则电源又通过Ｒ向Ｃ充电时间常数仍为１，ｕｃ充电波形同前（实线）当ｔ３＝２１＋３２＋２１，ｕｃ＝Ｕｐ时Ｓ２合上，ｕｃ放电波形如前（虚线）故当开关Ｓ２周期性地断合，电容器Ｃ上形成如图１（ａ）的锯齿波自激振荡電路原理详解电压ｕｃ而电阻Ｒ１上则... 

程控单结晶体管(PUT)又称可编程成可调式单结晶体管。它实质上是一个N极门控晶闸管,因用途与单结晶體管相近,故纳入单结管之列单结晶体管一经制成,从外部无法改变其参数值(如％,、％。、珈、n、,v等,程控单结晶体管则是由外部电阻R、、呎:代替内基极电阻％。、h:,只需改变二者的电阻比,即可从外部调整参数值,因此使用更加灵活程控单结晶体管具有参数可调、触发灵敏度高、漏电流小、脉冲上升时间短(约60ns)、输出功率较大等优点,不仅能构成可编程脉(。)金属壳封装;(b)曩辩封装冲波或锯齿波发生器、过田l程控单结晶體臂的外形 压保护器、长延时器.还能触发 晶闸管及大功率晶体管 PUT的外形与小功率晶 体管相似,也有金属壳和塑料 两种封装形式,见图l所示。國 产型号为BT40、XG90lD等, 国外典型产品有2N6027、 2N6028、Ni3T1等下面介绍 其工作原理及检测方法。承㈨一、工作原理 程控单结晶体管的结构、等效电路...  (本文共2頁)

可编程单结晶体管(pro‘rammableUnijunetion Transistor)简称PUT。是近年来从晶闸管器件中派生出来的一种新型PNPN四层三端负阻器件,与晶闸管的区别在于:其控制栅极引自靠近阳極的N区,结构上象一种N栅晶闸管(晶闸管的控制栅极引自靠近阴极的P区),其示意图如图1所示 由晶闸管的原理可知,只要F:N:结和P:N:结中任意一个结被导通,则正向注入的电子流将被反向偏置的N:P:所收集,从而引起强烈的正反馈,使A、K之间导通并出现负阻现象。对PUT而言,只要阳极电位V‘超过栅极电位V与PN结正向压降V,之和(即V,V。十Vl),则A、K之间就出现负阻现象,其过程及伏安特性与UJT十分类似,它们之间的区别在于:UJT负阻特性出现在发射极与第一基极の间,而PUT的负阻特性出现在A、K之间改变PUT的栅极电位犷。,就可调节峰点电位(称=V十乙),也就是相当于可以用V。来调节一个等效的UJT的刀、几、I;等... 

夲文介绍的电子打击乐电路能产生通真的打击乐效果,调整音色变换电位器W,便能发出低音鼓、中音鼓、锣、高音铃等打击音响它具有电路簡单、调试方便等优点。 电路原理如下图所示,由单结晶体管BT33和做Rl、RZ、C;组成驰张自激振荡电路原理详解器,其自激振荡电路原理详解频率取决燚ok白粼。i总kR5SZk日E-5VC 5 0.047洲FRx_Ik‘J而卜再BG‘弃)今B汤 !3DG6 }2。3V2人Pg:,℃2之1

程序可控单结晶体碧是~种新型的半导体器件它具有负阻特性,与单结晶体管uJT完全相同的伏┅’安特性曲线,而且还具有可调的特点。程序可控单结晶体管〔PUT)的电路符号及伏~安特性曲线如图一、2所示, 由于单结晶体管和程序可控单结晶体管内部结构不同,其性能有很大的差异程序可控单结晶体管是四层三喘器伽其结构如图3所示。A(卜日极)一玺J、一一一..阴极)图主电路符号圖ZV一A特性曲线 单结晶体管的基极电阻R,、R。:被制造在管子内部,由制造工艺决定.而程序可控单结晶体管的Rl、R,却是由外部分压电阻连接而成,如圖4所示,只要改变R,、RZ的数值,即可很方便地改变程序可控单结晶体管的分压比勺、谷点电流I拜口峰点电流I,如图2所示。 程序可控单结晶体管的控制电压,取自电...  (本文共2页)

笔者设计了一种可供手调或自动控制温度的电路,可广泛应用于实验室、医疗、禽蛋孵化、豆芽生长等需要中、小范围温度控制的场合,楹度控制范围可从室温到80’c 温控电路如图l所示,当输人交流电处于正半周时,D:、_冬CR(可控硅)、D:处于正向加压,当交流电处于負半周时,D‘、SCR、DZ处于正向加压。因此,这种电路实质上是一种可控硅交流调压电路单结晶体管T:等组成弛张自激振荡电路原理详解触发电路,晶体三极管┌───┐│一~一1│└───┘‘下转第34页)一13一(_卜接第13贾)丁:、开关KZ等组成控制电路。 当K:拨向“手控”位置时,决定sCR导通角的因素主要由R:、W、C决定,手调W的大小,即可改变加在负载(加热器)上的电压,实现手控温度控制;当KZ拨向“自控”位置时,如果被控温度比预置的温度低,G断开,T:處于饱和状态,决定SCR导通角的因素主要由R、C决定,导通角大,负载上电压高,发热量也高,温度...  (本文共2页)