很多工程师都知道开关怎样绕制電源变压器器在绕线时在原边绕组和副边绕组之间加一个绕组并接地可以起到屏蔽作用但到底是怎么样一个机理？有些工程师并没有很恏的理解下面就随小编来看看吧。

Mosfet/Diode到散热片的杂散电容Cm/Cd；及散热片到地的杂散电容Ce等途径而耦合到LISN被取样电阻所俘获

在不加屏蔽的情況下一般的应对措施是在在Rs的地端和C2的地间接一个Y电容（４７２）。

它的作用是双重的一是为Mosfet动作产生且串到变压器副边的noise 电流（如I4）,提供一个低阻抗的回路，减小到地的电流二是为二次侧Diode产生的且串到变压器原边的noise 电流提供低阻抗回路，从而减小流过LISN的电流

增加屏蔽后是怎么抑制EMI传播的？如下图

这种接法是把C1分成了两个原边对屏蔽，副边对屏蔽各自接地 是的，就是把它分为两个电容在中间点接地。把初级的噪声旁路掉 在初次级增加一块金属板就可以把初次级的电容变成两个。

这样初级的噪声就可以从金属板旁路到地

高频變压器的层间屏蔽的绕法与对比