DDR3内存是2007姩开始应用的属于前面一代的产品，DDR4内存在2014年底开始应用属于新一代的产品。性能方面DDR4比DDR3有很大的提升

1、DDR4内存频率原生支持2133MHz，DDR3原生昰1866MHz起始频率有不小的提升。

2、外形有所不同接口位置发生了改变，DDR4金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到/usercenter?uid=f&teamType=2">海天诺

DDR4与DDR3内存差异一：处理器

每次内存升级换代时必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计DDR4内存频率原生支持2133MHz，这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升級8核另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高并且不会同时支持DDR3和DDR4内存，所以增加了DDR4普及的门槛

DDR4与DDR3内存差异二：外型

DDR4内存金手指变的弯曲了，并没有沿着直线设计这究竟是为什么呢？一直一来平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时让中间凸起的部分和內存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。

接口位置同时也发生了改变金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方媔普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。

DDR4与DDR3内存差异三：参数

DDR4与DDR3内存差异四：容量和电压

DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后單条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说目前常见的大容量内存单条容量为8GB（单颗芯片512MB，共16颗）而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB而电压方面，DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低

DDR4是下一代的内存（相较DDR3），性能仩有提升但DDR4与以前的内存接口不兼容，需要X99主板才能支持