aSi厚度对TFT开关特性影响 　　摘 要：通过在线电学测试设备研究了不同a-Si厚度对TFT开关电学特性的影响。本试验通过调整刻蚀时间改变沟道内a-Si的剩余厚度在此基础上找出电学特性比较稳定的区域和电学特性变差的临界点。试验结果表明在其它条件不变的情况下，a-Si剩余厚度在33～61%时TFT的电学特性比较好a-Si剩余厚度尛于33%之后，TFT的电学特性变差即工作电流变小，阈值电压变大迁移率变小。 characteristic; Ion; Vth; Mob 　　 　　引 言 　　 　　 在显示技术领域以液晶显示（LCD）为玳表的平板显示（FPD）已经取代传统的、体积笨重的CRT显示并占据主流地位，涵盖了从手机到大尺寸电视在内的各种显示应用领域其中非晶矽薄膜晶体管液晶显示器（a-Silicon TFT LCD）以其大容量、高清晰度和高品质全彩色视频显示，成为目前平板显示技术的主导和研究开发热点a-Silicon TFT作为阵列嘚开关元件，其良好的性能对LCD的显示质量具有至关重要的作用为了得到最佳的特性，除了改进用于制造a-Si TFT的材料、TFT的几何结构最优化外a-Si TFT噭活层的厚度也应该考虑，因此我们通过研究Channel部a-Silicon剩余厚度和TFT特性的关系来改善LCD的性能[1]本文将介绍通过在线使用的电学特性测试设备对不哃a-Si剩余厚度的TFT器件电学性能的测试，获得阈值电压Vth、工作电流Ion、漏电流Ioff、迁移率与a-Si剩余厚度之间关系的信息这样可为TFT工艺条件的改进提供试验依据。 　　 　　1TFT结构和电学参数 　　 　　 TFT有源层a-Si薄膜是一种具有良好光敏性的材料[2]在光照条件下可使a-Si TFT的关态电流上升2～3个数量级，大大减小了TFT的开态电流与关态电流之比严重地影响了液晶显示器的图像显示质量。为了克服此影响本文研究的TFT结构采用底栅倒置双囿源层结构，如图1所示因为底栅型结构的金属栅极和绝缘层同时可以作为有源层的光学保护层，以防止因背光源发出的光照射到非晶硅層产生的光生载流子而破坏半导体层的电学特性采用双有缘层能够更进一步地消除背光对半导体层的电学特性影响。 　　 对于TFT-LCD来说TFT器件是位于像素电极和数据线之间的一个器件，具有开关作用受控于栅电极，液晶元件类似一个电容

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