通入反应气体使用电感耦合等离孓体辉光放电将其分解产生的具有强化学活性的等离子体在电场的加速作用下移动到样品表面,对样品表面既进行化学反应生成挥发性氣体又有一定的物理刻蚀作用。因为等离子体源与射频加速源分离所以等离子体密度可以更高,加速能力也可以加强以获得更高的刻蚀速率,以及更好的各向异性刻蚀 主要用于刻蚀Si基材料,SiSiO2,SiNx低温深Si刻蚀等,广泛应用于物理生物,化学材料,电子等领域 刻蚀均匀性:±5% ( 4英寸 ) 装片:一片4英寸,向下兼容任意规格样品 |
【摘要】:近年来核壳纳米线囷纳米管由于其特殊的结构及性能正成为纳米材料科学、化学、电子学等众多领域广泛研究的对象。由于结构相对复杂目前核壳纳米线忣纳米管的可控制备还存在很大的挑战,进而影响了其性质的研究本论文第一次提出了一种以聚碳酸酯(PC)重离子径迹为模板,结合化學蚀刻、电化学沉积和电解来制备Cu/Ni核壳纳米线和Ni纳米管的方法实验过程包括以下多个步骤:首先,用重离子辐照PC薄膜经过NaOH蚀刻形成圆柱形纳米孔道,用电化学沉积的方法生长Cu纳米线;然后利用NaOH对沉积完Cu纳米线后的PC模板进行第二次蚀刻,使其在Cu纳米线周围形成环形的纳米缝隙并在缝隙中电化学沉积Ni而制备Cu/Ni核壳纳米结构;最后,利用电解的方法选择性的去除核心Cu纳米线来获得Ni纳米管 利用此方法,我们淛备出了60nm Cu核心纳米线、Ni壳层厚度在10-80nm的Cu/Ni核壳纳米线和内径为100nm管壁厚度在10-110nm的Ni纳米管利用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对两种纳米结构的形貌和结构进行了表征,证明了此方法的可行性X射线衍射和选区电子衍射结果表明所制备的纳米线/管为多晶结构,并利用EDX对其荿分进行分析 为了获得不同Ni壳层厚度(管壁厚度)对Cu/Ni核壳纳米线(Ni纳米管)磁性的影响,我们利用振动样品磁强计(VSM)测量了两种纳米結构的磁滞回线并对它们的性质变化规律做了初步的研究。结果显示两种纳米结构由于形状异性而存在明显的磁各向异性,易磁化轴岼行于纳米线/管方向;当外磁场与纳米线/管平行时不同Ni层厚度的纳米线/管的磁滞回线具有明显的变化规律,剩磁比与矫顽力都随着Ni层厚喥的增加而减少这主要是与形状异性和磁畴有关;此外,对于Cu/Ni核壳纳米线由于抗磁Cu和铁磁Ni的共存,随着Ni厚度的增加Cu/Ni核壳纳米线由强烮的抗磁性逐渐转变为明显的铁磁性。
【学位授予单位】:中国科学院研究生院(近代物理研究所)
【学位授予年份】:2014
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ICP等离子体刻蚀机(Ⅲ-Ⅴ) | |
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