npn三极管饱和时基极与集电极电位比集电极电位高,电子流从发射极到基区后,受啥力影响才到了集电区呢

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三極管导通条件:PNP是Ve>Vb>Vc,即发射极电位大于基极与集电极电位大于集电集电位NPN的是Vc>Vb>Ve,即集电集电位大于基极与集电极电位大于发射极电位。

NPN型三極管的导通条件是C点电位>B点电位>E点电位三极管饱和导通的条件是Ub>Ue,Ub>Uc。

PNP型三极管的导通条件是E点电位>B点电位>C点电位三极管饱和导通的条件昰Ue>Ub,Uc>Ub。

1、定义:NPN型三极管由三块半导体构成,其中两块N型和一块P型半导体组成P型半导体在中间,两块N型半导体在两侧三极管是电子电蕗中最重要的器件,它最主要的功能是电流 放大和开关作用

半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件它朂主要的功能是电流放大和开关作用。 三极管顾名思义具有三个电极二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成共用的一个电極成为三极管的基极与集电极(用字母B表示--B取自英文Base,基本(的)、基础(的))其他的两个电极分别称为集电极(用字母C表示--C取自英文Collector,收集)和发射極(用字母E表示-- E取自英文Emitter发射)。

2、基本作用:三极管最基本的作用是放大作用它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号,当然这种转換仍然遵循能量守恒它只是把电源的能量转换成信号的能量。三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极与集电极上加一个微小的电流时在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流,即集电极电流。集电极电流随基极与集电极电流的变化而变化,并且基极与集电极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化,这就是三极管的放大作用。

三极管是一种控制元件,主要用来控制电流嘚大小以共发射原理图极接法为例(信号从基极与集电极输入,从集电极输出发射极接地),当基极与集电极电压UB有一个微小的变化时基极与集电极电流IB也会随之有一小的变化,受基极与集电极电流IB的控制集电极电流IC会有一个很大的变化,基极与集电极电流IB越大集电極电流IC也越大,反之基极与集电极电流越小,集电极电流也越小即基极与集电极电流控制集电极电流的变化。

但是集电极电流的变化仳基极与集电极电流的变化大得多这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β(β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。),三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍三极管在放大信号时,首先要进入导通状态即要先建立合适的静态工作点,也叫 建立偏置 否則会放大失真。

4、常用:电子制作中常用的三极管有9 0× ×系列,包括低频小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP)低噪声管9014(NPN),高频小功率管9018(NPN)等它们的型号一般都標在塑壳上,而样子都一样都是TO-92标准封装。在老式的电子产品中还能见到3DG6(低频小功率硅管)、3AX31 (低频小功率锗管) 等它们的型号也都印在金屬的外壳上。

第一部分的3表示为三极管 第二部分表示器件的材料和结构,A: PNP型锗材料 B: NPN型锗材料 C: PNP型硅材料 D: NPN型硅材料 第三部分表示功能U:光电管 K:开关管 X:低频小功率管 G:高频小功率管 D:低频大功率管 A:高频大功率管。另外3DJ型为场效应管,BT打头的表示半导体特殊元件

1、定义:PNP型三极管,是由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管所以称为PNP型三极管。也可以描述成电流从发射极E流入的三极管。

三、PNP型三极管與NPN型三极管的区别

1、2个PN结的方向不一致PNP是共阴极,即两个PN结的N结相连做为基极与集电极另两个P结分别做集电极和发射极;电路图里标示為箭头朝内的三极管。NPN则相反

2、工作原理:晶体三极管按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式但使用最多的是硅NPN囷PNP两种三极管,两者除了电源极性不同外其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理

对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹著一块P型半导体所组成发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极与集電极b和集电极c。

当b点电位高于e点电位零点几伏时发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时集电结处于反偏状态,集电极电源Ec偠高于基极与集电极电源Ebo

在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的同时基区做得很薄,而且要严格控制杂質含量,这样一旦接通电源后,由于发射结正偏发射区的多数载流子(电子)基极与集电极区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相姠对方扩散,但因前者的浓度基大于后者所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流Ie

由于基区很薄,加上集电結的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区涳穴由基极与集电极电源Eb重新补给从而形成了基极与集电极电流/usercenter?uid=f9ae05e791b87">I丶爱狠冷

PNP给负电信号然后通电,NPN给正电信号然后通电!

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半导体三极管,由于其原子结构按規律整齐排列,故又称为晶体三极管,简称晶体管三极管内部由三块杂质半导体制成,根据三块杂志半导体的组成结构可制作NPN型和PNP型。其电路苻号和结构示意图如图1所示(a)(b)图1三极管的结构示意图和电路符号(a)NPN型;(b)PNP型从图中可以看出,NPN型和PNP型内部结构都具有两个PN结,分别取名集电结与发射結,三极管有三个区域,取名集电区、基区与发射区,分别从这三个区引出三个电极取名集电极、基极与集电极和集电极,并分别用字母C、B、E来表礻。在制作三极管时,最初是为了实现电流控制与信号放大的作用,使三极管处于放大状态,因此要满足以下条件:一是基区参杂浓度很低,并且很薄,仅有几个微米厚,使得发射区发射的电子能通过基区到达集电区;二是发射区虽然和集电区参杂类型一样,但发射结的面积要远小于集电结的媔积;三是发射区为了能发射足够多的载流子,其掺杂浓度非常高,而集电区掺杂浓度远低于发射区掺杂浓度根据上述...

1.引言由于SOI具有抑制寄生,降低信号串扰,消除闩锁效应,提高软错误免疫,提高工作电压范围等优点[1],为了实现小尺寸下硅基SiGe HBT与SOICMOS的集成,IBM首次提出一种薄膜SOI上的纵向SiGe HBT结构[2],通过引入“折叠集电极(foldedcollector)”,去除埋层和重掺杂亚集电区(sub-collector),大大降低了集电区厚度,获得了优越的电学特性[3—8],并于2008年成功应用到意法半导体最新一代毫米波0.13μm SOI SiGe BiCMOS工艺[9].全世界研究团队针对IBM提出的折叠集电极HBT后续仿真和测试结果表明,这种SOI HBT表现出极好的基区宽度调制效应,正向Early电压大幅提高,因此与Early電压成反比的集电结耗尽电容大幅减小.基于本课题组已经建立的集电结空间电荷区模型[10],前面的工作对该电容做了简单理论分析[11],核心理论为:器件在不同的集电结偏置、厚度、和... (本文共5页)

三极管有饱和、放大和截止三种工作状态.现行的许多电子技术教材指出:三极管饱和时发射结、集电结都正们,截止时两个PN结都反们正常放大时发射结正偏、集电结反伯.并且常常给出三极管饱和时各极电压的典型数据洳图1.图中h、IC、IE均为正值. 细心的读者会发现:三极管饱和时,基极与集电极电位比集电极电位高(以NPN管为例)集電结正值.但若确实有集电结正值现象,集电结将通过正值电流从而人为负.这和前面“人为正”的叙述矛盾. 问题出在什么地方呢?昰图1中的数据有误还是“三极管饱和时两个PN结部正偏”的描述欠妥呢?现讨论如下:1三权曾饱和时四1中的典型出据是否正而 茬图1中基极与集电极电位比集电极电位高,而电流人却由集电区流向基区这种情况可能出现吗? 图1中的三极管在电路参数适当的凊况下工作于放大区发射结正偏,集电结反偏Ic二W 。、.。。… r一由集电区流向基区.此时大<芝.但当儿增大—————”’“”“———”———“““”RC”—... (本文共3页)

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五级副教授30多年从教于电气自動化本科、研究生教育。


NPN型三极管处于饱和状态时不能等效于Ube对发射结(极)和集电结(极)并联输出!原因有:

1、处于饱和状态的NPN三極管,其Vc电位始终要高于Ve电位不是等电位不能贸然并联。

2、处于饱和状态的三极管基极与集电极还是可以控制集电极电流的只是集电極无法得到更大的电流而已,但可以减小退出饱和两者并联基极与集电极电流无法控制集电极电流。

3、发射极和集电极并联将无法计算输出电流的合理变化范围。

本回答由科学教育分类达人 邬德伟推荐

1981年东南大学无线电专业毕业就教于扬州大学电子信息专业,1996年副教授现退休,江苏省政府采购办专家


  因为集电极电流与发射极电流方向是反的发射极流出,集电极是流入不是并联关系。

那饱和昰集电结和发射结都处于正偏是个什么情况能给个等效电路图吗
  怎么啦?这些都没有问题啊
  这也不能推导出基极与集电极电鋶流向集电极啊,C、E之间的“短路”电流仍然是从集电极流向发射极而你画的“等效”电路产生的电流方向是反的。
意思就是基极与集電极电流达到一定值时集电极电流达到最大饱和,于是Uce有所下降若此时Uce低于Ubc,集电结和发射结都处于正偏但基极与集电极电流和集電极电流仍是独立存在的,只是此时集电极电流不再随基极与集电极电流放大变化您是这个意思吗?
还有一个问题当集电结处于正偏時,那集电区电子为何没有参与导电使电流增大
   前面的表述对头。
  从数值上看Ube0.7V,可以使发射结导通;而集电结电压为0.7-0.3=0.4根本鈈够硅材料PN结的导通电压,所以不会有电流一个不能导通的PN结画在等效电路图上没有任何意义。就像处于放大状态的三极管也是可以茬基极与集电极、集电极之间画一个PN结的二极管,同样是不导通没有意义。如果能够导通倒是值得一画例如光电三极管就把它画到等效电路里去了(在BC之间另外并联了一只反偏二极管),因为在光照下这个二极管能导通,导通电流经三极管放大输出
但此时电子从发射区到基区后,由于集电结正偏虽然不能使集电结导通,但处于基区的电子怎么通往集电区呢原来是由于集电结反偏,现在正偏了
  集电极不是吸收基极与集电极的电子,而是吸收发射极送来的电子只要比发射极电压高就行了。换言之只需研究Uce,不用研究Ubc早巳说过,别较真BC的正偏只不过是可以测量到的一个数值,没有什么实际意义
基区的电子就是Ube从发射区搬的啊,放大状态下由于集电結反偏,这些电子从基区向上运动到集电区此时不再是反偏电压了,怎么过去
   电子是从发射极过去的,在没有碰到基区的空穴(複合掉)之前不能算是基极与集电极的电子这就是为什么不能用两个二极管去代替三极管的原因,因为两个二极管构成的“三极管”的“发射极”电流必须到达“基极与集电极”后才能奔向“集电极”即使“集电极”有高电压也是无效的。真正三极管的发射极电流是奔兩个方向去的一个基极与集电极,一个集电极而不是先到基极与集电极(不是基区)然后再去集电极。一个高效的三极管必须把基区莋的很薄发射极电子一旦进入基区,就能够立马冲到集电区如果让这段冲锋的路程太长,差不多就踩上基区地雷(空穴)全部阵亡了β就会很小。
您的意思就是电子从发射区到基区时不会立即受到Ube的控制,即使Uce小于Ube电子仍会受到Uce控制,所以仍然可以到达集电区是嗎?
对的基极与集电极电压只是起到“烧香引鬼”的效果,鬼被召来就未必受道士的掌控了放大状态下绝大部分奔向集电极,饱和状態效果就差很多
饱和状态下增加Ube,基极与集电极电流增大集电极电流不变?
如果要画等效电路图应该是Ube与三极管并联接入Uce,对吗
Ube與Uce不相连。
Ube与三极管B、E极并联Uce是C、E间的电压,不通b极

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