卡中薄芯片半导体蓝膜碎裂失效機理的研究

摘要：薄／超薄芯片半导体蓝膜的碎裂占据

卡早期失效的一半以上其失

失效机理亟待深入研究。

本文分析了芯片半导体蓝膜誶裂的失效模式和机

卡失效分析实例就硅片减薄、

划片、顶针及卡片成型工艺对薄

芯片半导体蓝膜碎裂的影响进行深入探讨。

芯片半导體蓝膜碎裂是硅器件的一种失效模式约占早期失效总数的

而对于使用薄／超薄芯片半导体蓝膜的

卡，芯片半导体蓝膜碎裂则占其失效总數的一半以

上虽然，通过改进封装设计、限制器件使用环境可以有效地防止芯片半导体蓝膜

碎裂引起的器件失效但即使在良好的设计、

合格的制造工艺以及规范

的使用环境下，依然存在着一定的芯片半导体蓝膜碎裂几率

和系统复杂程度的不断提高，

十分有必要对芯片半导体蓝膜碎裂失效机理加以进一

芯片半导体蓝膜碎裂归根结底是由应力造成的但是其产生的原因随具体情

况而不同：硅片前道工艺中嘚外延层淀积、扩散和离子注入、氧化、退

火、淀积形成欧姆接触、金属内连、钝化层淀积：硅片后道工艺中的机

封装工艺中的划片、上芯、压焊、塑封等都将会产生或影响硅片／芯片半导体蓝膜

的应力。其中减薄、上芯、压焊、塑封是产生芯片半导体蓝膜碎裂隐患的主偠工

序。更为严重的是一般在工艺过程中观察不到碎裂现象，只有经过热

固化或者器件热耗散时的瞬时加热

由芯片半导体蓝膜和封装材料热膨胀系数存在