模拟电子技术 期中考试卷

一、填涳题：（每空1分）
1．晶体管工作在饱和区时发射结 偏；集电结 偏
2．三极管按结构分为_ 和 两种类型，均具有两个PN结即
3.三极管是___________控制器件，场效应管是 控制器件
4.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U
______类型管子其中_____极为集电极。
5．三 极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时三极管的工作状
6．场效应管同 三极管相比其输入电阻_________，热稳定性________
7.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______
8．若 一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向
偏置电压则这个晶体三极管处于__ _________状态。
9.判断图示三极管的工作状态并指出管型。
10将 电流变换成 电流的过程称为整流实现这种功
11.常见的滤波电路有 、 和
12.发光二极管发光时，其工作在
13.根据导电能力来衡量，洎然界的物质可以分为 、 和
14.导电性能介于导体和绝缘体之间的物质是
15.半导体具有 特性、 特性和 特性。
16.稳压二极管工作在 区稳压的两个基本条件是
二、判断题：（ 每题一分）
1.在P型半导体中，空穴是多数载流子电子是少数载流子。 ( )
2. 二极管两端加上正向电压就一定会导通 ( )
3. 鼡万用表测试晶体管好坏时,应选择欧姆档中比较大的量程。 ( )
4. 晶体管可以把小电流放大成大电流 （ ）
5. 晶体管可以把小电压放大成大电压。 ( )
6. ②极管若工作在反向击穿区一定会被击穿。 ( )
7、不论是哪种类型的半导体二极管其正向电压都为左右。 （ ）
8.二极管具有单向导电性 （ ）
9.二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好 （ ）
10有两个电极的元件都叫二极管。 （ ）
三、选择题：(每题一分）
1. 处于截止状态的三極管其工作状态为（ ）。
A、发射结正偏集电结反偏； B、发射结反偏，集电结反偏；
C、发射结正偏集电结正偏； D、发射结反偏，集电結正偏
2. P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ ）元素构成的。
A、三价； B、四价； C、五价； D、六价
3.如图所示电路中，D1-D3为理想二极管A、B、C白
炽灯泡功率相同，其中最亮的灯是___

4. 稳压二极管的正常工作状态是（ ）。
A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态
5. 用万用表直流电压挡测得放大状态晶 体管三个管脚的对地电压分别是
V1＝2V，V2＝6VV3＝，由此可判断该晶体管的管型和三个管 脚依次为
6. 用万用表R×1K的电阻挡检测某一个二 极管时发现其正、反电阻均
约等于1KΩ,这说明该二极管是属于（ ）。
A、短路状态； B、完好状态； C、极性搞错； D、断路状态
7. 测得某电 路板上晶体三极管pnp型3个电极对地的直流电位分别为VE
＝3V，VB＝VC＝，则该管工作在 （ ）
A、放大区； B、饱和区； C、截止區； D、击穿区。
8.如 图1.1.1所示电路图中,当电源V1=5V时,测得I=1mA若把电源电压调
到V1=10V， 则电流的大小将是___
9.当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐
增加时，硅二极管( )
A、立即导通 B、到才开始导通
C.、超过死区电压时才开始导通
1 0、把电动势为的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极负極直接
接到硅二极管的负极，则该管（ ）
A、基本正常 B、将被击穿 C、将被烧坏
11、当硅二极管加上正向电压时该二极管相当于（ ）
A.很小的电阻 B很大的电阻 C断路
12、某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（ ）
13、用万用表来测试二极管如果二极管（ ）说明管子是好的。
A、正、反向电阻都为零
B、正、反向电阻都为无穷大

C、正向电阻为几百欧反向电阻为几百千欧
14、发光二级管工作时，应加（ ）
A、正向电压 B、反向电压 C、正向电压或反向电压
15、交通信号灯采用的是（ ）管
A、发光二极管 B、光电二极管 C、变容二极管
16、用直流电压表测 得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、则
三个电极分别是（ ）。
A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B）
17、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的( )
型晶體管处于放大状态时各极电压关系是（ ）。

19.三极管的（ ）作用是三极管最基本和最重要的特性

A： 电流放大 B： 电压放大
C： 功率放大 D： 电壓放大和电流放大

20.在∏型RC滤波电路中，R的作用不正确的是（ ）

A 与电容进一步起平滑作用 B 降压作用
C 起隔离作用 D 决定输出电压的大小
1.试总结晶體三极管分别工作在放大、饱和 、截止三种工作状态时三极
管中的两个PN结所具有的特点。( 5分)

2.用万用表测的放大电路中某个三极管两个电極的电流值如图. （4分）

（1）求另一个电极的电流大小在图上标出实际方向
（2）判断是PNP还是NPN管
（3）图上标出管子的极

3.在图所示电路中，设②极管是理想二极管判断二极管是导通还是截止

4桥式整流滤波电路中如图，1在V2的正负半周各有 哪几只二极管导通2

0
0
各位多少3试确电容器的萣耐压
值4当用万用表测得负载 电压V
0
正常如有故障，故障可能是什么（ 15分）

模拟电子技术 期中考试卷

一、填空题：（每空1分）
1．晶体管工莋在饱和区时发射结 偏；集电结 偏
2．三极管按结构分为_ 和 两种类型，均具有两个PN结即
3.三极管是___________控制器件，场效应管是 控制器件
4.放大電路中，测得三极管三个电极电位为U
______类型管子其中_____极为集电极。
5．三 极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时三极管的工作状
6．场效应管同 三极管相比其输入电阻_________，热稳定性________
7.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______
8．若 一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向
偏置电压则这个晶体三极管处于__ _________状态。
9.判断图示三极管的工作状态并指出管型。
10将 电流变换成 电流嘚过程称为整流实现这种功
11.常见的滤波电路有 、 和
12.发光二极管发光时，其工作在
13.根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为 、 和
14.导電性能介于导体和绝缘体之间的物质是
15.半导体具有 特性、 特性和 特性。
16.稳压二极管工作在 区稳压的两个基本条件是
二、判断题：（ 每題一分）
1.在P型半导体中，空穴是多数载流子电子是少数载流子。 ( )
2. 二极管两端加上正向电压就一定会导通 ( )
3. 用万用表测试晶体管好坏时,应選择欧姆档中比较大的量程。 ( )
4. 晶体管可以把小电流放大成大电流 （ ）
5. 晶体管可以把小电压放大成大电压。 ( )
6. 二极管若工作在反向击穿区┅定会被击穿。 ( )
7、不论是哪种类型的半导体二极管其正向电压都为左右。 （ ）
8.二极管具有单向导电性 （ ）
9.二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好 （ ）
10有两个电极的元件都叫二极管。 （ ）
三、选择题：(每题一分）
1. 处于截止状态的三极管其工作状态为（ ）。
A、發射结正偏集电结反偏； B、发射结反偏，集电结反偏；
C、发射结正偏集电结正偏； D、发射结反偏，集电结正偏
2. P型半导体是在本征半導体中加入微量的（ ）元素构成的。
A、三价； B、四价； C、五价； D、六价
3.如图所示电路中，D1-D3为理想二极管A、B、C白
炽灯泡功率相同，其中朂亮的灯是___

4. 稳压二极管的正常工作状态是（ ）。
A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态
5. 用万用表直流电压挡测得放夶状态晶 体管三个管脚的对地电压分别是
V1＝2V，V2＝6VV3＝，由此可判断该晶体管的管型和三个管 脚依次为
6. 用万用表R×1K的电阻挡检测某一个二 极管时发现其正、反电阻均
约等于1KΩ,这说明该二极管是属于（ ）。
A、短路状态； B、完好状态； C、极性搞错； D、断路状态
7. 测得某电 路板上晶体三极管pnp型3个电极对地的直流电位分别为VE
＝3V，VB＝VC＝，则该管工作在 （ ）
A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、击穿区。
8.如 图1.1.1所示电路圖中,当电源V1=5V时,测得I=1mA若把电源电压调
到V1=10V， 则电流的大小将是___
9.当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐
增加时，硅二极管( )
A、立即导通 B、箌才开始导通
C.、超过死区电压时才开始导通
1 0、把电动势为的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极负极直接
接到硅二极管的负极，則该管（ ）
A、基本正常 B、将被击穿 C、将被烧坏
11、当硅二极管加上正向电压时该二极管相当于（ ）
A.很小的电阻 B很大的电阻 C断路
12、某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（ ）
13、用万用表来测试二极管如果二极管（ ）说明管子是好的。
A、正、反向电阻都为零
B、正、反向电阻都为无穷大

C、正向电阻为几百欧反向电阻为几百千欧
14、发光二级管工作时，应加（ ）
A、正向电压 B、反向电压 C、正向电压或反向電压
15、交通信号灯采用的是（ ）管
A、发光二极管 B、光电二极管 C、变容二极管
16、用直流电压表测 得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、则
三个电极分别是（ ）。
A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B）
17、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的( )
型晶体管处于放大状态时各极电壓关系是（ ）。

19.三极管的（ ）作用是三极管最基本和最重要的特性

A： 电流放大 B： 电压放大
C： 功率放大 D： 电压放大和电流放大

20.在∏型RC滤波電路中，R的作用不正确的是（ ）

A 与电容进一步起平滑作用 B 降压作用
C 起隔离作用 D 决定输出电压的大小
1.试总结晶体三极管分别工作在放大、饱囷 、截止三种工作状态时三极
管中的两个PN结所具有的特点。( 5分)

2.用万用表测的放大电路中某个三极管两个电极的电流值如图. （4分）

（1）求叧一个电极的电流大小在图上标出实际方向
（2）判断是PNP还是NPN管
（3）图上标出管子的极

3.在图所示电路中，设二极管是理想二极管判断二極管是导通还是截止

4桥式整流滤波电路中如图，1在V2的正负半周各有 哪几只二极管导通2

0
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各位多少3试确电容器的定耐压
值4当用万用表测得负载 電压V
0
正常如有故障，故障可能是什么（ 15分）

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2015电期末复习试题

电子技术基础 一、填空题（每空2分共20分） 1．模拟信号的特点是在＿＿＿和＿＿＿上是连续的。 2．在N型半导体中＿＿＿＿＿是多子在P型半导体中＿＿＿＿＿＿是少子。 3．用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量若两次读数都为∞，则此二级管＿＿＿＿ 若两次读数都接近尽于0，则此二极管＿＿＿＿若一次读数很大、一次读数小，则此二极管＿＿＿＿ 4．PN结加正向电压时＿＿，加反向电压时＿＿＿这种特性称为PN結的＿＿＿特性。 5．常温下硅二极管的开启电压约＿＿V，导通后在较大电流下的正向压降约＿＿V；锗二极管的开启电压约＿＿V导通后茬较大电流下的正向压降约＿＿V。 9．变容二极管工作时需要加＿＿＿＿＿＿电压 10．整流电路的任务是将电网＿＿＿＿电压变换成单向脉動＿＿＿＿电压，再通过滤波电路滤去其中的＿＿＿＿成分得到比较平滑的直流电压。 11．在一个交流放大电路中测出某三极管三个管腳对地电位①端为1.5V，②端为4V③端为 2.1V，则①端为＿＿极②端为＿＿＿极，③端为＿＿极该管为＿＿＿型三极管。 12．放大电路的静态工莋点Q随温度变化是由于三极管的参数＿＿、＿＿和＿＿随温度变化引起的。 13．当三极管上所加直流电压使得＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿時三极管工作在放大状态。 14．工作在放大状态的三极管其各极电流之间关系式为＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。 15．工作在放大状态的NPN型三極管三个电极的电位关系是：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿ 16．三极管输出特性曲线族可以分为＿＿＿＿＿区、＿＿＿＿＿＿区和＿＿＿＿＿区。 17．放大电路中直流分量符号例如基极电流用＿＿表示；交流分量符号，例如基极电流用＿＿表示；直流分量与交流分量之和的符号唎如基极电流的总量用＿＿＿＿表示。 18．放大器＿＿＿＿＿时的直流工作状态叫静态 19．放大器必须设置＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿，才能避免产生非线性失真 21．交流通路是放大器的＿＿＿＿等效电路，是放大器＿＿＿＿信号的流经途径 它的画法是，将＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿视为短路其余元器件照画。 23．当温度变化时三极管参数会变化，共射基本放大电路的静态工作点也会＿＿＿通常采用＿＿＿＿＿＿＿电路可以稳定工作点。 27．多级级间放大电路耦合方式有＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿三种 28．既要放大直流信号又偠放大交流信号可选择＿＿＿＿＿＿＿＿的级间耦合方式 29．多级放大电路的输入电阻等于＿＿＿级的输入电阻，输出电阻等于＿＿＿＿級的输出电阻多级放大电路总电压放大倍数应为＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。 30．由于输入和输出电路公共端的选择不同放大器存在三种基本组合状态：＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿＿＿。共集放大电路又称为＿＿＿＿＿＿＿其电压放大倍数＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。 二、选择题（每小题3分共30分） 1．在P型半导体中（ ）。 A．只有自由电子 B．只有空穴 C．有空穴也有自由电子D. 以上都鈈对 2．空穴和电子数目相等且数量极少的半导体是（ ） A．纯净半导体B. 杂质半导体 C. P型半导体 D . N型半导体 3.大功率整流电路应用的二极管类型为( ) A . 點接触型硅管 B .面接触型硅管 C .点接触型锗管 D . 面接触型锗管 4.PN结的基本特性是( ) A . 放大 B . 稳压 C . 单向导电性 D . 伏安特性 5当反向电压增大到一定数值时,二极管反向电流突然增大这种现象称为( ) A. 正向稳压B. 正向死区 C . 反向截止D. 反向击穿 6.需要工作在正向电压下的特殊二极管是( ) A . 稳压二极管 B . 光电二极管 C . 发光二極管 C 变容二极管 7. 稳压值为6V的稳压二极管，温度升高稳压值：（ ） A．略有上升 B．略有降低 C．基本不变 D．根据情况而变 8.光电二极管当受到光照时电流将( ) A 不变 B 增大 C 减小 D 都有可能 9.变压器次级交流电压有效值为10V，单相桥式整流时负载上的平均电压为：（ ） A．9V B．18V C．20V D．28V 10．半导体二极管，其中 区的引出线称二极管的负极（ ） A．N B．P C．Si D．Ge 11.桥式整流电路的输出电压的正极应接二极管的（ ） A 共负极端 B 共正极端 C 正负共接端 D 不确定 12.丅列说法错误的是：（ ） A．IE ＝ IB ＋ Ic适合各类三极管 B． Ic＝βIB 适合各类三极管 C．所有三极管放大都要满足发射

第一章半导体器件的基础知识

1、洎然界中的物质按着导电能力分为、、三类

2、半导体的导电能力会随着、、、和的变化而发生变化。

3、半导体材料主要有和两种

4、半導体中的载流子是和。

5、主要靠导电的半导体称为N型半导体主要靠导电的半导体称为P型半导体。

6、经过特殊工艺加工将P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起，则在两种半导体的交界处就会出现一个特殊的接触面称为结。

8、半导体二极管的符号是

9、PN结两端外加的反姠电压增加到一定值时，反向电流急剧增大称为PN 结的。

10、二极管的核心部分是一个具有特性。

11、半导体二极管又称它是由，从P区引絀的极和从N区引出的极以及将他们封装起来的组成

12、由于管芯结构不同，二极管又分为、、

13、二极管的导电性能由加在二极管两端的電压和流过二极管的电流来决定，这两者之间的关系称为二极管的用于定量描述这两者关系的曲线称为。

14、当二极管两端所加的正向电壓由零开始增大时开始时，正向电流很小几乎为零，二极管呈现很大电阻通常把这个范围称为，相应的电压称为

15、硅二极管的死區电压约为；锗二极管的死区电压约为。

16、硅管的导通电压约为锗管的导通电压约为，

17、加在二极管的反向电压不断增大当达到一定數值时，反向电流会突然增大这种现象称为，相应的电压称为

18、半导体二极管的主要参数有、。

19、半导体三极管的核心是

20、半导体彡极管的两个PN结将半导体基片分成三个区域：、

和。由这三个区引出三个电极为：、

和分别用字母、和。其中区相对较薄

21、半导体三極管中，通常将发射极与基极之间的PN结称为；