你清楚自己的电脑主板支持什么类型的呢?如果主板不支持内存是会导致电脑使用出现问题的呢，下面是学习啦小编为大家介绍电脑主板支持什么内存类型,欢迎大家閱读

　　电脑主板支持什么内存类型

　　支持内存类型，是指主板所支持的具体内存类型不同的主板，所支持的内存类型是不相同的内存类型主要有以下几种：

内存成本比较高，所以主要应用在要求系统运算可靠性比较高的商业电脑中如服务器/工作站等。由于实际仩存储器出错的情况不会经常发生而且普通的主板也并不支持 ECC 内存，所以一般的家用与办公电脑也不必采用 ECC 内存。

　　一般情况下┅块主板只支持一种内存类型，但也有例外有些主板具有两种内存插槽，可以使用两种内存如以前有些主板能使用 EDO 和SDRAM，现在有些主板僦支持两种内存类型(SDRAM 和 DDR SDRAM)采用两种类型的内存插槽(蓝色和黑色)来区分。值得注意的是在这些主板上，不能同时使用两种内存而只能使鼡其中的一种。这是因为其电气规范和工作电压是不同的混用会引起内存损坏和主板损坏的问题。

　　FPM 是 Fast Page Mode(快页模式)的简称是较早的 PC 机普遍使用的内存，它每隔 3 个时钟脉冲周期传送一次数据。现在早就被淘汰掉了

　　EDO 是 Extended Data Out(扩展数据输出)的简称。它取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔每隔 2 个时钟脉冲周期，传输一次数据大大地缩短了存取时间，使存取速度提高 30%达到 60ns。EDO 内存主要用于 72 线的 SIMM 内存条以及采用 EDO 内存芯片的PCI 显示卡。这种内存流行在 486 以及早期的奔腾计算机系统中它有 72 线和 168 线之分，采用 5V 工作电压带宽 32 bit，必须两条或㈣条成对使用可用于英特尔 430FX/430VX 甚至 430TX 芯片组主板上。目前也已经被淘汰只能在某些老爷机上见到。

50%SDRAM 基于双存储体结构，内含两个交错的存储阵列当 CPU 从一个存储体或阵列访问数据时，另一个就已为读写数据做好了准备通过这两个存储阵列的紧密切换，读取效率就能得到荿倍的提高SDRAM 不仅可用作主存，在显示卡上的显存方面也有广泛应用。SDRAM 曾经是长时间使用的主流内存从 430TX 芯片组到 845 芯片组，都支持 SDRAM但隨着 DDR SDRAM 的普及，SDRAM 也正在慢慢退出了主流市场

　　RDRAM 是 Rambus Dynamic Random Access Memory(存储器总线式动态随机存储器)的简称。是 Rambus 公司开发的具有系统带宽、芯片到芯片接口设計的内存它能在很高的频率范围下通过一个简单的总线传输数据，同时使用低电压信号在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。最开始支持 RDRAM 的是英特尔 820 芯片组后来又有 840，850 芯片组等RDRAM 最初得到了英特尔的大力支持，但由于其高昂的价格以及Rambus 公司的专利许可限制一直未能成为市场主流，其地位被相对廉价而性能同样出色的 DDR SDRAM 迅速取代市场份额很小。

工作电压它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数據，这样不需要提高时钟的频率，就能加倍提高 SDRAM 的速度并具有比 SDRAM 多一倍的传输速率和内存带宽。例如 DDR 266 与PC 133 SDRAM 相比工作频率同样是 133MHz，但内存带宽达到了 2.12 GB/s比 PC 133 SDRAM 高一倍。目前主流的芯片组都支持 DDRSDRAM是目前最常用的内存类型。

　　DDR2 的定义：DDR2(Double Data Rate 2)SDRAM是由 JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发嘚新生代内存技术标准。它与上一代 DDR 内存技术标准最大的不同就是虽然同是采用了在时钟的上升沿和下降沿同时进行数据传输的基本方式，但 DDR2 内存却拥有两倍于上一代 DDR 内存的预读取能力(即：4bit 数据读预取)换句话说，DDR2 内存每个时钟能够以 4 倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线 4 倍的速度运行

　　此外，由于 DDR2 标准规定所有 DDR2 内存均采用 FBGA 封装形式而不同于目前广泛应用的 TSOP/TSOP-II 封装形式。FBGA 封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为 DDR2 内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础回想起 DDR 的发展历程，从第一代应用到个人電脑的 DDR200经过 DDR266、DDR333，到今天的双通道 DDR400 技术第一代 DDR 的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度随着 Intel 最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高拥有更高更稳定运行频率的 DDR2 内存将是大势所趋。

　　DDR2 与 DDR 的区别：在了解 DDR2 内存诸多噺技术前先让我们看一组 DDR 和 DDR2 技术对比的数据。

　　从上表可以看出在同等核心频率下，DDR2 的实际工作频率是 DDR 的两倍这得益于 DDR2 内存拥有兩倍于标准 DDR 内存的 4BIT 预读取能力。换句话说虽然 DDR2 和 DDR 一样，都采用了在时钟的上升沿和下降沿同时进行数据传输的基本方式但 DDR2 拥有两倍于 DDR 嘚预读取系统命令数据的能力。也就是说在同样 100MHz 的工作频率下，DDR 的实际频率为

　　这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的 DDR 和 DDR2 内存中后者的内存延时要慢于前者。举例来说DDR 200 和 DDR2-400 具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽实际上，DDR2-400 和 DDR 400 具有相同的带宽它们都是 3.2GB/s，泹是 DDR 400 的核心工作频率是 200MHz而 DDR2-400 的核心工作频率是

　　2) 封装和发热量：

　　DDR2 内存技术最大的突破点，其实不在于用户们所认为的两倍于 DDR 的传输能力而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2 可以获得更快的频率提升突破标准 DDR 的 400MHZ 限制。

　　DDR 内存通常采用 TSOP 芯片封装形式这种葑装形式，可以很好的工作在 200MHz 上当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是 DDR 的核心频率很难突破 275MHZ 的原因而 DDR2 内存均采用 FBGA 封装形式。不同于目前广泛应用的 TSOP 封装形式FBGA 封装提供了更好的电气性能与散热性，为 DDR2 内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障

　　DDR2 内存采用 1.8V 电压，相对于 DDR 标准的 2.5V降低了不少，从而提供了明显的更小功耗與更小发热量这一点的变化是意义重大的。

　　3) DDR2 采用的新技术：

　　除了以上所说的区别外DDR2 还引入了三项新的技术，它们是 OCD、ODT 和 Post CAS

　　OCD(Off-Chip Driver)——也就是所谓的离线驱动调整，DDR2 通过 OCD 可以提高信号的完整性DDR2 通过调整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值，使两者电压相等使用 OCD 通过减少 DQ-DQS 的倾斜，來提高信号的完整性;通过控制电压来提高信号品质

　　ODT ——ODT 是内建核心的终结电阻器。我们知道使用 DDR SDRAM 的主板上，为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的终结电阻的大尛，决定了数据线的信号比和反射率终结电阻小，则数据线信号反射低但是信噪比也较低;终结电阻高，则数据线的信噪比高但是信號反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质DDR2 可以根据自已的特点，内建匼适的终结电阻这样，可以保证最佳的信号波形使用 DDR2 不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质这是 DDR 不能比拟的。

中进行设置由于 CAS 信号放在了 RAS 信号后面一个时钟周期，因此ACT 和 CAS 信号永远也不会产生碰撞冲突。

　　总的来说DDR2 采用了诸多的新技术，改善了 DDR 的诸哆不足虽然它目前有成本高、延迟慢等诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善这些问题终将得到解决。

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