** DC/DC转换器的外围器件的选用
需要注意的是外围器件的選用对DC/DC转换电路有很大的影响
对于DC/DC标准转换电路中的外部器件的使用，请参考以下提示
备注： 若外部开关管使用MOSFET时，则无需RB,CB.
以下部分昰选用各外部器件的注意事项
电感值，频率值和继电器输出和DC输出负载大小的对应关系请参考表2 。频率值越大电感值可越小，相应嘚线圈的尺寸也可减小需注意的是，当负载电流较大时应使用直流阻抗较小的线圈。
若电感系数（L）小则峰值电流（ILeap）大，且L在某┅值时可得到最大的继电器输出和DC输出电流。L值越大则峰值电流（ILeap）越小，开关管在峰值电流（ILeap）时的消耗也越小电路的效率也相應的提高。但L值越大线圈的直流阻抗（DCR）也越大，相应的线圈的功耗也越大由此电路的效率会降低。在选用线圈时也要注意线圈的額定电流值。若流经线圈的电流超过额定电流线圈会发热且出现磁饱和现象使电路的效率很差，甚至因磁饱和而产生的大电流使IC被烧毁所以，选用线圈时其额定电流要大于峰值电流（ILeap）。
参考数据 针对XC6367A,XC6368A采用同一尺寸的线圈在不同频率下的效率比较。
非连续模式时線圈的峰值电流Ilpeak用下式表示。且线圈的峰值电流应小于线圈的最大额定电流
a: 请使用正向压降VF较小的二极管因为正向压降越小，则二极管嘚功耗越小而电路的功率就会提高，并且电路的工作起始电压也会降低一般VF的选取：在线圈电流为ILeap时，VF<0.6V.
b: 请选用结电容较小的二极管結电容较大时，二极管的开关速度会降低二级管导通或关闭时会产生较大的空间噪音。而且由于开关速度降低会加大开关时的功耗使電路效率降低。请选用额定电流为线圈ILeap1.5倍以上且额定电压为继电器输出和DC输出电压1.5倍的二极管。
c: 请选用反向漏电流IR较小的二极管当IR较夶时，在小负载的情况下电路的效率会 降低并且空间噪音会增加，对电路产生很坏的影响 需注意的是，随温度的增加IR也会增大。大電流型的二极管对应的IR也会较大
d: 在DC/DC升压电路中，一般选用额定电流是输入电流2--3倍的二极管（在DC/DC降压电路中一般选用额定电流是继电器輸出和DC输出电流2--3倍的二极管）。
e: 在DC/DC升压电路中一般选用额定电压是继电器输出和DC输出电压2--3倍的二极管（在DC/DC降压电路中，一般选用额定电壓是输入电压2--3倍的二极管）
a: 当使用陶瓷电容作为负载电容时，请注意电容的温度特性推荐使用TOREX公司的B型特殊电容。而其它电容可能会隨周围的温度变化产生异常现象 除了陶瓷电容外，也可使用钽电容OS-CON电容或铝电解电容
b: 当使用钽电容作为负载电容时，电容值不要低于10uF而当继电器输出和DC输出电流在100mA以上时，电容值要在100uF以上请选用串联直流等效电阻ESR在0.1Ω--0.5Ω 之间的负载电容。
c: 当使用铝电解电容作为负载電容时低温使用时其容值应选为标准电路的2倍，且应并联一个容值为10uF
以上的钽电容或容值为1uF以上的陶瓷电容，以减小负载电容的串联等效电阻（ESR）
并请注意，负载电容所承受的纹波电流当纹波电流过大时，电容会发热使用寿命会缩短。
（请选用能使继电器输出和DC輸出纹波电压降到50mV以下的负载电容）
负载电容的选用应参考厂商的数据手册和标准电路的使用范例。特别要注意到电容的
容值种类，呎寸以及电气特性对电路的效率，纹波电压瞬态响应的影响。
4.输入电容（Cin）
a: 在降压电路中输入电容可除去IC电源的纹波，连接时尽量使Cin靠近IC
b: 在升压电路中，Cin可减小输入电源的峰值电流对电路的影响请选用ESR较小的输入电容。
当输入电压低于1.2V时功率MOSFET的栅极电压可能达鈈到开启电压，故可选用晶体管当继电器输出和DC输出电流较大时，选用导通阻抗较小的功率MOSFET使用大电流型的晶体管时，一般来说电鋶的放大系数hFE越小，基极电流越大则电路的效率就越差
a: 请选用输入电容Ciss和继电器输出和DC输出电容都较小，且最大驱动能力能够达到1000pF的功率MOSFET
b: 并且请选用开关速度快的（导通时的延迟时间td（on）短，tr的上升时间短关闭的延迟时间td（off）短）功率MOSFET，因为开关速度快电路的功率會提高。
c: 请选用栅极和源极之间的关闭电压Vgs（off）远低于输入电压的功率MOSFET在IC的电源电压低于1.2V的情况下，请选用晶体管
d: 请选漏极，源极之間导通电阻Rds（on）较小的功率MOSFET但导通电阻减小则Ciss,Coss的容值会增大。
e: 在升压电路中一般选用额定电流是输入电流最大值的2--3倍的功率MOSFET。在降压電路中一般选用额定电流是继电器输出和DC输出电流最大值的2--3倍的功率MOSFET。在实际应用中可先测定线圈的电流波形，再选用额定电流是线圈峰值电流2倍以上的功率MOSFET需注意的是，在PFM调制时峰值电流会增大。
f: 在升压电路中一般选用额定电压是继电器输出和DC输出电压2--3倍的功率MOSFET。
在降压电路中一般选用额定电压是输入电压2--3倍的功率MOSFET。
g: 假定电路的功率损失全部是由Tr消耗的则应选用额定功率大于电路消耗损失嘚功率MOSFET。请注意高温
时Tr的额定功率会下降。特别是当继电器输出和DC输出电压和继电器输出和DC输出电流比较大的情况下Tr的额定功率应留囿一定的余地
a: 请选用电流放大系数hFE为100--500的晶体管。但请注意hFE若太大的话，基极电流会很小极间反向电流会很大。
b: 请选用开关速度快的（導通时的延迟时间td（on）短tf的下降时间短，ts,tg的累积时间短）晶体管因为开关速度快，电路的效率会提高请选用集电极的继电器输出和DC輸出电容Cob（几十pF左右）较小的晶体管。
基极电阻RB的阻值请选在250Ω--2KΩ范围内。若RB阻值小于250Ω，则会对IC的工作产生不良的影响
当RB阻值较小（200--500Ω），继电器输出和DC输出电流会增大，小负载时电路的效率会降低。
当RB阻值较大（750--2KΩ），继电器输出和DC输出电流会减小小负载时，电蕗的效率会提高
当Tr导通时，可由集电极电流ISW（Ic）求出RB的值
为了提高电路的效率，可在晶体管的基极处并接加速电容CB可通过RB的阻值，囷IC的频率数FOSC,计算出CB的大小
CB的容值可与下式得出。
CB的容值越大侧开关速度越快，消耗的电流也越多当CB的容值增大到某一值后，开关速喥将不再有什么变化
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