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IGBT绝缘栅双极型晶体管模块是场效应晶体管（MOSFET）和电力晶体管（GTR）相结匼的产物它具有输入阻抗高、驱动功率小、开关损耗低、温度特性好以及开关频率高等特点。它比GTR（或BJT）更为新颖IGBT模块的击穿电压已達到1200V，集电极饱和电流已超过1500A工作频率可达30～40kHz，以IGBT为逆变器件的变频器的载波频率一般都在10kHz以上故电动机的电流波形比较平滑，电磁噪声很小缺点是断态时的击穿电压较低（约3.3kV），功耗较大电路较复杂.开关时间：它包括导通时间ton和关系时间toff。导通时间ton又包含导通延遲时间td和上升时间tr关断时间toff又包含关断延迟时间td和下降时间tf。提示：IGBT的工作频率fr已超过150kHz、反压UCBS≥1700V、电流ICM已达800A、功率PCM达3000W、导通时间ton＜50ns
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