一种化合物半导体器件包括:六角碳化硅晶体衬底以及形成在所述碳化硅晶体衬底上的磷化硼基半导体层,其中所述碳化硅晶体衬底具有呈现{0001}晶面的表面,并且所述磷化硼基半導体层由{111}晶体构成,所述{111}晶体层叠在所述碳化硅晶体衬底的所述{0001}晶面上并平行于所述碳化硅晶体衬底的所述{0001}晶面,以及当沿所述碳化硅晶体衬底的[0001]晶向包含在原子排列的一个周期单元中的层数是n时,包括在形成所述{111}晶体的{111}晶面中的n层层叠结构的层叠高度基本上等于所述碳化硅晶体襯底的c轴晶格常数.

1.一种化合物半导体器件,包括：\r\r\r\r\n 六角碳化硅晶体衬底；以及\r\r\r\r\n 形成在所述碳化硅晶体衬底上的磷化硼基半导体层,其中\r\r\r\r\n 所述碳囮硅晶体衬底具有呈现{0001}晶面的表面,以及\r\r\r\r\n 所述磷化硼基半导体层由{111}晶体构成,所述{111}晶体层叠在所述碳\r\r\r\r\n化硅晶体衬底的所述{0001}晶面上并平行于所述碳化硅晶体衬底的所述\r\r\r\r\n{0001}晶面,以及\r\r\r\r\n 当沿所述碳化硅晶体衬底的[0001]晶向包含在原子排列的一个周期单\r\r\r\r\n元中的层数是n时,包括在形成所述{111}晶体的{111}晶面Φ的n层层叠\r\r\r\r\n结构的层叠高度基本上等于所述碳化硅晶体衬底的c轴晶格常数