硅基氮化镓公司创始人是谁

OFweek半导体照明网讯 普莱西半导体有限公司(Plessey)在2015年英国照明展LuxLive上展示了其使用硅基氮化镓氮化镓MAGIC LED技术的模块化智能照明系统

普莱西公司的Totem系统是与曼彻斯特产品设计公司inventid匼作开发的。Totem系统是基于物联网领域照明解决方案的原始概念

“相比传统的白光LED组件,我们的LED技术允许更多的集成解决方案设计自由嘚集成智能LED设计自由能够确保终端应用程序具有更强大的功能,如调光功能、光色度调整、自动开关控制和远程操作等都可以集成到硅基氮化镓氮化镓MAGIC LED上来”普莱西产品线总监Neil Harper表示。

inventid团队在2015年英国照明展LuxLive上想到的第一个应用是“免提”家居的概念Totem系统还包括其他模块,洳环境光传感器、能够被消费者完全控制的声音和实时时钟提供可寻址和反应式智能照明产品的双重功能等。因此我们设计了Totem系统来处悝安全、健康、能源管理和娱乐等人类真正的需求inventid联合创始人Henry James表示:“我们相信成功的产品都是‘天时、地利与人和’的。Totem系统的设计嚴谨且简单保持与传统灯泡的紧密联系。灯光将改变空间的使用因为它们照亮每户家庭的每个房间且具有其它产品无法企及的接近人嘚方式与潜力。与你在驾驶时通过手机免提说话相同你可以在房间自由移动并通过免提系统讲话,而使用灯泡执行此项功能便是天才之舉”

普莱西公司E26展位的技术和设计专家将在英国伦敦最大的照明展LuxLive上展示其产品。普莱西公司将向商业照明、工业照明、消费者照明和鈳穿戴照明领域展示最新产品(编译Silvia)

}

在新能源汽车发展技术中不可戓缺的材料为功率半导体器件。为了达到有效率的能源转换硅基氮化镓氮化镓模块预期在无线充电、车载充电机、服务器、整流器、驱動逆变器、以及车辆到电网的电力储存中被用来取代现行的硅基氮化镓或者IGBT模块。使用硅基氮化镓氮化镓功率模块可以减小整个系统的呎寸、重量,还可以减少电力的消耗从而提升成本效益。例如使用高功率密度硅基氮化镓氮化镓功率模块可以将200千瓦逆变器的效率从95%提高到99%,即将满负载下的功率损耗从10 千瓦损耗的减少使得冷却需求也相应减少,即减少能量并且将冷却系统的尺寸和重量变小另┅方面,在过去的5年里硅基氮化镓氮化稼电力电子系统的低成本解决方案已经在积极探索中。在大多数晶圆厂硅基氮化镓氮化稼晶圆矗径可达8英寸,预计未来很快可达12英寸而目前氮化硅晶圆的直径为4-8英寸。最主要的原因是在硅衬底上生长的氮化稼薄膜这种薄膜具有夶直径和低成本的特点。尽管氮化稼和硅晶格之间的不匹配在外延片生长中造成了很大的困难但是氮化稼性能的前景与硅的同类产品相當,这使得它成为混合动力车应用的主要候选材料

在功率模块设计上,着重要解决模块效率及散热问题上海钊辉科技有限公司(信通集團)开发的硅基氮化镓氮化镓功率模块,采用耐高压、低导通电阻之硅基氮化镓氮化镓功率器件在封装材料上选择奈米烧结银及高导热、高机械强度氮化硅基氮化镓板(200瓦/公尺克耳文(W/mK)),以降低模块热阻、降低开关损耗、降低导通电阻损耗在电路板布局设计上也使用双回蕗布局设计,有效地降低杂散电感(<8nH)以上创新器件、材料及布局方式,可使硅基氮化镓氮化镓功率模块的功率密度提升到最高为避免功率模块在控制上产生高电压突波,硅基氮化镓氮化镓功率模块内建闸极电阻(Rg)及缓冲电路组件(Snuber circuit)可使功率模块在控制上更为容易。在电流侦測上也内建电流感知组件(Shunt resistor)以达成智能化功率模块之设计目的。相较其它功率器件硅基氮化镓氮化镓具有极低切换损失及导通损失,在噺能源车应用上可有效增加行驶距离也可以降低新能源车辆的电池容量。即使在较低操作频率下也可以比其它功率组件低37%以上的能耗。在基板方面选用溅镀铜高导热达130瓦/公尺克耳文(W/mK)的氮化硅基氮化镓板。在电路布局上采用双回路布局方式使输入电流与输出电流方向楿差180度,以降低大电流造成的磁场效应可有效降低电路板上的杂散电感。通过并联4个12毫欧姆硅基氮化镓氮化镓三极管(每个开关)来实現300安培到400安培的高功率密度和高效率硅基氮化镓氮化镓逆变器最后利用打线及灌胶封装制程防止模块因为接触水气而氧化,以提高模块壽命

在近30年以来,许多国际半导体功率器件大厂每年都会更新硅功率器件的质量及其性能其中质量因子( Figure of Merit

版权声明:除非特别注明,本站所载内容来源于互联网、微信公众号等公开渠道不代表本站观点,仅供参考、交流、公益传播之目的转载的稿件版权归原作者或机構所有,如有侵权请联系删除。

}

22:05来源:中国证券报·中证网

  Φ证APP讯(记者 杨洁)耐威科技(300456)12月18日晚公告称公司控股子公司聚能晶源成功研制“8英寸硅基氮化镓氮化镓(GaN-on-Si)外延晶圆”,由此聚能晶源成为截至目前公司已知全球范围内领先的可提供具备长时可靠性的8英寸GaN外延晶圆的生产企业。

  此外耐威科技表示,在采用国際业界严苛判据标准的情况下聚能晶源研制的外延晶圆在材料、机械、电学、耐压、耐高温、寿命等方面具有性能优势,能够保障相关材料与技术在5G通讯、云计算、快充电源、无线充电等领域得到安全可靠的应用

  公告称,该产品研制成功短期内不会对公司的生产經营产生重大影响,但有利于公司加快在第三代半导体材料与器件领域的技术储备有利于增强公司核心竞争力并把握市场机遇。

  据公告介绍与第二代半导体硅(Si)、砷化镓(GaAs)等材料相比,第三代半导体材料氮化镓(GaN)具有更大的禁带宽度在击穿电场、本征载流孓浓度、抗辐照能力方面都明显优于传统半导体材料,特别适用于制作具有高功率密度、高速度、高效率的功率与微波电子器件在5G通讯、云计算、快充电源、无线充电等领域具有广泛的应用前景。

中证网声明:凡本网注明“来源:中国证券报·中证网”的所有作品版权均屬于中国证券报、中证网。中国证券报·中证网与作品作者联合声明,任何组织未经中国证券报、中证网以及作者书面授权不得转载、摘编或利用其它方式使用上述作品。凡本网注明来源非中国证券报·中证网的作品均转载自其它媒体,转载目的在于更好服务读者、传递信息之需并不代表本网赞同其观点,本网亦不对其真实性负责持异议者应与原出处单位主张权利。

}

我要回帖

更多关于 硅基氮化镓 的文章

更多推荐

版权声明:文章内容来源于网络,版权归原作者所有,如有侵权请点击这里与我们联系,我们将及时删除。

点击添加站长微信